Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

CAB6R0A23GM4T

Produktbeschreibung:2300 В 6,0 мОм Модуль полумоста из карбида кремния

пакет:Модуль
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CAB7R5A23GM4T

Produktbeschreibung:2300 В 7,5 мОм Модуль полумоста из карбида кремния

пакет:Модуль
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CAB5R0A23GM4T

Produktbeschreibung:2300 В 5,0 мОм Модуль полумоста из карбида кремния

пакет:Модуль
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0280090J

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) N канал MOSFET 900 V 11A (Tc) 50W (Tc) TO-263-7

пакет:TO-263-7
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0160120D

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) тонкое отверстие N, канал 1200 V 17A (Tc) 97W (Tc) TO-247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0350120J

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) N канал 1200 V 7.2A (Tc) 40,8 W (Tc) TO-263-7

пакет:TO-263-7
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C2M0080120D

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) тонкое отверстие N, канал 1200 V 36A (Tc) 192W (Tc) TO-247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C2M0025120D

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) тонкое отверстие N, канал 1200 V 90A (Tc) 463W (Tc) TO-247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0016120K1

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) тонкое отверстие N, канал 1200 V 115A (Tc) 556W (Tc) TO-247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0040120K1

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) тонкое отверстие N, канал 1200 V 66A (Tc) 326W (Tc) TO-247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0040120D

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) тонкое отверстие N, канал 1200 V 66A (Tc) 326W (Tc) TO-247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0015065D

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC), тоннель N, 650 V 120A (Tc) 416W (Tc) TO-247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0065100K

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC), открытый N канал 1000 V 35A (Tc) 113,5 W (Tc) TO-247-4L

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0065090D

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) тонкое отверстие N, канал 900 V 36A (Tc) 125W (Tc) TO-247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C2M0045170D

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC), открытый N канал 1700 V 72A (Tc) 520W (Tc) TO-247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0021120K1

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) тонкое отверстие N, канал 1200 V 100A (Tc) 469W (Tc) TO-247-4L

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
всего 143 записи«Предыдущая страница1234...9Следующая страница»
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler