Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

Датчики

Датчик скорости Датчик влажности Датчик тока эффекта Холла Ультразвуковой датчик Оптические датчики - датчики освещенности, инфракрасные датчики, ультрафиолетовые датчики Оптические датчики, фотодиоды Датчик влажности, чувствительный к влажности Оптические детекторы и датчики - инфракрасные детекторы Датчик температуры на плате Оптические датчики - окружающее освещение Газовые датчики Датчики положения Промышленные радиолокационные датчики миллиметровых волн Автомобильные миллиметроволновые радарные датчики Датчик изображения Радиолокационный датчик Датчик движения-гироскоп Ультразвуковой приемник, передатчик (измерение расстояния) Оптические датчики - Отражающие - Логический выход Сенсорный модуль Датчик давления Текущие датчики Емкостные сенсорные датчики Интерфейс "плата-машина" Датчики эффекта Холла/магнитные датчики

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

UJ4C075060L8SSB

Produktbeschreibung:750 В 58 мОм SiC FET транзисторы

пакет:MO-229-8
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ4C075060L8SSR

Produktbeschreibung:750 В 58 мОм SiC FET транзисторы

пакет:MO-229-8
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ4C075044L8SSB

Produktbeschreibung:750 В 44 мОм SiC FET транзисторы

пакет:MO-229-8
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ4C075044L8SSR

Produktbeschreibung:750 В 44 мОм SiC FET транзисторы

пакет:MO-229-8
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ4C075033L8SSR

Produktbeschreibung:750 В 33 мОм SiC FET транзисторы

пакет:MO-229-8
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ4C075033L8SSB

Produktbeschreibung:750 В 33 мОм SiC FET транзисторы

пакет:MO-229-8
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ4C075023L8SSR

Produktbeschreibung:Транзисторы SiC FET 750V 23mohm

пакет:MO-229-8
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ4C075023L8SSB

Produktbeschreibung:Транзисторы SiC FET 750V 23mohm

пакет:MO-229-8
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ4SC075010L8SSB

Produktbeschreibung:SiC FET транзисторы 750 В, 10,7 мОм

пакет:MO-229-8
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ4SC075010L8SSR

Produktbeschreibung:SiC FET транзисторы 750 В, 10,7 мОм

пакет:MO-229-8
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UF4SC120030B7SSR

Produktbeschreibung:1200 В, 30 мОм G4 SiC FET Дискретные транзисторы

пакет:D2PAK-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UF4SC120030B7SSB

Produktbeschreibung:1200 В, 30 мОм G4 SiC FET Дискретные транзисторы

пакет:D2PAK-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UF4SC120030B7S

Produktbeschreibung:1200 В, 30 мОм G4 SiC FET Дискретные транзисторы

пакет:D2PAK-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UF4SC120023B7SSB

Produktbeschreibung:MOSFET 1200V, 23mΩ G4 SiC FET транзисторы

пакет:D2PAK-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UF4SC120023B7SSR

Produktbeschreibung:MOSFET 1200V, 23mΩ G4 SiC FET транзисторы

пакет:D2PAK-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UF4SC120023B7S

Produktbeschreibung:MOSFET 1200V, 23mΩ G4 SiC FET транзисторы

пакет:D2PAK-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
всего 35 записи«Предыдущая страница123Следующая страница»
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler