Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

IKW50N65WR5

Produktbeschreibung:650 В, 50 А IGBT с антипараллельным диодом в корпусе TO-247

пакет:TO-247-3
10 шт.
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGD03N120S7

Produktbeschreibung:IGBT-транзисторы 1200 В 3 А

пакет:PG-TO252-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKWH30N67PR7

Produktbeschreibung:Транзистор 670V, 30A, TRENCHSTOP™ IGBT7 PR7, TO-247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGZ50N65H5

Produktbeschreibung:650 В, 85 А, 273 Вт, TrenchStop™ 5 IGBT-транзистор, TO-247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FGY140T120SWD
ON

Produktbeschreibung:1200 В, 140 А, IGBT Field Stop - IGBT транзистор, сквозное отверстие

пакет:TO-247-3
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGA80TSX2HRC11

Produktbeschreibung:1200V 69A Полевые траншейные IGBT транзисторы для автомобильной промышленности

пакет:TO-247N-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGA80TSX2EHRC11

Produktbeschreibung:1200V 69A Полевые траншейные IGBT транзисторы для автомобильной промышленности

пакет:TO-247N-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGA80TRX2HRC15

Produktbeschreibung:1200V 69A Полевые траншейные IGBT транзисторы для автомобильной промышленности

пакет:TO-247-4
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGA80TRX2EHRC15

Produktbeschreibung:1200V 69A Полевые траншейные IGBT транзисторы для автомобильной промышленности

пакет:TO-247-4
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DG75H12T2

Produktbeschreibung:1200V 75A Однофазный полумостовой IGBT силовой транзистор

пакет:T2
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DG50H12T2

Produktbeschreibung:1200В 50А Однофазный полумостовой IGBT силовой транзистор

пакет:T2
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DG40H12T2

Produktbeschreibung:1200V 40A Однофазный полумостовой IGBT силовой транзистор

пакет:T2
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DG140A12TCFS

Produktbeschreibung:1200V 140A Однофазный полумостовой IGBT силовой транзистор

пакет:T2
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DG40A12TCFS

Produktbeschreibung:1200V 40A Однофазный полумостовой IGBT силовой транзистор

пакет:T2
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DG40A12TALD

Produktbeschreibung:1200V 40A Однофазный полумостовой IGBT силовой транзистор

пакет:T2
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DG40A12TAFS

Produktbeschreibung:1200V 40A Однофазный полумостовой IGBT силовой транзистор

пакет:T2
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
всего 514 записи«Предыдущая страница1234...33Следующая страница»
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler