Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

бренд:

без ограничения Apple ST Cypress TI INFINEON Xilinx BROADCOM Altera QUALCOMM Maxim Atmel Intel ADI Microchip Renesas ON NXP TOSHIBA SAMSUNG SILICON Micron Lattice ROHM Murata REALTEK MITSUBISHI LT VISHAY Skyworks Panasonic Quectel Diotec Semiconductor SONIX Astera WeEn LUXNET I-CHIPS Lontium NationalChip Azoteq Centec UltraSense ESMT Chrontel All Sensors MStar Quantenna NVIDIA POCO SK hynix Starpower Alliance Knowles SMARTsemi CEVA OMNIVISION ScioSense Lantronix SemiQ Kinetic Axelite GENESYS ICPlus UNISOC Littelfuse Lite-On APCE NIKO-SEM NICHTEK TXC WILLSEMI AMAZING PANJIT MACOM Hosonic Asmedia HUAWEI GaN Systems COSEL SkyHigh ATP Swissbit JL Bluetrum Motorcomm SEQUANS Wolfspeed Kingston Sensirion JAE KIOXIA SGMICRO United Chemi-Con I-PEX HIROSE Amphenol NOVOSENSE Mini-Circuits NICHICON MBI SOUTHCHIP WUQI Sinopower Rockchip ESPRESSIF MTK AOS VICOR MaxLinear NWATT SHINKO SHIMADEN Pushtechs Appotech Actions SiTime Richwave SanDisk NUVOTON VATICS AKM MAXIC AVX Entropic NS Excelitas Nexperia Wolfson Melexis Navitas EBYTE ISSI BES BYD AMS Hittite Bourns CUI Spansion CREE NORDIC Airoha AMD SMSC Semtech POWER OMRON Triquint RFMD IXYS Honeywell SANYO Explore Enpirion EPSON Ericsson ELAN IDT Allegro Cirrus NEC PHILIPS Microsemi Winbond FUJI Freescale FAIRCHILD IR Silvertel pSemi MST MXIC ANLOGIC BOSCH SIMCOM Qorvo FTDI InvenSense Molex Kionix GigaDevice AVAGO RICHTEK SILERGY ITE MPS SHARP Intersil Samtec Vitesse Marvell Diodes Lumissil MEMSIC PARADE TE LEM U-BLOX ALPS JRC PLX Micrel TDK

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

IKW40N65H5

Produktbeschreibung:650 В IGBT с антипараллельным диодом в корпусе TO-247

пакет:TO-247-3
10 шт.
8000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STGB19NC60KDT4
ST

Produktbeschreibung:Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 20 A - 600 В

пакет:D2PAK-3
10 шт.
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKA15N60T

Produktbeschreibung:IGBT на 600 В, 15 А с антипараллельным диодом в корпусе TO-220 Full-Pak

пакет:PG-TO220-3
10 шт.
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKW50N65WR5

Produktbeschreibung:650 В, 50 А IGBT с антипараллельным диодом в корпусе TO-247

пакет:TO-247-3
10 шт.
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGD03N120S7

Produktbeschreibung:IGBT-транзисторы 1200 В 3 А

пакет:PG-TO252-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKWH30N67PR7

Produktbeschreibung:Транзистор 670V, 30A, TRENCHSTOP™ IGBT7 PR7, TO-247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGZ50N65H5

Produktbeschreibung:650 В, 85 А, 273 Вт, TrenchStop™ 5 IGBT-транзистор, TO-247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FGY140T120SWD
ON

Produktbeschreibung:1200 В, 140 А, IGBT Field Stop - IGBT транзистор, сквозное отверстие

пакет:TO-247-3
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGA80TSX2HRC11

Produktbeschreibung:1200V 69A Полевые траншейные IGBT транзисторы для автомобильной промышленности

пакет:TO-247N-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGA80TSX2EHRC11

Produktbeschreibung:1200V 69A Полевые траншейные IGBT транзисторы для автомобильной промышленности

пакет:TO-247N-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGA80TRX2HRC15

Produktbeschreibung:1200V 69A Полевые траншейные IGBT транзисторы для автомобильной промышленности

пакет:TO-247-4
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGA80TRX2EHRC15

Produktbeschreibung:1200V 69A Полевые траншейные IGBT транзисторы для автомобильной промышленности

пакет:TO-247-4
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DG75H12T2

Produktbeschreibung:1200V 75A Однофазный полумостовой IGBT силовой транзистор

пакет:T2
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DG50H12T2

Produktbeschreibung:1200В 50А Однофазный полумостовой IGBT силовой транзистор

пакет:T2
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DG40H12T2

Produktbeschreibung:1200V 40A Однофазный полумостовой IGBT силовой транзистор

пакет:T2
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DG140A12TCFS

Produktbeschreibung:1200V 140A Однофазный полумостовой IGBT силовой транзистор

пакет:T2
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
всего 517 записи«Предыдущая страница1234...33Следующая страница»
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler