Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

бренд:

без ограничения Apple ST Cypress TI INFINEON Xilinx BROADCOM Altera QUALCOMM Maxim Atmel Intel ADI Microchip Renesas ON NXP TOSHIBA SAMSUNG SILICON Micron Lattice ROHM Murata REALTEK MITSUBISHI LT VISHAY Skyworks Panasonic Quectel Diotec Semiconductor SONIX Astera WeEn LUXNET I-CHIPS Lontium NationalChip Azoteq Centec UltraSense ESMT Chrontel All Sensors MStar Quantenna NVIDIA POCO SK hynix Starpower Alliance Knowles SMARTsemi CEVA OMNIVISION ScioSense Lantronix SemiQ Kinetic Axelite GENESYS ICPlus UNISOC Littelfuse Lite-On APCE NIKO-SEM NICHTEK TXC WILLSEMI AMAZING PANJIT MACOM Hosonic Asmedia HUAWEI GaN Systems COSEL SkyHigh ATP Swissbit JL Bluetrum Motorcomm SEQUANS Wolfspeed Kingston Sensirion JAE KIOXIA SGMICRO United Chemi-Con I-PEX HIROSE Amphenol NOVOSENSE Mini-Circuits NICHICON MBI SOUTHCHIP WUQI Sinopower Rockchip ESPRESSIF MTK AOS VICOR MaxLinear NWATT SHINKO SHIMADEN Pushtechs Appotech Actions SiTime Richwave SanDisk NUVOTON VATICS AKM MAXIC AVX Entropic NS Excelitas Nexperia Wolfson Melexis Navitas EBYTE ISSI BES BYD AMS Hittite Bourns CUI Spansion CREE NORDIC Airoha AMD SMSC Semtech POWER OMRON Triquint RFMD IXYS Honeywell SANYO Explore Enpirion EPSON Ericsson ELAN IDT Allegro Cirrus NEC PHILIPS Microsemi Winbond FUJI Freescale FAIRCHILD IR Silvertel pSemi MST MXIC ANLOGIC BOSCH SIMCOM Qorvo FTDI InvenSense Molex Kionix GigaDevice AVAGO RICHTEK SILERGY ITE MPS SHARP Intersil Samtec Vitesse Marvell Diodes Lumissil MEMSIC PARADE TE LEM U-BLOX ALPS JRC PLX Micrel TDK

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

C3M0060075K1

Produktbeschreibung:750 В, 60 мОм, 35 А, MOS Дискретные силовые МОП-транзисторы из карбида кремния, TO-247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E4M0045075J2

Produktbeschreibung:750 V, 45 mΩ, 46 A, TO-263-7 инкапсуляц, разделен в четверт поколен карбид кремн усилител

пакет:TO-263-7
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0025075K1

Produktbeschreibung:750 В, 25 мОм, 80 А, карбид кремния, силовые MOSFET-транзисторы, TO-247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CAB760M12HM3R

Produktbeschreibung:Модуль питания 1200 В, 1,33 мОм с полумостовым распараллеливанием из карбида кремния

пакет:Модуль
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E3M0013120K

Produktbeschreibung:1200 V, 13 mΩ, TO-247-4 инкапсуляц, трет поколен карбид кремн усилител

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E3M0160120J2

Produktbeschreibung:Автомобильные карбидкремниевые MOSFET-транзисторы серии E на 1200 В, 160 мОм, 18 А

пакет:TO-263-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E3M0045065K

Produktbeschreibung:650 V, 45 mΩ, 46 A, TO-247-4 инкапсуляц, трет поколен карбид кремн усилител

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C2M1000170J

Produktbeschreibung:Дискретный SiC MOSFET 1700V 1000mΩ 5.3A Gen 2

пакет:TO-263-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E3M0160120K

Produktbeschreibung:1200 V, 160 mΩ, 17 A, TO-247-4 инкапсуляц, трет поколен карбид кремн усилител

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E3M0021120J2

Produktbeschreibung:1200 В, 21 мОм, 114 А Автомобильные карбидкремниевые MOSFET-транзисторы, TO-263-7

пакет:TO-263-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E3M0160120D

Produktbeschreibung:​1200 V, 160 mΩ, 17 A, TO-247-3 инкапсуляц, трет поколен карбид кремн усилител

пакет:TO-247-3
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0350120D

Produktbeschreibung:1200V 350mΩ 7.6A Gen 3 Дискретный SiC MOSFET

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CAS480M12HM3

Produktbeschreibung:1200 В, 2,29 мОм, 62 мм HM Высокопроизводительный полумостовой SiC-модуль питания

пакет:Модуль
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0120065J

Produktbeschreibung:650V 120mΩ 21A Gen 3 Дискретный SiC MOSFET

пакет:TO-263-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0075120J

Produktbeschreibung:1200V 75 mΩ 30A Gen 3 Дискретный SiC MOSFET

пакет:TO-263-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CAS175M12BM3

Produktbeschreibung:1200 В, 8 мОм полумостовой карбидокремниевый модуль питания

пакет:Модуль
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler