sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
бренд:
рисунок продукции
тип
марка
описание параметров
количество заказа
запасы
количество покупки
единичная цена
операция
Produktbeschreibung:OptiMOSTM6 Силовой транзистор, 100 В
пакет:PG-TTFN-9Produktbeschreibung:МОП-транзисторы CoolSiC™ в корпусе TO-263-7 1200 В G2
пакет:TO-263-7Produktbeschreibung:МОП-транзисторы CoolSiC™ в корпусе TO-263-7 1200 В G2
пакет:TO-263-7Produktbeschreibung:МОП-транзисторы CoolSiC™ в корпусе TO-263-7 1200 В G2
пакет:TO-263-7Produktbeschreibung:МОП-транзисторы CoolSiC™ в корпусе TO-263-7 1200 В G2
пакет:TO-263-7Produktbeschreibung:МОП-транзисторы CoolSiC™ в корпусе TO-263-7 1200 В G2
пакет:TO-263-7Produktbeschreibung:МОП-транзисторы производства CoolSiC™ в корпусе TO-263-7 1200 В G2
пакет:TO-263-7Produktbeschreibung:МОП-транзисторы CoolSiC™ в корпусе TO-263-7 1200 В G2
пакет:TO-263-7Produktbeschreibung:МОП-транзисторы CoolSiC™ в корпусе TO-263-7 1200 В G2
пакет:TO-263-7Produktbeschreibung:МОП-транзисторы CoolSiC™ в корпусе TO-263-7 1200 В G2
пакет:TO-263-7Produktbeschreibung:MOSFET - Power, Single N-Channel 40V, 1.3mΩ
пакет:8-PowerTDFNProduktbeschreibung:MOSFET - Power, Single N-Channel 80V, 9.5mΩ
пакет:8-WDFNProduktbeschreibung:MOSFET - силовой, двойной, N-канальный, для защиты литий-ионных аккумуляторов на 1-2 ячейки
пакет:WLCSP-6Produktbeschreibung:Силовой MOSFET, N-канальный, SUPERFET® II, 600 В, 199 мОм, TO-220F
пакет:TO-220-3Produktbeschreibung:MOSFET - Power, Single N-Channel 80V, 2.8mΩ
пакет:8-PowerTDFNProduktbeschreibung:MOSFET - Power, Single N-Channel 40V, 1.4mΩ
пакет:8-PowerTDFNконтактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: