Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

E4M0045075J2

Produktbeschreibung:750 V, 45 mΩ, 46 A, TO-263-7 инкапсуляц, разделен в четверт поколен карбид кремн усилител

пакет:TO-263-7
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0025075K1

Produktbeschreibung:750 В, 25 мОм, 80 А, карбид кремния, силовые MOSFET-транзисторы, TO-247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CAB760M12HM3R

Produktbeschreibung:Модуль питания 1200 В, 1,33 мОм с полумостовым распараллеливанием из карбида кремния

пакет:Модуль
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E3M0013120K

Produktbeschreibung:1200 V, 13 mΩ, TO-247-4 инкапсуляц, трет поколен карбид кремн усилител

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E3M0160120J2

Produktbeschreibung:Автомобильные карбидкремниевые MOSFET-транзисторы серии E на 1200 В, 160 мОм, 18 А

пакет:TO-263-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E3M0045065K

Produktbeschreibung:650 V, 45 mΩ, 46 A, TO-247-4 инкапсуляц, трет поколен карбид кремн усилител

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C2M1000170J

Produktbeschreibung:Дискретный SiC MOSFET 1700V 1000mΩ 5.3A Gen 2

пакет:TO-263-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E3M0160120K

Produktbeschreibung:1200 V, 160 mΩ, 17 A, TO-247-4 инкапсуляц, трет поколен карбид кремн усилител

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E3M0021120J2

Produktbeschreibung:1200 В, 21 мОм, 114 А Автомобильные карбидкремниевые MOSFET-транзисторы, TO-263-7

пакет:TO-263-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E3M0160120D

Produktbeschreibung:​1200 V, 160 mΩ, 17 A, TO-247-3 инкапсуляц, трет поколен карбид кремн усилител

пакет:TO-247-3
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0350120D

Produktbeschreibung:1200V 350mΩ 7.6A Gen 3 Дискретный SiC MOSFET

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CAS480M12HM3

Produktbeschreibung:1200 В, 2,29 мОм, 62 мм HM Высокопроизводительный полумостовой SiC-модуль питания

пакет:Модуль
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0120065J

Produktbeschreibung:650V 120mΩ 21A Gen 3 Дискретный SiC MOSFET

пакет:TO-263-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0075120J

Produktbeschreibung:1200V 75 mΩ 30A Gen 3 Дискретный SiC MOSFET

пакет:TO-263-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CAS175M12BM3

Produktbeschreibung:1200 В, 8 мОм полумостовой карбидокремниевый модуль питания

пакет:Модуль
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0060065J

Produktbeschreibung:650V 60mΩ 36A Gen 3 Дискретный SiC MOSFET

пакет:TO-263-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler