Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Русский

Русский
中文

中文

 English

English

 日本語

日本語

sales@hkmjd.com

онлайн - сервис

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.
модель

VSC7427XJG-02 VSC7425XJG-02 88E6190-A0-TLA2C000

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

Интегральная схема (ИС)

Ethernet ИС интерфейса PCI PCIe Коммутатор Интерфейс - многопротокольный приемопередатчик Приемопередатчик линии электропередачи Петля с фазовой автоподстройкой - PLL Приемопередатчик с радиочастотной выборкой Преобразователь уровня логики Интерфейсная ИС - многоскоростной ретаймер Расширитель SAS Часы/Тиминг, Осцилляторы Часы/таймер - Нано-таймер Цифровой перекрестный переключатель Ультразвуковой приемопередатчик Часы/Тиминг - Линия задержки Контроллер считывания карт Логика - шлюзы и инверторы Передатчик Изолированный компаратор Высокоскоростной компаратор Интерфейс - многоскоростной таймер Контроллер USB Процессор сигналов ПЗС Фотометрические передние панели

БТИЗ-модуль

Модуль 2G Модуль 4G Модуль 5G IoT-модуль модуль новой энергии Автомобильный модуль Умный модуль модуль памяти Модуль сотовой связи IoT Модуль спутниковой связи Модуль GNSS Модули LPWA IoT-чипы Модули беспроводной связи

фильтр

SAW Фильтр BAW Фильтр Wi-Fi Фильтр 2,4 ГГц Wi-Fi полос пропуска фильтр Активный фильтр RF-фильтр Фильтры высоких частот Полосовой фильтр Wi-Fi 5 ГГц Полосовой фильтр Wi-Fi 6 ГГц

беспроводное соединение

Wi-Fi 6 ИС Bluetooth Bluetooth 5.1 Bluetooth 5.0 Bluetooth 5.2 Wi-Fi Чип Сверхширокополосная ИС UWB GNSS-приемник Wi-Fi 4 Модули WiFi Bluetooth Низкая энергия Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 Микросхемы беспроводных сетевых карт Модули Bluetooth Беспроводной модуль Wi-Fi Bluetooth аудио SoC

защита цепи

IC для подавления перенапряжения ESD подавители/TVS диоды Газоразрядные трубки - ГРТ / Газоплазменные ограничители TVS — гибридная технология

дискретный полупроводник

Транзистор - FET, MOSFET - Одиночный силовой модуль Радиочастотный транзистор Модули силовых MOSFET Модули FET из карбида кремния (SIC) Карбид кремния (SIC) FETs P-канал MOSFET Транзисторы - ВЧ-транзисторы, МОП-транзисторы Модули MOSFET Тиристор Модуль массива диодов МОП-транзистор N-канальные МОП-транзисторы Транзистор IGBT Диоды и выпрямители Диоды Шоттки и выпрямители Одиночные диоды Зенера Массивы биполярных транзисторов Модули силовых драйверов Диоды - Выпрямители - Одиночные Транзистор - FET, MOSFET - Массив Транзистор - IGBT - модуль Транзистор - UGBT, MOSFET - Одиночный

Управление питанием

ИС из нитрида галлия (GaN) LDO линейного стабилизатора напряжения контроллер AC - DC и стабилизатор напряжения продукты питания DC - DC эталон напряжения управление батареями Контроллер питания Ethernet (PoE)

Разъемы

Разъем USB Круглые разъемы Автомобильные разъемы Краевые разъемы карты Межплатные и мезонинные разъемы FFC, FPC (плоские гибкие) разъемы Разъемы объединительной панели Прямоугольные разъемы Коаксиальный разъем (РЧ) Прямоугольные разъемы — массив, край, мезонин (плата к плате)

Датчики

Датчики времени пролета Кондиционеры сигналов датчиков оптический датчик Датчики расхода Датчик влажности на плате Биометрические датчики Датчик скорости Датчик влажности Датчик тока эффекта Холла Ультразвуковой датчик Оптические датчики, фотодиоды Датчик влажности, чувствительный к влажности Оптические детекторы и датчики - инфракрасные детекторы Датчик температуры на плате Газовые датчики Датчики положения Промышленные радиолокационные датчики миллиметровых волн Автомобильные миллиметроволновые радарные датчики Датчик изображения Радиолокационный датчик Датчик движения-гироскоп Ультразвуковой приемник, передатчик (измерение расстояния) Сенсорный модуль Датчик давления

Память

NOR флеш оперативная память память с произвольным доступом статический случайный доступ к памяти SRAM синхронный динамический случайный доступ к памяти SDRAM F-RAM LPDDR5 uMCP EEPROM Твердотельные накопители - SSD Стандартная последовательная память EEPROM Последовательная память EEPROM автомобильного класса eMMC Псевдостатическая случайная память (PSRAM) Стираемое программируемое ПЗУ Флэш-память NAND Универсальное флэш-хранилище - UFS Динамическая память с произвольным доступом DRAM Память - модуль

Встраиваемые и сетевые процессоры

Автомобильный сетевой процессор Безопасные процессоры
Первая страница /Память/Динамическая память с произвольным доступом DRAM

бренд:

без ограничения Apple ST Cypress TI INFINEON Xilinx BROADCOM Altera QUALCOMM Maxim Atmel Intel ADI Microchip Renesas ON NXP TOSHIBA SAMSUNG SILICON Micron Lattice ROHM Murata REALTEK MITSUBISHI LT VISHAY Skyworks Panasonic Quectel Starpower Alliance Knowles SMARTsemi CEVA OMNIVISION ScioSense Lantronix SemiQ Kinetic Axelite GENESYS ICPlus UNISOC Littelfuse Lite-On APCE NIKO-SEM NICHTEK TXC WILLSEMI AMAZING PANJIT MACOM Hosonic Asmedia HUAWEI GaN Systems COSEL SkyHigh ATP Swissbit JL Bluetrum Motorcomm SEQUANS Wolfspeed Kingston Sensirion JAE KIOXIA SGMICRO United Chemi-Con I-PEX HIROSE Amphenol NOVOSENSE Mini-Circuits NICHICON MBI SOUTHCHIP WUQI Sinopower Rockchip ESPRESSIF MTK AOS VICOR MaxLinear NWATT SHINKO SHIMADEN Pushtechs Appotech Actions SiTime Richwave SanDisk NUVOTON VATICS AKM MAXIC AVX Entropic NS Excelitas Nexperia Wolfson Melexis Navitas EBYTE ISSI BES BYD AMS Hittite Bourns CUI Spansion CREE NORDIC Airoha AMD SMSC Semtech POWER OMRON Triquint RFMD IXYS Honeywell SANYO Explore Enpirion EPSON Ericsson ELAN IDT Allegro Cirrus NEC PHILIPS Microsemi Winbond FUJI Freescale FAIRCHILD IR Silvertel pSemi MST MXIC ANLOGIC BOSCH SIMCOM Qorvo FTDI InvenSense Molex Kionix GigaDevice AVAGO RICHTEK SILERGY ITE MPS SHARP Intersil Samtec Vitesse Marvell Diodes Lumissil MEMSIC PARADE TE LEM U-BLOX ALPS JRC PLX Micrel TDK

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

AS4C512M32MD4V-046BIN

AS4C512M32MD4V-046BIN

Alliance

Produktbeschreibung:Память 8 Гб 512M x 32 бит DRAM LPDDR4X

пакет:FBGA-200
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
AS4C512M16MD4V-053BIN

AS4C512M16MD4V-053BIN

Alliance

Produktbeschreibung:Память 8 Гб 512M x 16 бит DRAM LPDDR4X

пакет:FBGA-200
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
AS4C512M16D3LC-10BIN

AS4C512M16D3LC-10BIN

Alliance

Produktbeschreibung:Синхронная память DDR3L объемом 512 М x 16 бит

пакет:FBGA-96
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
AS4C512M16D4-75BIN

AS4C512M16D4-75BIN

Alliance

Produktbeschreibung:Память DDR4 512M x 16 бит DRAM

пакет:FBGA-96
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
AS4C256M16D3LC-12BCN

AS4C256M16D3LC-12BCN

Alliance

Produktbeschreibung:256M x 16 бит DDR3L синхронная память DRAM

пакет:FBGA-96
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
D0811PM2FDGUKW-U

D0811PM2FDGUKW-U

Kingston

Produktbeschreibung:Усилитель РЧ с усилением 10 дБ от 10 МГц до 11 ГГц с полосой 3 дБ от одностороннего до разностного

пакет:FBGA-200
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
Q6422XM3BDGVK-U

Q6422XM3BDGVK-U

Kingston

Produktbeschreibung:ИС динамической памяти с произвольным доступом (DRAM) с низким энергопотреблением 64 Гбит LPDDR4x

пакет:FBGA-200
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
D2516ECMDXGJDI-U

D2516ECMDXGJDI-U

Kingston

Produktbeschreibung:Динамическая память с произвольным доступом 4Gb 96-ball FBGA DDR3L 1866 IT

пакет:FBGA-96
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
K3LKBKB0BM-MGCP

K3LKBKB0BM-MGCP

SAMSUNG

Produktbeschreibung:ИС динамической памяти с произвольным доступом с низким энергопотреблением

пакет:315-FBGA
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
K4UCE3Q4AA-MGCL

K4UCE3Q4AA-MGCL

SAMSUNG

Produktbeschreibung:ИС динамической памяти 64 Гбит LPDDR4X для мобильных устройств

пакет:FBGA-200
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
K3LKDKD0CM-BGCP

K3LKDKD0CM-BGCP

SAMSUNG

Produktbeschreibung:ИС динамической памяти с произвольным доступом с низким энергопотреблением

пакет:496-FBGA
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
K4UCE3Q4AA-MGCR

K4UCE3Q4AA-MGCR

SAMSUNG

Produktbeschreibung:ИС динамической памяти 64 Гбит LPDDR4X для мобильных устройств

пакет:FBGA-200
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
K3LK7K70BM-JGCP

K3LK7K70BM-JGCP

SAMSUNG

Produktbeschreibung:ИС динамической памяти с произвольным доступом с низким энергопотреблением

пакет:441-FBGA
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
K3LK6K60BM-BGCP

K3LK6K60BM-BGCP

SAMSUNG

Produktbeschreibung:ИС динамической памяти с произвольным доступом с низким энергопотреблением

пакет:496-FBGA
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
K4U8E3S4AD-GUCL

K4U8E3S4AD-GUCL

SAMSUNG

Produktbeschreibung:ИС динамической памяти 8 Гбит LPDDR4X для мобильных устройств

пакет:FBGA-200
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
K3LK6K60BM-JUCP

K3LK6K60BM-JUCP

SAMSUNG

Produktbeschreibung:ИС динамической памяти с произвольным доступом с низким энергопотреблением

пакет:441-FBGA
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
всего 290 записи«Предыдущая страница1234...19Следующая страница»
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler