Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

бренд:

без ограничения Apple ST Cypress TI INFINEON Xilinx BROADCOM Altera QUALCOMM Maxim Atmel Intel ADI Microchip Renesas ON NXP TOSHIBA SAMSUNG SILICON Micron Lattice ROHM Murata REALTEK MITSUBISHI LT VISHAY Skyworks Panasonic Quectel Diotec Semiconductor SONIX Astera WeEn LUXNET I-CHIPS Lontium NationalChip Azoteq Centec UltraSense ESMT Chrontel All Sensors MStar Quantenna NVIDIA POCO SK hynix Starpower Alliance Knowles SMARTsemi CEVA OMNIVISION ScioSense Lantronix SemiQ Kinetic Axelite GENESYS ICPlus UNISOC Littelfuse Lite-On APCE NIKO-SEM NICHTEK TXC WILLSEMI AMAZING PANJIT MACOM Hosonic Asmedia HUAWEI GaN Systems COSEL SkyHigh ATP Swissbit JL Bluetrum Motorcomm SEQUANS Wolfspeed Kingston Sensirion JAE KIOXIA SGMICRO United Chemi-Con I-PEX HIROSE Amphenol NOVOSENSE Mini-Circuits NICHICON MBI SOUTHCHIP WUQI Sinopower Rockchip ESPRESSIF MTK AOS VICOR MaxLinear NWATT SHINKO SHIMADEN Pushtechs Appotech Actions SiTime Richwave SanDisk NUVOTON VATICS AKM MAXIC AVX Entropic NS Excelitas Nexperia Wolfson Melexis Navitas EBYTE ISSI BES BYD AMS Hittite Bourns CUI Spansion CREE NORDIC Airoha AMD SMSC Semtech POWER OMRON Triquint RFMD IXYS Honeywell SANYO Explore Enpirion EPSON Ericsson ELAN IDT Allegro Cirrus NEC PHILIPS Microsemi Winbond FUJI Freescale FAIRCHILD IR Silvertel pSemi MST MXIC ANLOGIC BOSCH SIMCOM Qorvo FTDI InvenSense Molex Kionix GigaDevice AVAGO RICHTEK SILERGY ITE MPS SHARP Intersil Samtec Vitesse Marvell Diodes Lumissil MEMSIC PARADE TE LEM U-BLOX ALPS JRC PLX Micrel TDK

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

C3M0120100J

Produktbeschreibung:1000 В 120 мОм N-канальные МОП-транзисторы с улучшенным режимом работы, TO-263-7

пакет:TO-263-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E4D10120A

Produktbeschreibung:1200 В, 10 А Карбид кремния диод Шоттки

пакет:TO-220-2
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0075120D

Produktbeschreibung:1.2kV, 75mohm N- канальные усилительные SiC силовые MOSFET транзисторы

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0075120K

Produktbeschreibung:Карбид кремния N-канальные силовые MOSFET транзисторы с улучшенным режимом работы

пакет:TO-247-4
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E3M0032120K

Produktbeschreibung:N-канальные силовые МОП-транзисторы из карбида кремния с улучшенным режимом работы

пакет:TO-247-4
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E3M0032120J2

Produktbeschreibung:1200 В, 32 мОм Автомобильные карбидкремниевые силовые MOSFET транзисторы

пакет:TO-263-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E3M0075120J2

Produktbeschreibung:1200 В, 75 мОм карбид-кремниевые N-канальные МОП-транзисторы с улучшенным режимом работы

пакет:TO-263-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E3M0075120D

Produktbeschreibung:Автомобильные карбид-кремниевые N-канальные силовые MOSFET-транзисторы на 1,2 кВ, TO-247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E3M0120090J

Produktbeschreibung:900 В карбид кремния N-канальные силовые MOSFET транзисторы, TO-263-7

пакет:TO-263-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0065090J

Produktbeschreibung:900 В N-канальные МОП-транзисторы с улучшенным режимом работы, TO-263-7

пакет:TO-263-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0060065L

Produktbeschreibung:MOSFET SiC, МОП-транзистор, 60 мОм, 650 В, TOLL,T&R, промышленный

пакет:TOLL
10 шт.
12500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0045065L

Produktbeschreibung:Карбид кремния Силовой MOSFET C3MTM MOSFET Технология N-канальный режим усиления

пакет:TOLL
10 шт.
12500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GTVA262701FA-V2-R2

Produktbeschreibung:RF JFET транзистор 270W GaN HEMT 48V 2496 - 2690MHz

пакет:H-87265J-2
10 шт.
1100
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CCB016M12GM3T

Produktbeschreibung:1200 В, 16 мОм, карбид кремния, модуль из шести упаковок

пакет:MODULE
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
EAB450M12XM3

Produktbeschreibung:MOSFET - массив 1200 В (1,2 кВ) 450 А (Тс) монтаж на шасси

пакет:MODULE
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CAB011A12GM3T

Produktbeschreibung:1200 В, 11 мОм, карбид кремния, полумостовой модуль

пакет:MODULE
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler