Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

C3M0025065L

Produktbeschreibung:650 В, 25 мОм, 77 А Карбид кремния Силовой MOSFET транзистор, TOLL-8

пакет:TOLL-8
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0040120J2

Produktbeschreibung:1200 V, 40 mΩ, 63 A, TO-263-7 инкапсуляц, трет поколен карбид кремн усилител

пакет:TO-263-7
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0160120K1

Produktbeschreibung:1200 V, 160 mΩ, 17 A, TO-247-3 инкапсуляц, трет поколен карбид кремн усилител

пакет:TO-247-3
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0075120J2

Produktbeschreibung:1200 V, 75 mΩ, 34 A, TO-263-7 инкапсуляц, трет поколен карбид кремн усилител

пакет:TO-263-7
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0075120K1

Produktbeschreibung:1200 V, 75 mΩ, 32 A, TO-247-4 инкапсуляц, трет поколен карбид кремн усилител

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0032120J2

Produktbeschreibung:1200 V, 32 mΩ, 74 A, TO-263-7 инкапсуляц, трет поколен карбид кремн усилител

пакет:TO-263-7
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0032120K1

Produktbeschreibung:1200 V, 32 mΩ, 63 A, TO-247-4 инкапсуляц, трет поколен карбид кремн усилител

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E4M0015075K1

Produktbeschreibung:750 V, 15 mΩ, 128 A, TO-247-4 инкапсуляц, разделен в четверт поколен карбид кремн усилител

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E4M0015075J2

Produktbeschreibung:750 V, 15 mΩ, 156 A, TO-263-7 инкапсуляц, разделен в четверт поколен карбид кремн усилител

пакет:TO-263-7
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E4M0025075K1

Produktbeschreibung:750 V, 25 mΩ, 80 A, TO-247-4 инкапсуляц, разделен в четверт поколен карбид кремн усилител

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E4M0025075J2

Produktbeschreibung:750 V, 25 mΩ, 84 A, TO-263-7 инкапсуляц, разделен в четверт поколен карбид кремн усилител

пакет:TO-263-7
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0120065L

Produktbeschreibung:650 В, 120 мОм, 21 А Карбид кремния MOSFET транзистор, TOLL-9

пакет:TOLL-9
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0120065K

Produktbeschreibung:650 В, 120 мОм, 22 А, силовой MOSFET-транзистор из карбида кремния, TO-247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0120065D

Produktbeschreibung:650 В, 120 мОм, 22 А, силовой MOSFET-транзистор из карбида кремния, TO-247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0021120J2

Produktbeschreibung:1200 В, E-серия Автомобильные карбидкремниевые силовые MOSFET-транзисторы, TO-263-7

пакет:TO-263-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0060075K1

Produktbeschreibung:750 В, 60 мОм, 35 А, MOS Дискретные силовые МОП-транзисторы из карбида кремния, TO-247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler