Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

бренд:

без ограничения Apple ST Cypress TI INFINEON Xilinx BROADCOM Altera QUALCOMM Maxim Atmel Intel ADI Microchip Renesas ON NXP TOSHIBA SAMSUNG SILICON Micron Lattice ROHM Murata REALTEK MITSUBISHI LT VISHAY Skyworks Panasonic Quectel Diotec Semiconductor SONIX Astera WeEn LUXNET I-CHIPS Lontium NationalChip Azoteq Centec UltraSense ESMT Chrontel All Sensors MStar Quantenna NVIDIA POCO SK hynix Starpower Alliance Knowles SMARTsemi CEVA OMNIVISION ScioSense Lantronix SemiQ Kinetic Axelite GENESYS ICPlus UNISOC Littelfuse Lite-On APCE NIKO-SEM NICHTEK TXC WILLSEMI AMAZING PANJIT MACOM Hosonic Asmedia HUAWEI GaN Systems COSEL SkyHigh ATP Swissbit JL Bluetrum Motorcomm SEQUANS Wolfspeed Kingston Sensirion JAE KIOXIA SGMICRO United Chemi-Con I-PEX HIROSE Amphenol NOVOSENSE Mini-Circuits NICHICON MBI SOUTHCHIP WUQI Sinopower Rockchip ESPRESSIF MTK AOS VICOR MaxLinear NWATT SHINKO SHIMADEN Pushtechs Appotech Actions SiTime Richwave SanDisk NUVOTON VATICS AKM MAXIC AVX Entropic NS Excelitas Nexperia Wolfson Melexis Navitas EBYTE ISSI BES BYD AMS Hittite Bourns CUI Spansion CREE NORDIC Airoha AMD SMSC Semtech POWER OMRON Triquint RFMD IXYS Honeywell SANYO Explore Enpirion EPSON Ericsson ELAN IDT Allegro Cirrus NEC PHILIPS Microsemi Winbond FUJI Freescale FAIRCHILD IR Silvertel pSemi MST MXIC ANLOGIC BOSCH SIMCOM Qorvo FTDI InvenSense Molex Kionix GigaDevice AVAGO RICHTEK SILERGY ITE MPS SHARP Intersil Samtec Vitesse Marvell Diodes Lumissil MEMSIC PARADE TE LEM U-BLOX ALPS JRC PLX Micrel TDK

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

SCT4062KWATL

Produktbeschreibung:N-канальные SiC силовые МОПТ-транзисторы

пакет:TO-263-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT4045DWATL

Produktbeschreibung:N-канальные SiC силовые МОПТ-транзисторы

пакет:TO-263-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT4045DWAHRTL

Produktbeschreibung:Автомобильные N-канальные SiC силовые МОПТ-транзисторы

пакет:TO-263-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT4026DWATL

Produktbeschreibung:Силовые транзисторы mosfet на основе карбида кремния n-канального типа

пакет:TO-263-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT2H12NZGC11

Produktbeschreibung:Силовые транзисторы mosfet на основе карбида кремния n-канального типа, 1700 в, 3.7 а

пакет:TO-3PFM-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3017ALGC11

Produktbeschreibung:Силовые транзисторы mosfet на основе карбида кремния n-канального типа, 650 в, 118 а

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BSM600D12P4G103

Produktbeschreibung:Полный силовой модуль SiC с полумостовым траншеей MOS 1200V, 567A

пакет:Module
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BU97520AKV-ME2

Produktbeschreibung:Драйвер ЖК-дисплея 3wire+KEYOUT 2.7-6V VQFP80 Линия/кадр

пакет:VQFP-80
10 шт.
4000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGA80TSX2HRC11

Produktbeschreibung:1200V 69A Полевые траншейные IGBT транзисторы для автомобильной промышленности

пакет:TO-247N-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGA80TSX2EHRC11

Produktbeschreibung:1200V 69A Полевые траншейные IGBT транзисторы для автомобильной промышленности

пакет:TO-247N-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGA80TRX2HRC15

Produktbeschreibung:1200V 69A Полевые траншейные IGBT транзисторы для автомобильной промышленности

пакет:TO-247-4
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGA80TRX2EHRC15

Produktbeschreibung:1200V 69A Полевые траншейные IGBT транзисторы для автомобильной промышленности

пакет:TO-247-4
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BM3G007MUV-LBE2

Produktbeschreibung:Nano Cap, EcoGaN, 650V 70mΩ 2MHz GaN HEMT Power Level IC

пакет:VQFN-46
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3160KWATL

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) MOSFET (sic) поверхностный пролив N, 1200 V 17A (Tj) TO-263-7LA

пакет:TO-263-7
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3160KWAHRTL

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) MOSFET (sic) поверхностный пролив N, 1200 V 17A (Tc) TO-263-7LA

пакет:TO-263-7
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3060ARC15

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) тоннель N, 650 V 39A (Tj) 165W TO-247-4L

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
всего 207 записи«Предыдущая страница1234...13Следующая страница»
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler