Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

NCP57302DSADJR4G
ON

Produktbeschreibung:LDO-регулятор, 3 А, низкий уровень дренажа, высокий PSRR, быстрый переходный отклик

пакет:D2PAK-5
10 шт.
2412
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NCP45770IMN24TWG
ON

Produktbeschreibung:Выключатель нагрузки, встроенный, ecoSWITCH™, 3,6 мОм, 24 В, 20 А, отказоустойчивый

пакет:DFN-12
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVH4L032N065M3S
ON

Produktbeschreibung:Карбид кремния (Sic) MOSFET EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-4L

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH020P120MNF1PG
ON

Produktbeschreibung:Модули 1200 В 20 мОм из карбида кремния

пакет:Модуль
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FSBB10CH120DFL
ON

Produktbeschreibung:Интеллектуальный силовой модуль, 1200В, 10А

пакет:SPMMC-27
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AP0101AT2L00XPGA0-DR2
ON

Produktbeschreibung:1 MP, высокодинамический диапазон, подходящий процессор сигналов изображения для автомобилей

пакет:VFBGA-81
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTHL032N065M3S
ON

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-3L

пакет:TO-247-3
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTH4L032N065M3S
ON

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-4L

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTBG032N065M3S
ON

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, D2PAK-7L

пакет:D2PAK-7
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVBG032N065M3S
ON

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, D2PAK-7L

пакет:D2PAK-7
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMFWS1D5N08XT1G
ON

Produktbeschreibung:80В, 253 А, 1,5 мОм одноканальный MOSFET

пакет:DFNW-5
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVXK2VR80WXT2
ON

Produktbeschreibung:Трехфазный мостовой модуль карбида кремния (SiC) 1200V

пакет:APM-32
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH010P90MNF1PG
ON

Produktbeschreibung:10 мОм SiC M2 MOSFET, 900 В, топология полумоста 2-PACK, упаковка F1

пакет:Module
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH010P120M3F1PG
ON

Produktbeschreibung:Модуль MOSFET 10 mohm SiC M3S, 1200 В, топология полумоста 2-PACK, упаковка F1

пакет:PIM-18
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH008P120M3F1PG
ON

Produktbeschreibung:Модуль MOSFET 8 MΩ SiC M3S, 1200 В, топология полумоста 2-PACK, упаковка F1

пакет:PIM-18
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH008P120M3F1PTG
ON

Produktbeschreibung:Модуль MOSFET 8 MΩ SiC M3S, 1200 В, топология полумоста 2-PACK, упаковка F1

пакет:PIM-18
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
всего 1514 записи«Предыдущая страница1234...95Следующая страница»
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler