Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

E4D10120A

Produktbeschreibung:1200 В, 10 А Карбид кремния диод Шоттки

пакет:TO-220-2
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0075120D

Produktbeschreibung:1.2kV, 75mohm N- канальные усилительные SiC силовые MOSFET транзисторы

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0075120K

Produktbeschreibung:Карбид кремния N-канальные силовые MOSFET транзисторы с улучшенным режимом работы

пакет:TO-247-4
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E3M0032120K

Produktbeschreibung:N-канальные силовые МОП-транзисторы из карбида кремния с улучшенным режимом работы

пакет:TO-247-4
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E3M0032120J2

Produktbeschreibung:1200 В, 32 мОм Автомобильные карбидкремниевые силовые MOSFET транзисторы

пакет:TO-263-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E3M0075120J2

Produktbeschreibung:1200 В, 75 мОм карбид-кремниевые N-канальные МОП-транзисторы с улучшенным режимом работы

пакет:TO-263-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E3M0075120D

Produktbeschreibung:Автомобильные карбид-кремниевые N-канальные силовые MOSFET-транзисторы на 1,2 кВ, TO-247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E3M0120090J

Produktbeschreibung:900 В карбид кремния N-канальные силовые MOSFET транзисторы, TO-263-7

пакет:TO-263-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0065090J

Produktbeschreibung:900 В N-канальные МОП-транзисторы с улучшенным режимом работы, TO-263-7

пакет:TO-263-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0060065L

Produktbeschreibung:MOSFET SiC, МОП-транзистор, 60 мОм, 650 В, TOLL,T&R, промышленный

пакет:TOLL
10 шт.
12500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0045065L

Produktbeschreibung:Карбид кремния Силовой MOSFET C3MTM MOSFET Технология N-канальный режим усиления

пакет:TOLL
10 шт.
12500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GTVA262701FA-V2-R2

Produktbeschreibung:RF JFET транзистор 270W GaN HEMT 48V 2496 - 2690MHz

пакет:H-87265J-2
10 шт.
1100
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CCB016M12GM3T

Produktbeschreibung:1200 В, 16 мОм, карбид кремния, модуль из шести упаковок

пакет:MODULE
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
EAB450M12XM3

Produktbeschreibung:MOSFET - массив 1200 В (1,2 кВ) 450 А (Тс) монтаж на шасси

пакет:MODULE
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CAB011A12GM3T

Produktbeschreibung:1200 В, 11 мОм, карбид кремния, полумостовой модуль

пакет:MODULE
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CBB032M12FM3T

Produktbeschreibung:MOSFET - массив 1200 В (1,2 кВ) 39 А (Tj) монтаж на шасси

пакет:MODULE
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler