Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

Встраиваемые и сетевые процессоры

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

STG200G65FD8AG
ST

Produktbeschreibung:По состоянию на конец IGBT-рифт-поля, 650 V, 200 A-липучка SMD

пакет:SMD
10 шт.
3222
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STGD4H60DF
ST

Produktbeschreibung:IGBT канавка полевого отсека 600 В 8 А 75 Вт тип поверхностного монтажа DPAK

пакет:TO-252
10 шт.
3222
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STGWA40H65FB
ST

Produktbeschreibung:IGBT-канальная линия имеет предел в 650 V, 80 A, 283 W-тоннель TO-247

пакет:TO-247-3
10 шт.
3222
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKY120N65EH7XKSA1

Produktbeschreibung:650 В, 120 А IGBT с антипараллельным диодом в корпусе TO-247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKB30N65ES5ATMA1

Produktbeschreibung:Траншея IGBT с полевым затвором 650V 62A 188W поверхностный монтаж PG-TO263-3

пакет:TO-263-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKB30N65EH5ATMA1

Produktbeschreibung:IGBT Траншея полевой упор 650V 55A 188W поверхностный монтаж PG-TO263-3

пакет:TO-263-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGS60NL65DHRBTL

Produktbeschreibung:IGBT-транзисторы с полевой остановкой 650V 59A 228W поверхностного монтажа TO-263L

пакет:TO-263-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGS60NL65HRBTL

Produktbeschreibung:IGBT-транзисторы с полевой остановкой 650V 59A 228W поверхностного монтажа TO-263L

пакет:TO-263-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGS50NL65HRBTL

Produktbeschreibung:IGBT-транзисторы с полевой остановкой 650V 50A 206W поверхностный монтаж TO-263L

пакет:TO-263-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGS30NL65DHRBTL

Produktbeschreibung:IGBT-транзисторы с допуском короткого замыкания 8 с, 650 В 15 А

пакет:TO-263-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW80NL65DHRBTL

Produktbeschreibung:650V 40A Полевые траншейные IGBT транзисторы

пакет:TO-263-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW80NL65HRBTL

Produktbeschreibung:650V 40A Полевые траншейные IGBT транзисторы

пакет:TO-263-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW60NL65HRBTL

Produktbeschreibung:650V 30A Полевые траншейные IGBT транзисторы

пакет:TO-263-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IXYH55N120B4H1

Produktbeschreibung:Траншея IGBT 1200V 138A 650W сквозное отверстие TO-247 (IXTH)

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW50NL65DHRBTL

Produktbeschreibung:650V 25A Полевые траншейные IGBT транзисторы

пакет:TO-263-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IXYH55N120C4H1

Produktbeschreibung:Траншея IGBT 1200V 126A 650W сквозное отверстие TO-247 (IXTH)

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
всего 476 записи«Предыдущая страница1234...30Следующая страница»
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler