Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

MRF13750HSR5
NXP

Produktbeschreibung:750 Вт непрерывной волны, 700-1300 МГц, 50 В LDMOS радиочастотный мощный транзистор

пакет:NI-1230-4S
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MRF13750HR5
NXP

Produktbeschreibung:750 Вт непрерывной волны, 700-1300 МГц, 50 В LDMOS радиочастотный мощный транзистор

пакет:NI-1230-4H
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A3T23H300W23S
NXP

Produktbeschreibung:N-канальные улучшенные боковые МОП-транзисторы

пакет:ACP-1230S-4L2S
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A5G18H610W19NR3
NXP

Produktbeschreibung:A5G18H610W19N 1805-1880 МГц, средняя мощность 85 Вт, 48 В Airfast® RF Power GaN Transistor

пакет:OM- 780- 4S4S
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A3T21H456W23SR6
NXP

Produktbeschreibung:N-канальные улучшенные боковые МОП-транзисторы

пакет:ACP-1230S-4L2S
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A3T19H455W23SR6
NXP

Produktbeschreibung:N-канальные улучшенные боковые МОП-транзисторы

пакет:ACP-1230S-4L2S
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A3T18H455W23SR6
NXP

Produktbeschreibung:N-канальные улучшенные боковые МОП-транзисторы

пакет:ACP-1230S-4L2S
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A3T18H400W23SR6
NXP

Produktbeschreibung:1805-1880 МГц, средняя мощность 71 Вт, 28 В Airfast® LDMOS RF Power Transistor

пакет:ACP-1230S-4L2S
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A2T08VD020NT1
NXP

Produktbeschreibung:728-960 МГц, средняя мощность 2 Вт, 48 В Airfast® LDMOS RF Power Transistor

пакет:24-PQFN-EP
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A5G35H055NT4
NXP

Produktbeschreibung:3400-3600 МГц, средняя мощность 7,6 Вт, 48 В Airfast® RF Мощный GaN-транзистор

пакет:DFN-6
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A3G26D055NT4
NXP

Produktbeschreibung:Радиочастотный мосфет 48 В 40 мА 100 МГц ~ 2,69 ГГц 13,9 дБ 8 Вт 6-PDFN (7x6,5)

пакет:6-LDFN
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A2V09H525-04NR6
NXP

Produktbeschreibung:Радиочастотный мосфет 48 В 688 мА 720 МГц ~ 960 МГц 18,9 дБ 120 Вт OM-1230-4L

пакет:OM-1230-4L
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A2V09H400-04NR3
NXP

Produktbeschreibung:Быстродействующий мощный ВЧ LDMOS-транзистор, 720-960 МГц, средняя мощность 107 Вт, 48 В

пакет:OM-780-4
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A2V09H300-04NR3
NXP

Produktbeschreibung:Радиочастотный мосфет 48 В 400 мА 720 МГц ~ 960 МГц 19,7 дБ 53 дБм OM-780G-4L

пакет:OM-780G-4L
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A2V07H525-04NR6
NXP

Produktbeschreibung:Радиочастотный мосфет 48 В 700 мА 595 МГц ~ 851 МГц 17,5 дБ 120 Вт OM-1230-4L

пакет:OM-1230-4L
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A2V07H400-04NR3
NXP

Produktbeschreibung:RF мосфетов 48 В 700 мА 595 МГц ~ 851 МГц 19,9 дБ 267 Вт OM-780G-4L

пакет:OM-780G-4L
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
всего 18 записи«Предыдущая страница12Следующая страница»
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler