Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

RCX450N20

Produktbeschreibung:MOSFET N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

пакет:TO-220-3
10 шт.
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTHL099N60S5
ON

Produktbeschreibung:MOSFET - силовой, одиночный N-канальный, SUPERFET V, Easy Drive, TO247-3L 600 В, 99 м, 33 А

пакет:TO-247-3
10 шт.
2500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTBGS1D5N06C
ON

Produktbeschreibung:MOSFET - силовой, одиночный N-канальный, D2PAK7 60 В, 1,55 м, 267 А

пакет:D2PAK-7
10 шт.
25000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMFS5C410NWFAFT1G
ON

Produktbeschreibung:MOSFET - силовой, одиночный N-канальный 40 В, 0,92 м, 300 А

пакет:5-DFN
10 шт.
15000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTB7D3N15MC
ON

Produktbeschreibung:MOSFET - N-канальный с экранированным затвором PowerTrench 150 В, 7,3 м, 101 А

пакет:TO-263-3
10 шт.
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STL175N4LF8AG
ST

Produktbeschreibung:N-канальный логический уровень 40 В, 2,2 мОм макс, 167 A STripFET F8 Силовой MOSFET

пакет:PowerFLAT-4
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STL170N4LF8
ST

Produktbeschreibung:N-канальный логический уровень 40 В, 2,2 мОм макс, 167 A STripFET F8 Силовой MOSFET

пакет:PowerFLAT-4
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STL305N4LF8AG
ST

Produktbeschreibung:Автомобильный N-канальный повышающий логический уровень 40 В, 0,75 мОм макс., 373 А Силовой MOSFET

пакет:PowerFLAT-4
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STL165N10F8AG
ST

Produktbeschreibung:N-канальный силовой МОП-транзистор STripFET™ F7 на 100 В, 5 мОм, 107 А, в корпусе PowerFLAT™ 5x6

пакет:PowerFLAT-4
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STL300N4LF8
ST

Produktbeschreibung:N-канальный повышающий логический уровень 40 В, 0,8 мОм макс., 360 А, силовой MOSFET

пакет:PowerFLAT-4
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STL160N10F8
ST

Produktbeschreibung:N-канальный 100 В, 3,2 мОм макс, 158 A STripFET F8 Силовой MOSFET в корпусе PowerFLAT 5x6

пакет:PowerFLAT-4
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AIMZH120R030M1T

Produktbeschreibung:Канал N со сквозным отверстием 1200 В 69А (Тс) 326 Вт (Тс) PG-TO247-4-11

пакет:PG-TO247-4-11
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AIMZHN120R160M1T

Produktbeschreibung:Канал N со сквозным отверстием 1200 В 17А (Тс) 109 Вт (Тс) PG-TO247-4-14

пакет:PG-TO247-4-14
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AIMZHN120R080M1T

Produktbeschreibung:Канал N со сквозным отверстием 1200 В 31A (Tc) 169 Вт (Tc) PG-TO247-4-14

пакет:PG-TO247-4
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AIMZH120R010M1T

Produktbeschreibung:Канал N со сквозным отверстием 1200 В 202 А (Тс) 750 Вт (Тс) PG-TO247-4-11

пакет:PG-TO247-4
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AIMZHN120R120M1T

Produktbeschreibung:Канал N со сквозным отверстием 1200 В 22A (Tc) 133 Вт (Tc) PG-TO247-4-14

пакет:PG-TO247-4
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
всего 276 записи«Предыдущая страница1234...18Следующая страница»
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler