sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:Карбид кремния диоды
бренд:Wolfspeed
год выпуска:24+
пакет:TO-220-2
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 1000
Дискретные диоды Шоттки C3D08060A на 600 В из карбида кремния (SiC) имеют конструкцию MPS (Merged PiN Schottky), которая является более прочной и надежной, чем стандартные диоды с барьером Шоттки.
Характеристики
Низкое падение прямого напряжения (Vf) в зависимости от температуры
Нулевой заряд обратного восстановления для быстрого переключения
Надежная технология MPS
Высокая блокирующая способность по обратному напряжению
Преимущества
Повышение эффективности системы за счет снижения потерь на проводимость
Обеспечивает работу на высокой частоте переключения
Повышение плотности мощности на уровне системы
Уменьшение размеров, веса и требований к охлаждению системы
Области применения
Промышленные источники питания
Серверы/телекоммуникации
Системы зарядки электромобилей
Системы хранения энергии (ESS)
Источники бесперебойного питания (ИБП)
Системы управления аккумуляторами (BMS)
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
Microchip
TO-247-3
3000
700 В, 50 А диод Шоттки с барьером (SBD) из карбида кремния (SiC), TO-247-3
Microchip
TO-247-2
3000
700 В, 50 А диод Шоттки с барьером (SBD) из карбида кремния (SiC), TO-247-2
Microchip
TO-247-2
3000
Диоды с барьером Шоттки (SBD) на 700 В из карбида кремния (SiC), TO-247-2
Microchip
TO-247-2
3000
Диоды с барьером Шоттки (SBD) из карбида кремния (SiC), 700 В, 24 А, TO-247-2
Microchip
TO-247-2
3000
700 В 30 А диоды Шоттки с барьером из карбида кремния (SiC), TO-247-2
Microchip
TO-220-2
3000
700 В 30 А диоды Шоттки с барьером из карбида кремния (SiC), TO-220-2
Microchip
D3PAK
3000
Диоды с барьером Шоттки (SBD) из карбида кремния (SiC) на 700 В 60 А, D3PAK
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Компания Wolfspeed (NYSE: NYSE) является лидером на рынке в области глобального внедрения технологий карбида кремния и GaN. Портфель продукции комп…
CAB6R0A23GM4T
CAB6R0A23GM4T - 2300 В, 6 мОм, корпус GM, полумостовой SiC-модуль питания с предварительно нанесенным термоинтерфейсным материалом.Характеристика CAB6…CAB7R5A23GM4T
CAB7R5A23GM4T - 2300 В, 7,5 мОм, корпус GM, полумостовой SiC-модуль питания с предварительно нанесенным термоинтерфейсным материалом.Характеристика CA…CAB5R0A23GM4T
CAB5R0A23GM4T - 2300 В, 5 мОм, корпус GM, полумостовой SiC-модуль питания с предварительно нанесенным термоинтерфейсным материалом.Характеристика CAB5…C3M0280090J
C3m02800000j — мосфит мощностью 900 V карбида кремния с широким электрическим расстоянием и расстоянием между утечкой и источником (~8 мм). Устрой…C3M0160120D
C3M0160120D основа на трет поколен графическ усилител технолог 12 ви, 160 м Ωm, 17 A карбид кремн усилител мощност, высок заблокирова напряжен, низк-…C3M0350120J
C3M0350120J основан на технологии MOSFET третьего поколения, мощностью 7,2 A карбида кремния с высоким блокирующим напряжением, низким электрическ…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: