Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

бренд:

без ограничения Apple ST Cypress TI INFINEON Xilinx BROADCOM Altera QUALCOMM Maxim Atmel Intel ADI Microchip Renesas ON NXP TOSHIBA SAMSUNG SILICON Micron Lattice ROHM Murata REALTEK MITSUBISHI LT VISHAY Skyworks Panasonic Quectel Diotec Semiconductor SONIX Astera WeEn LUXNET I-CHIPS Lontium NationalChip Azoteq Centec UltraSense ESMT Chrontel All Sensors MStar Quantenna NVIDIA POCO SK hynix Starpower Alliance Knowles SMARTsemi CEVA OMNIVISION ScioSense Lantronix SemiQ Kinetic Axelite GENESYS ICPlus UNISOC Littelfuse Lite-On APCE NIKO-SEM NICHTEK TXC WILLSEMI AMAZING PANJIT MACOM Hosonic Asmedia HUAWEI GaN Systems COSEL SkyHigh ATP Swissbit JL Bluetrum Motorcomm SEQUANS Wolfspeed Kingston Sensirion JAE KIOXIA SGMICRO United Chemi-Con I-PEX HIROSE Amphenol NOVOSENSE Mini-Circuits NICHICON MBI SOUTHCHIP WUQI Sinopower Rockchip ESPRESSIF MTK AOS VICOR MaxLinear NWATT SHINKO SHIMADEN Pushtechs Appotech Actions SiTime Richwave SanDisk NUVOTON VATICS AKM MAXIC AVX Entropic NS Excelitas Nexperia Wolfson Melexis Navitas EBYTE ISSI BES BYD AMS Hittite Bourns CUI Spansion CREE NORDIC Airoha AMD SMSC Semtech POWER OMRON Triquint RFMD IXYS Honeywell SANYO Explore Enpirion EPSON Ericsson ELAN IDT Allegro Cirrus NEC PHILIPS Microsemi Winbond FUJI Freescale FAIRCHILD IR Silvertel pSemi MST MXIC ANLOGIC BOSCH SIMCOM Qorvo FTDI InvenSense Molex Kionix GigaDevice AVAGO RICHTEK SILERGY ITE MPS SHARP Intersil Samtec Vitesse Marvell Diodes Lumissil MEMSIC PARADE TE LEM U-BLOX ALPS JRC PLX Micrel TDK

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

C6D50065H

Produktbeschreibung:650 В, 50 А Диод Шоттки из карбида кремния (SiC), TO-247-2

пакет:TO-247-2
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CAB530M12BM3

Produktbeschreibung:1200 В 2,67 мОм 62 мм полумостовой SiC модуль питания

пакет:Модуль
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E6D16065H

Produktbeschreibung:650 V, 16 A, TO-247-2 инкапсуляторы, шестое поколение разделило карбид кремния

пакет:TO-247-2
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CAB450M12XM3

Produktbeschreibung:1200 В 2,6 мОм XM3 полумостовой SiC модуль питания

пакет:Модуль
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C6D25170H

Produktbeschreibung:​Диоды Шоттки на 1700 В, 25 А, карбид кремния (SiC), TO-247-2

пакет:TO-247-2
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3D08060A

Produktbeschreibung:Дискретный SiC диод Шоттки на 600 В 8 А поколения 3

пакет:TO-220-2
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E6D16065G

Produktbeschreibung:650 V, 16 A, TO-263-2 инкапсуляторы, шестое поколение разделило карбид кремния шотки

пакет:TO-263-2
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CAS530M12BM3

Produktbeschreibung:1200 В 2,67 мОм 62 мм полумостовой SiC модуль питания

пакет:Модуль
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C6D05170H

Produktbeschreibung:​Диоды Шоттки на 1700 В, 5 А, карбид кремния (SiC), TO-247-2

пакет:TO-247-2
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E6D16065A

Produktbeschreibung:650 V, 16 A, TO-220-2 инкапсуляторы, шестое поколение разделило карбид кремния

пакет:TO-220-2
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0016120K

Produktbeschreibung:1200 В, 16 мОм, 115 А Дискретные МОП-транзисторы из карбида кремния (SiC), TO-247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0015065K

Produktbeschreibung:​Дискретные МОП-транзисторы на 650 В из карбида кремния в корпусе TO-247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C2M0045170P

Produktbeschreibung:1,7 кВ SiC N-канальные МОП-транзисторы с улучшенным режимом работы, TO-247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
WAB300M12BM3

Produktbeschreibung:Полумостовой модуль 1200 В, 300 А из карбида кремния

пакет:Модуль
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0065100J

Produktbeschreibung:1000 В N-канальные МОП-транзисторы с улучшенным режимом работы, TO-263-7

пакет:TO-263-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0160120J

Produktbeschreibung:1200V SiC Power MOSFET C3M™ MOSFET Transistors, TO-263-7

пакет:TO-263-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler