Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

E6D10065A

Produktbeschreibung:650 V, 10 A, TO-220-2 инкапсуляторы, шестое поколение разделило карбид кремния

пакет:TO-220-2
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E6D10065G

Produktbeschreibung:650 V, 10 A, TO-263-2 инкапсуляторы, шестое поколение разделило карбид кремния шотки

пакет:TO-263-2
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E6D30065D

Produktbeschreibung:650 V, 30 A, TO-247-3 инкапсуляция, шестое поколение карбида кремния, диод шотеки

пакет:TO-247-3
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0032120J1

Produktbeschreibung:МОП-транзистор на 1200 В из карбида кремния (SiC), TO-263-7

пакет:TO-263-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0032120D

Produktbeschreibung:1200V 32mΩ 63A Gen 3 Дискретный SiC MOSFET

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E6D30065H

Produktbeschreibung:650 V, 30 A, TO-247-2 инкапсуляции, шестое поколение разделило карбид кремния на диоды шотеки

пакет:TO-247-2
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0025065D

Produktbeschreibung:Дискретный SiC MOSFET 650V 25mΩ 97A Gen 3

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0060065K

Produktbeschreibung:650 В, 60 мОм, 37 А Карбид кремния (SiC) MOSFET транзисторы, TO-247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E6D20065H

Produktbeschreibung:650 V, 20 A, TO-247-2 инкапсуляторы, шестое поколение разделило карбид кремния

пакет:TO-247-2
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E6D20065D

Produktbeschreibung:650 V, 20 A, TO-247-3 инкапсуляторы, шестое поколение карбида кремния, диоды шотеки

пакет:TO-247-3
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0021120K

Produktbeschreibung:1200V 21mΩ 100A Gen 3 Дискретный SiC MOSFET

пакет:TO-247-4
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E6D40065D

Produktbeschreibung:650 V, 40 A, A, TO-247-3 инкапсуляторы, шестое поколение разделило карбид кремния

пакет:TO-247-3
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0016120D

Produktbeschreibung:Дискретный SiC MOSFET 1200V 16mΩ 115A Gen 3

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C4D40120H

Produktbeschreibung:1200 В, 40 А Дискретный SiC диод Шоттки в корпусе TO-247-2

пакет:TO-247-2
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E6D40065G

Produktbeschreibung:650 V, 40 A, TO-263-2 инкапсуляторы, шестое поколение разделило карбид кремния

пакет:TO-263-2
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C6D50065H

Produktbeschreibung:650 В, 50 А Диод Шоттки из карбида кремния (SiC), TO-247-2

пакет:TO-247-2
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler