sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:Карбид Кремния (SiC) Диод
бренд:Wolfspeed
год выпуска:24+
пакет:TO-220-2
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 2000
E4D10120A - 1200 В, 10 А Карбид кремния диод Шоттки
Описание
Благодаря преимуществам диодов Шоттки с барьером из карбида кремния (SiC) системы силовой электроники могут соответствовать более высоким стандартам эффективности, чем решения на основе Si, а также достигать более высоких частот и плотности мощности. Диоды SiC можно легко распараллеливать для удовлетворения различных требований приложений, не опасаясь теплового пробоя. В сочетании со сниженными требованиями к охлаждению и улучшенными тепловыми характеристиками SiC-изделий SiC-диоды способны обеспечить снижение общей стоимости системы в самых разных приложениях.
Ключевые особенности
- Низкое падение прямого напряжения (VF) с положительным температурным коэффициентом
- Нулевой обратный ток восстановления / прямое напряжение восстановления
- Независимое от температуры поведение при переключении
- Квалифицированы для автомобильной промышленности (AEC Q101)
Области применения
- Промышленные источники питания с переключением режимов
- Источники бесперебойного питания и источники питания AUX
- Буст для КРМ и DC-DC каскадов
- Солнечные инверторы
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
Microchip
TO-247-3
3000
700 В, 50 А диод Шоттки с барьером (SBD) из карбида кремния (SiC), TO-247-3
Microchip
TO-247-2
3000
700 В, 50 А диод Шоттки с барьером (SBD) из карбида кремния (SiC), TO-247-2
Microchip
TO-247-2
3000
Диоды с барьером Шоттки (SBD) на 700 В из карбида кремния (SiC), TO-247-2
Microchip
TO-247-2
3000
Диоды с барьером Шоттки (SBD) из карбида кремния (SiC), 700 В, 24 А, TO-247-2
Microchip
TO-247-2
3000
700 В 30 А диоды Шоттки с барьером из карбида кремния (SiC), TO-247-2
Microchip
TO-220-2
3000
700 В 30 А диоды Шоттки с барьером из карбида кремния (SiC), TO-220-2
Microchip
D3PAK
3000
Диоды с барьером Шоттки (SBD) из карбида кремния (SiC) на 700 В 60 А, D3PAK
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Компания Wolfspeed (NYSE: NYSE) является лидером на рынке в области глобального внедрения технологий карбида кремния и GaN. Портфель продукции комп…
CAB6R0A23GM4T
CAB6R0A23GM4T - 2300 В, 6 мОм, корпус GM, полумостовой SiC-модуль питания с предварительно нанесенным термоинтерфейсным материалом.Характеристика CAB6…CAB7R5A23GM4T
CAB7R5A23GM4T - 2300 В, 7,5 мОм, корпус GM, полумостовой SiC-модуль питания с предварительно нанесенным термоинтерфейсным материалом.Характеристика CA…CAB5R0A23GM4T
CAB5R0A23GM4T - 2300 В, 5 мОм, корпус GM, полумостовой SiC-модуль питания с предварительно нанесенным термоинтерфейсным материалом.Характеристика CAB5…C3M0280090J
C3m02800000j — мосфит мощностью 900 V карбида кремния с широким электрическим расстоянием и расстоянием между утечкой и источником (~8 мм). Устрой…C3M0160120D
C3M0160120D основа на трет поколен графическ усилител технолог 12 ви, 160 м Ωm, 17 A карбид кремн усилител мощност, высок заблокирова напряжен, низк-…C3M0350120J
C3M0350120J основан на технологии MOSFET третьего поколения, мощностью 7,2 A карбида кремния с высоким блокирующим напряжением, низким электрическ…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: