Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Русский

Русский
中文

中文

 English

English

 日本語

日本語

sales@hkmjd.com

онлайн - сервис

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.
модель

MPQ5031GRE MPQ4272GVE 88Q2112

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

Интегральная схема (ИС)

Ethernet Модуль усилителя мощности Часы/Тиминг, Осцилляторы Часы/таймер - Нано-таймер Цифровой перекрестный переключатель Ультразвуковой приемопередатчик Часы/Тиминг - Линия задержки Контроллер считывания карт Логика - шлюзы и инверторы Передатчик Изолированный компаратор Высокоскоростной компаратор Интерфейс - многоскоростной таймер Контроллер USB Процессор сигналов ПЗС Фотометрические передние панели Изолирующие усилители Контроллер цифрового дисплея Цифровой контроллер Аудиопроцессоры Фотоэлектрическая продукция Аттенюатор приводной усилитель Усилитель мощности на основе GaN на SiC

БТИЗ-модуль

Модуль 2G Модуль 4G Модуль 5G IoT-модуль модуль новой энергии Автомобильный модуль Умный модуль модуль памяти Модуль сотовой связи IoT Модуль спутниковой связи Модуль GNSS Модули LPWA IoT-чипы Модули беспроводной связи

фильтр

Активный фильтр RF-фильтр Фильтры высоких частот Полосовой фильтр Wi-Fi 5 ГГц Полосовой фильтр Wi-Fi 6 ГГц

беспроводное соединение

Wi-Fi 6 ИС Bluetooth Bluetooth 5.1 Bluetooth 5.0 Bluetooth 5.2 Wi-Fi 4 Модули WiFi Bluetooth Низкая энергия Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 Микросхемы беспроводных сетевых карт Модули Bluetooth Беспроводной модуль Wi-Fi Bluetooth аудио Soc

защита цепи

IC для подавления перенапряжения ESD подавители/TVS диоды Газоразрядные трубки - ГРТ / Газоплазменные ограничители TVS — гибридная технология

дискретный полупроводник

Транзистор - FET, MOSFET - Одиночный Радиочастотный транзистор Модули силовых MOSFET Модули FET из карбида кремния (SIC) Карбид кремния (SIC) FETs P-канал MOSFET Транзисторы - ВЧ-транзисторы, МОП-транзисторы Модули MOSFET Тиристор Модуль массива диодов МОП-транзистор N-канальные МОП-транзисторы Транзистор IGBT Диоды и выпрямители Диоды Шоттки и выпрямители Одиночные диоды Зенера Массивы биполярных транзисторов Модули силовых драйверов Диоды - Выпрямители - Одиночные Транзистор - FET, MOSFET - Массив Транзистор - IGBT - модуль Транзистор - UGBT, MOSFET - Одиночный

Управление питанием

ИС из нитрида галлия (GaN) LDO линейного стабилизатора напряжения контроллер AC - DC и стабилизатор напряжения продукты питания DC - DC эталон напряжения управление батареями Контроллер питания Ethernet (PoE)

Разъемы

Круглые разъемы Автомобильные разъемы Краевые разъемы карты Межплатные и мезонинные разъемы FFC, FPC (плоские гибкие) разъемы Разъемы объединительной панели Прямоугольные разъемы Коаксиальный разъем (РЧ) Прямоугольные разъемы — массив, край, мезонин (плата к плате)

Датчики

Датчик скорости Датчик влажности Датчик тока эффекта Холла Ультразвуковой датчик Оптические датчики - датчики освещенности, инфракрасные датчики, ультрафиолетовые датчики Оптические датчики, фотодиоды Датчик влажности, чувствительный к влажности Оптические детекторы и датчики - инфракрасные детекторы Датчик температуры на плате Оптические датчики - окружающее освещение Газовые датчики Датчики положения Промышленные радиолокационные датчики миллиметровых волн Автомобильные миллиметроволновые радарные датчики Датчик изображения Радиолокационный датчик Датчик движения-гироскоп Ультразвуковой приемник, передатчик (измерение расстояния) Оптические датчики - Отражающие - Логический выход Сенсорный модуль Датчик давления Текущие датчики Емкостные сенсорные датчики Интерфейс "плата-машина" Датчики эффекта Холла/магнитные датчики

Память

Флэш-память NOR оперативная память память с произвольным доступом статический случайный доступ к памяти SRAM синхронный динамический случайный доступ к памяти SDRAM Твердотельные накопители - SSD Стандартная последовательная память EEPROM Последовательная память EEPROM автомобильного класса eMMC Псевдостатическая случайная память (PSRAM) Стираемое программируемое ПЗУ Флэш-память NAND Универсальное флэш-хранилище - UFS Динамическая память с произвольным доступом DRAM Память - модуль

Изоляторы

оптический симулятор Цифровые изоляторы Оптоизоляторы - логические выходы Изоляторы - драйверы затворов Оптоизолятор - транзистор, оптовыход
Первая страница /дискретный полупроводник/Транзисторы - ВЧ-транзисторы, МОП-транзисторы

бренд:

без ограничения Apple ST Cypress TI INFINEON Xilinx BROADCOM Altera QUALCOMM Maxim Atmel Intel ADI Microchip Renesas ON NXP TOSHIBA SAMSUNG SILICON Micron Lattice ROHM Murata REALTEK MITSUBISHI LT VISHAY Skyworks Panasonic Quectel CEVA OMNIVISION ScioSense Lantronix SemiQ Kinetic Axelite GENESYS ICPlus UNISOC Littelfuse Lite-On APCE NIKO-SEM NICHTEK TXC WILLSEMI AMAZING PANJIT MACOM Hosonic Asmedia HUAWEI GaN Systems COSEL SkyHigh ATP Swissbit JL Bluetrum Motorcomm SEQUANS Wolfspeed Kingston Sensirion JAE KIOXIA SGMICRO United Chemi-Con I-PEX HIROSE Amphenol NOVOSENSE Mini-Circuits NICHICON MBI SOUTHCHIP WUQI Sinopower Rockchip ESPRESSIF MTK AOS VICOR MaxLinear NWATT SHINKO SHIMADEN Pushtechs Appotech Actions SiTime Richwave SanDisk NUVOTON VATICS AKM MAXIC AVX Entropic NS Excelitas Nexperia Wolfson Melexis Navitas EBYTE ISSI BES BYD AMS Hittite Bourns CUI Spansion CREE NORDIC Airoha AMD SMSC Semtech POWER OMRON Triquint RFMD IXYS Honeywell SANYO Explore Enpirion EPSON Ericsson ELAN IDT Allegro Cirrus NEC PHILIPS Microsemi Winbond FUJI Freescale FAIRCHILD IR Silvertel pSemi MST MXIC ANLOGIC BOSCH SIMCOM Qorvo FTDI InvenSense Molex Kionix GigaDevice AVAGO RICHTEK SILERGY ITE MPS SHARP Intersil Samtec Vitesse Marvell Diodes Lumissil MEMSIC PARADE TE LEM U-BLOX ALPS JRC PLX Micrel TDK

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

MRF13750HSR5

MRF13750HSR5

MRF13750HSR5.pdf
NXP

Produktbeschreibung:750 Вт непрерывной волны, 700-1300 МГц, 50 В LDMOS радиочастотный мощный транзистор

пакет:NI-1230-4S
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
MRF13750HR5

MRF13750HR5

MRF13750HR5.pdf
NXP

Produktbeschreibung:750 Вт непрерывной волны, 700-1300 МГц, 50 В LDMOS радиочастотный мощный транзистор

пакет:NI-1230-4H
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
3T23H300W23S

3T23H300W23S

3T23H300W23S.pdf
NXP

Produktbeschreibung:N-канальные улучшенные боковые МОП-транзисторы

пакет:ACP--1230S--4L2S
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
A5G18H610W19NR3

A5G18H610W19NR3

A5G18H610W19NR3.pdf
NXP

Produktbeschreibung:A5G18H610W19N 1805-1880 МГц, средняя мощность 85 Вт, 48 В Airfast® RF Power GaN Transistor

пакет:OM- 780- 4S4S
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
A3T21H456W23SR6

A3T21H456W23SR6

A3T21H456W23SR6.pdf
NXP

Produktbeschreibung:N-канальные улучшенные боковые МОП-транзисторы

пакет:ACP-1230S-4L2S
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
A3T19H455W23SR6

A3T19H455W23SR6

A3T19H455W23SR6.pdf
NXP

Produktbeschreibung:N-канальные улучшенные боковые МОП-транзисторы

пакет:ACP-1230S-4L2S
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
A3T18H455W23SR6

A3T18H455W23SR6

A3T18H455W23SR6.pdf
NXP

Produktbeschreibung:N-канальные улучшенные боковые МОП-транзисторы

пакет:ACP-1230S-4L2S
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
A3T18H400W23SR6

A3T18H400W23SR6

A3T18H400W23SR6.pdf
NXP

Produktbeschreibung:1805-1880 МГц, средняя мощность 71 Вт, 28 В Airfast® LDMOS RF Power Transistor

пакет:ACP-1230S-4L2S
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
A2T08VD020NT1

A2T08VD020NT1

A2T08VD020NT1.pdf
NXP

Produktbeschreibung:728-960 МГц, средняя мощность 2 Вт, 48 В Airfast® LDMOS RF Power Transistor

пакет:24-PQFN-EP
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
A5G35H055NT4

A5G35H055NT4

A5G35H055NT4.pdf
NXP

Produktbeschreibung:3400-3600 МГц, средняя мощность 7,6 Вт, 48 В Airfast® RF Мощный GaN-транзистор

пакет:DFN-6
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
A3G26D055NT4

A3G26D055NT4

A3G26D055NT4.pdf
NXP

Produktbeschreibung:Радиочастотный мосфет 48 В 40 мА 100 МГц ~ 2,69 ГГц 13,9 дБ 8 Вт 6-PDFN (7x6,5)

пакет:6-LDFN
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
A2V09H525-04NR6

A2V09H525-04NR6

A2V09H525-04NR6.pdf
NXP

Produktbeschreibung:Радиочастотный мосфет 48 В 688 мА 720 МГц ~ 960 МГц 18,9 дБ 120 Вт OM-1230-4L

пакет:OM-1230-4L
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
A2V09H400-04NR3

A2V09H400-04NR3

A2V09H400-04NR3.pdf
NXP

Produktbeschreibung:Быстродействующий мощный ВЧ LDMOS-транзистор, 720-960 МГц, средняя мощность 107 Вт, 48 В

пакет:OM-780-4
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
A2V09H300-04NR3

A2V09H300-04NR3

A2V09H300-04NR3.pdf
NXP

Produktbeschreibung:Радиочастотный мосфет 48 В 400 мА 720 МГц ~ 960 МГц 19,7 дБ 53 дБм OM-780G-4L

пакет:OM-780G-4L
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
A2V07H525-04NR6

A2V07H525-04NR6

A2V07H525-04NR6.pdf
NXP

Produktbeschreibung:Радиочастотный мосфет 48 В 700 мА 595 МГц ~ 851 МГц 17,5 дБ 120 Вт OM-1230-4L

пакет:OM-1230-4L
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
A2V07H400-04NR3

A2V07H400-04NR3

A2V07H400-04NR3.pdf
NXP

Produktbeschreibung:RF мосфетов 48 В 700 мА 595 МГц ~ 851 МГц 19,9 дБ 267 Вт OM-780G-4L

пакет:OM-780G-4L
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
всего 18 записи«Предыдущая страница12Следующая страница»
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler