Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

E3M0021120K

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) тонкое отверстие N, канал 1200 V 104A (Tc) 405W (Tc) TO-247-4L

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E3M0075120K

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) тонкое отверстие N, канал 1200 V 32A (Tc) 145W (Tc) TO-247-4L

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E4M0013120K

Produktbeschreibung:Карбид кремн (SiC) усилител 12 ви, 13 м Ωm, 153 A, TO - 247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C2M0280120D

Produktbeschreibung:Карбид кремния MOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 280 mOhm

пакет:TO-247-3
10 шт.
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E3M0060065D

Produktbeschreibung:650 В, 60 мОм, 37 А Кремниевые карбидные силовые MOSFET-транзисторы в корпусе TO-247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E3M0060065K

Produktbeschreibung:650 В, 60 мОм, 37 А Кремниевые карбидные силовые MOSFET-транзисторы в корпусе TO-247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0045065D

Produktbeschreibung:650V, 45mΩ, 49A Кремниевые карбидные силовые MOSFET транзисторы в корпусе TO-247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0045065J1

Produktbeschreibung:650 В, 45 мОм, 47 А, Карбид кремния Силовые MOSFET транзисторы TO-263-7

пакет:TO-263-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0040120J1

Produktbeschreibung:1200 В, 40 мОм, 64 А, карбид кремния Силовые MOSFET транзисторы TO-263-7

пакет:TO-263-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0040120K

Produktbeschreibung:1200 В, 40 мОм, 66 А, карбид кремния Силовые MOSFET транзисторы TO-247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E3M0040120K

Produktbeschreibung:1200 В, 40 мОм, 57 А, карбид кремния Силовые MOSFET транзисторы TO-247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E3M0040120J2

Produktbeschreibung:1200 В, 40 мОм, 63 А, Карбид кремния Силовые MOSFET транзисторы TO-263-7

пакет:TO-263-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E4D20120D

Produktbeschreibung:1200V E-серия Автомобильный карбид кремния диод Шоттки TO-247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E4D20120A

Produktbeschreibung:1200V E-серия Автомобильный карбид кремния диод Шоттки TO-220-2

пакет:TO-220-2
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0025065J1

Produktbeschreibung:650 В, 25 мОм, 80 А Силовые MOSFET-транзисторы из карбида кремния в корпусе TO-263-7

пакет:TO-263-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0025065K

Produktbeschreibung:650 В, 25 мОм, 97 А Дискретный силовой MOSFET-транзистор из карбида кремния, TO-247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler