Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

Сеть резисторов

бренд:

без ограничения Apple ST Cypress TI INFINEON Xilinx BROADCOM Altera QUALCOMM Maxim Atmel Intel ADI Microchip Renesas ON NXP TOSHIBA SAMSUNG SILICON Micron Lattice ROHM Murata REALTEK MITSUBISHI LT VISHAY Skyworks Panasonic Quectel NANYA FUJITSU OSRAM ASPEED Diotec Semiconductor SONIX Astera WeEn LUXNET I-CHIPS Lontium NationalChip Azoteq Centec UltraSense ESMT Chrontel All Sensors MStar Quantenna NVIDIA POCO SK hynix Starpower Alliance Knowles SMARTsemi CEVA OMNIVISION ScioSense Lantronix SemiQ Kinetic Axelite GENESYS ICPlus UNISOC Littelfuse Lite-On APCE NIKO-SEM NICHTEK TXC WILLSEMI AMAZING PANJIT MACOM Hosonic Asmedia HUAWEI GaN Systems COSEL SkyHigh ATP Swissbit JL Bluetrum Motorcomm SEQUANS Wolfspeed Kingston Sensirion JAE KIOXIA SGMICRO United Chemi-Con I-PEX HIROSE Amphenol NOVOSENSE Mini-Circuits NICHICON MBI SOUTHCHIP WUQI Sinopower Rockchip ESPRESSIF MTK AOS VICOR MaxLinear NWATT SHINKO SHIMADEN Pushtechs Appotech Actions SiTime Richwave SanDisk NUVOTON VATICS AKM MAXIC AVX Entropic NS Excelitas Nexperia Wolfson Melexis Navitas EBYTE ISSI BES BYD AMS Hittite Bourns CUI Spansion CREE NORDIC Airoha AMD SMSC Semtech POWER OMRON Triquint RFMD IXYS Honeywell SANYO Explore Enpirion EPSON Ericsson ELAN IDT Allegro Cirrus NEC PHILIPS Microsemi Winbond FUJI Freescale FAIRCHILD IR Silvertel pSemi MST MXIC ANLOGIC BOSCH SIMCOM Qorvo FTDI InvenSense Molex Kionix GigaDevice AVAGO RICHTEK SILERGY ITE MPS SHARP Intersil Samtec Vitesse Marvell Diodes Lumissil MEMSIC PARADE TE LEM U-BLOX ALPS JRC PLX Micrel TDK

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

IXFH60N65X2-4

Produktbeschreibung:Сквозной отверстие N-канал 650 В 60 А (Tc) 780 Вт (Tc) TO-247-4L

пакет:TO-247-4
10 шт.
3360
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DLA60I1200HA

Produktbeschreibung:Низковольтный стандартный выпрямитель

пакет:TO-247-2
10 шт.
8500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IXFH60N50P3

Produktbeschreibung:Канал N со сквозным отверстием 500 В 60 А (Тс) 1040 Вт (Тс) TO-247AD (IXFH)

пакет:TO-247-3
10 шт.
20000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IXGH28N60B3D1

Produktbeschreibung:Биполярный транзистор с изолированными воротами (IGBT) PT 600 V 66 A 190 W через отверстие TO-247AD

пакет:TO-247AD
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IXXK100N60B3H1

Produktbeschreibung:Биполярный транзистор с изолированными воротами (IGBT) PT 600 V 200 A 695 W через отверстие TO-264

пакет:TO-264-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IXYK85N120C4H1

Produktbeschreibung:Биполярный транзистор с изолированными воротами (IGBT) XPT Gen4 1200V 85A TO-264

пакет:TO-264-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IXYH40N120B4H1

Produktbeschreibung:Биполярный транзистор с изолированными воротами (IGBT) XPT Gen4 1200V 40A TO247

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IXYN180N65A5

Produktbeschreibung:Модуль IGBT 650V, 180A, XPT Gen5 A5 IGBT в SOT-227

пакет:SOT-227B
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IXYK220N65A5

Produktbeschreibung:Биполярный транзистор с изолированными воротами (IGBT) 650V, 220A, XPT Gen5 A5 IGBT в TO-264

пакет:TO-264-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IXA37IF1200HJ

Produktbeschreibung:Биполярный транзистор с изолированными воротами (IGBT) XPT 1200V IGBT GenX3

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IXFX230N20T

Produktbeschreibung:Сквозное отверстие N-канал 200 В 230A (Tc) 1670 Вт (Tc) PLUS247™-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
VUO36-16NO8

Produktbeschreibung:Мостовой выпрямитель Трехфазный стандарт 1,6 кВ QC Terminal FO-B

пакет:FO-B-5
10 шт.
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IXSH80N120L2KHV

Produktbeschreibung:Мощный транзистор MOSFET из карбида кремния 1200 В

пакет:TO-247-4L
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IXSH40N120L2KHV

Produktbeschreibung:Мощный транзистор MOSFET из карбида кремния 1200 В

пакет:TO-247-4L
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IXSA80N120L2-7

Produktbeschreibung:Мощный транзистор MOSFET из карбида кремния 1200 В

пакет:TO-263-7L
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IXSA40N120L2-7

Produktbeschreibung:Мощный транзистор MOSFET из карбида кремния 1200 В

пакет:TO-263-7L
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
всего 130 записи«Предыдущая страница1234...9Следующая страница»
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler