Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

SAK-TC1791F-512F240EP AB

Produktbeschreibung:Микроконтроллерная ИС TriCore™ TC17xx 32-битная одноядерная 240 МГц 4 МБ (4M x 8) флэш-памяти

пакет:BGA
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKW50N65WR5

Produktbeschreibung:650 В, 50 А IGBT с антипараллельным диодом в корпусе TO-247

пакет:TO-247-3
10 шт.
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGLD65R080D2

Produktbeschreibung:650 В G5 GaN HEMT – транзистор нитрида галлия

пакет:PG-LSON-8
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGC033S10S1

Produktbeschreibung:GaN HEMT – транзистор из нитрида галлия 100 В G3, 2,4 м

пакет:PG-TSON-6
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGC033S101

Produktbeschreibung:GaN HEMT – транзистор из нитрида галлия 100 V G3, 2,4 м

пакет:PG-VSON-6
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGC025S08S1

Produktbeschreibung:GaN HEMT – транзистор нитрида галлия 86 A 80 V G3, 1.8 м

пакет:PG-TSON-6
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGC019S06S1

Produktbeschreibung:GaN HEMT – транзистор из нитрида галлия 99 A 60 V G3, 1.3 м

пакет:PG-TSON-6
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGC090S20S1

Produktbeschreibung:GaN HEMT – транзистор из нитрида галлия 43 A 200 V G3, 6,7 м

пакет:PG-TSON-6
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGC037S12S1

Produktbeschreibung:GaN HEMT – транзистор из нитрида галлия 71 A 120 V G3, 2.7m

пакет:PG-TSON-6
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGB110S10S1

Produktbeschreibung:GaN HEMT – транзистор из нитрида галлия 100 В G3, PQFN 3x3, 8 мОм

пакет:PG-TSON-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGB110S101

Produktbeschreibung:GaN HEMT – транзистор из нитрида галлия 100 В G3, PQFN 3x3, 8 мОм

пакет:PG-VSON-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGB070S10S1

Produktbeschreibung:GaN HEMT – транзистор из нитрида галлия 100 В G3, PQFN 3x3,5 мОм

пакет:PG-TSON-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGK080B041S

Produktbeschreibung:GaN HEMT – транзисторный двунаправленный переключатель нитрида галлия 40 В G3, 6 мОм

пакет:WLCSP-16
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF300R12KT4P

Produktbeschreibung:Модуль 1200В 300А с двумя IGBT

пакет:Модуль
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TLE9189QUW

Produktbeschreibung:MOTIX ™ TLE9189 Gate Drive IC для двигателя 12V BLDC

пакет:TQFP-48
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TLE9189QVW

Produktbeschreibung:MOTIX ™ TLE9189 Gate Drive IC для двигателя 12V BLDC

пакет:VQFN-48
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
всего 5101 записи«Предыдущая страница1234...319Следующая страница»
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler