Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

CAB530M12BM3

Produktbeschreibung:1200 В 2,67 мОм 62 мм полумостовой SiC модуль питания

пакет:Модуль
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E6D16065H

Produktbeschreibung:650 V, 16 A, TO-247-2 инкапсуляторы, шестое поколение разделило карбид кремния

пакет:TO-247-2
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CAB450M12XM3

Produktbeschreibung:1200 В 2,6 мОм XM3 полумостовой SiC модуль питания

пакет:Модуль
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C6D25170H

Produktbeschreibung:​Диоды Шоттки на 1700 В, 25 А, карбид кремния (SiC), TO-247-2

пакет:TO-247-2
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3D08060A

Produktbeschreibung:Дискретный SiC диод Шоттки на 600 В 8 А поколения 3

пакет:TO-220-2
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E6D16065G

Produktbeschreibung:650 V, 16 A, TO-263-2 инкапсуляторы, шестое поколение разделило карбид кремния шотки

пакет:TO-263-2
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CAS530M12BM3

Produktbeschreibung:1200 В 2,67 мОм 62 мм полумостовой SiC модуль питания

пакет:Модуль
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C6D05170H

Produktbeschreibung:​Диоды Шоттки на 1700 В, 5 А, карбид кремния (SiC), TO-247-2

пакет:TO-247-2
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E6D16065A

Produktbeschreibung:650 V, 16 A, TO-220-2 инкапсуляторы, шестое поколение разделило карбид кремния

пакет:TO-220-2
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0016120K

Produktbeschreibung:1200 В, 16 мОм, 115 А Дискретные МОП-транзисторы из карбида кремния (SiC), TO-247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0015065K

Produktbeschreibung:​Дискретные МОП-транзисторы на 650 В из карбида кремния в корпусе TO-247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C2M0045170P

Produktbeschreibung:1,7 кВ SiC N-канальные МОП-транзисторы с улучшенным режимом работы, TO-247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
WAB300M12BM3

Produktbeschreibung:Полумостовой модуль 1200 В, 300 А из карбида кремния

пакет:Модуль
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0065100J

Produktbeschreibung:1000 В N-канальные МОП-транзисторы с улучшенным режимом работы, TO-263-7

пакет:TO-263-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0160120J

Produktbeschreibung:1200V SiC Power MOSFET C3M™ MOSFET Transistors, TO-263-7

пакет:TO-263-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0120100J

Produktbeschreibung:1000 В 120 мОм N-канальные МОП-транзисторы с улучшенным режимом работы, TO-263-7

пакет:TO-263-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler