Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Русский

Русский
中文

中文

 English

English

 日本語

日本語

sales@hkmjd.com

онлайн - сервис

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.
модель

VSC7427XJG-02 VSC7425XJG-02 88E6190-A0-TLA2C000

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

Интегральная схема (ИС)

Ethernet Передатчик HDMI драйвер лазера ИС аналоговых переключателей Ультразвуковой приемник Мультиплексоры и демультиплексоры Видеопроцессор Видеокодер Искусственный интеллект чипы Интерфейс - Ретаймер Ускоритель ближней памяти CXL и контроллер расширения памяти Аналоговый умножитель Интерфейсные микросхемы RS-422/RS-485 Изолированный CAN-трансивер Усилитель приборов Коммутаторы PCI Express Автомобильная система-на-кристалле Безопасность и сертификация IC Балансер/привод/ретранслятор ИС интерфейса PCI PCIe Коммутатор Интерфейс - многопротокольный приемопередатчик Приемопередатчик линии электропередачи Петля с фазовой автоподстройкой - PLL

БТИЗ-модуль

Модуль 2G Модуль 4G Модуль 5G IoT-модуль модуль новой энергии Автомобильный модуль Умный модуль модуль памяти Модуль сотовой связи IoT Модуль спутниковой связи Модуль GNSS Модули LPWA IoT-чипы

фильтр

Полосно-задерживающие фильтры фильтр низких частот полосовой фильтр SAW Фильтр BAW Фильтр Wi-Fi Фильтр 2,4 ГГц Wi-Fi полос пропуска фильтр Активный фильтр RF-фильтр Фильтры высоких частот Полосовой фильтр Wi-Fi 5 ГГц Полосовой фильтр Wi-Fi 6 ГГц

беспроводное соединение

Wi-Fi 6 ИС Bluetooth Bluetooth 5.1 Bluetooth 5.0 Bluetooth 5.2 Коммуникация ближнего поля (NFC) WiFi Bluetooth Wi-Fi Чип Сверхширокополосная ИС UWB GNSS-приемник Wi-Fi 4 Модули WiFi Bluetooth Низкая энергия Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 Модули беспроводной связи Микросхемы беспроводных сетевых карт Модули Bluetooth Беспроводной модуль Wi-Fi Bluetooth аудио SoC

ИИ процессорный чип

дискретный полупроводник

Транзистор - FET, MOSFET - Одиночный Кремниевые диоды силовой модуль Радиочастотный транзистор Модули силовых MOSFET Модули FET из карбида кремния (SIC) Карбид кремния (SIC) FETs P-канал MOSFET Транзисторы - ВЧ-транзисторы, МОП-транзисторы Модули MOSFET Тиристор Модуль массива диодов МОП-транзистор N-канальные МОП-транзисторы Транзистор IGBT Диоды и выпрямители Диоды Шоттки и выпрямители Одиночные диоды Зенера Массивы биполярных транзисторов Модули силовых драйверов Диоды - Выпрямители - Одиночные Транзистор - FET, MOSFET - Массив Транзистор - IGBT - модуль Транзистор - UGBT, MOSFET - Одиночный

Управление питанием

ИС из нитрида галлия (GaN) LDO линейного стабилизатора напряжения контроллер AC - DC и стабилизатор напряжения продукты питания DC - DC эталон напряжения управление батареями Контроллер питания Ethernet (PoE)

Разъемы

Коннектор Nearstack Разъемы E.L.P. ™ С высоким циклом стыка ExtremePort Swift Разъемы Multi-Trak™ Разъемы Разъемы VITA 67.3 Разъемы SpaceVPX VITA 78 Разъем ExtremePort Z-Link Разъемы Displayport Магнитные джековые разъемы Разъемы SAS/PCIe 5.0 Разъемы SAS/PCIe 4.0 Мини-разъем USB Разъемы SFP112G Разъемы MiniSAS HD Разъемы OSFP-XD Разъемы DSFP Разъемы CXP Разъемы QSFP Разъемы OSFP Разъем SFP Разъемы CFP2 Разъемы ввода-вывода Mini Cool Edge Разъемы SlimSAS™ Разъемы Mini-SAS высокой плотности

Датчики

Датчик угла наклона Переключатели на эффекте Холла Индуктивный датчик Замки и переключатели с эффектом Холла Биосенсор Датчики времени пролета Кондиционеры сигналов датчиков оптический датчик Датчики расхода Датчик влажности на плате Биометрические датчики Датчик скорости Датчик влажности Датчик тока эффекта Холла Ультразвуковой датчик Оптические датчики, фотодиоды Датчик влажности, чувствительный к влажности Оптические детекторы и датчики - инфракрасные детекторы Датчик температуры на плате Газовые датчики Датчики положения Промышленные радиолокационные датчики миллиметровых волн Автомобильные миллиметроволновые радарные датчики Датчик изображения

Память

NOR флеш оперативная память память с произвольным доступом статический случайный доступ к памяти SRAM синхронный динамический случайный доступ к памяти SDRAM Контроллеры SSD AI Память F-RAM LPDDR5 uMCP EEPROM Твердотельные накопители - SSD Стандартная последовательная память EEPROM Последовательная память EEPROM автомобильного класса eMMC Псевдостатическая случайная память (PSRAM) Стираемое программируемое ПЗУ Флэш-память NAND Универсальное флэш-хранилище - UFS Динамическая память с произвольным доступом DRAM Память - модуль

Интерфейс - последовательный цифровой интерфейс (SDI) ИС

Первая страница /дискретный полупроводник/Транзисторы - ВЧ-транзисторы, МОП-транзисторы

бренд:

без ограничения Apple ST Cypress TI INFINEON Xilinx BROADCOM Altera QUALCOMM Maxim Atmel Intel ADI Microchip Renesas ON NXP TOSHIBA SAMSUNG SILICON Micron Lattice ROHM Murata REALTEK MITSUBISHI LT VISHAY Skyworks Panasonic Quectel Diotec Semiconductor SONIX Astera WeEn LUXNET I-CHIPS Lontium NationalChip Azoteq Centec UltraSense ESMT Chrontel All Sensors MStar Quantenna NVIDIA POCO SK hynix Starpower Alliance Knowles SMARTsemi CEVA OMNIVISION ScioSense Lantronix SemiQ Kinetic Axelite GENESYS ICPlus UNISOC Littelfuse Lite-On APCE NIKO-SEM NICHTEK TXC WILLSEMI AMAZING PANJIT MACOM Hosonic Asmedia HUAWEI GaN Systems COSEL SkyHigh ATP Swissbit JL Bluetrum Motorcomm SEQUANS Wolfspeed Kingston Sensirion JAE KIOXIA SGMICRO United Chemi-Con I-PEX HIROSE Amphenol NOVOSENSE Mini-Circuits NICHICON MBI SOUTHCHIP WUQI Sinopower Rockchip ESPRESSIF MTK AOS VICOR MaxLinear NWATT SHINKO SHIMADEN Pushtechs Appotech Actions SiTime Richwave SanDisk NUVOTON VATICS AKM MAXIC AVX Entropic NS Excelitas Nexperia Wolfson Melexis Navitas EBYTE ISSI BES BYD AMS Hittite Bourns CUI Spansion CREE NORDIC Airoha AMD SMSC Semtech POWER OMRON Triquint RFMD IXYS Honeywell SANYO Explore Enpirion EPSON Ericsson ELAN IDT Allegro Cirrus NEC PHILIPS Microsemi Winbond FUJI Freescale FAIRCHILD IR Silvertel pSemi MST MXIC ANLOGIC BOSCH SIMCOM Qorvo FTDI InvenSense Molex Kionix GigaDevice AVAGO RICHTEK SILERGY ITE MPS SHARP Intersil Samtec Vitesse Marvell Diodes Lumissil MEMSIC PARADE TE LEM U-BLOX ALPS JRC PLX Micrel TDK

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

A5G26H110NT4

A5G26H110NT4

NXP

Produktbeschreibung:RF Mosfet 48 V 50 mA 2.496GHz ~ 2.69GHz 17.7dB 15W 6-PDFN (7x6.5)

пакет:DFN-6
10 шт.
5000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
MRF13750HSR5

MRF13750HSR5

MRF13750HSR5.pdf
NXP

Produktbeschreibung:750 Вт непрерывной волны, 700-1300 МГц, 50 В LDMOS радиочастотный мощный транзистор

пакет:NI-1230-4S
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
MRF13750HR5

MRF13750HR5

MRF13750HR5.pdf
NXP

Produktbeschreibung:750 Вт непрерывной волны, 700-1300 МГц, 50 В LDMOS радиочастотный мощный транзистор

пакет:NI-1230-4H
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
A3T23H300W23S

A3T23H300W23S

A3T23H300W23S.pdf
NXP

Produktbeschreibung:N-канальные улучшенные боковые МОП-транзисторы

пакет:ACP-1230S-4L2S
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
A5G18H610W19NR3

A5G18H610W19NR3

A5G18H610W19NR3.pdf
NXP

Produktbeschreibung:A5G18H610W19N 1805-1880 МГц, средняя мощность 85 Вт, 48 В Airfast® RF Power GaN Transistor

пакет:OM- 780- 4S4S
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
A3T21H456W23SR6

A3T21H456W23SR6

A3T21H456W23SR6.pdf
NXP

Produktbeschreibung:N-канальные улучшенные боковые МОП-транзисторы

пакет:ACP-1230S-4L2S
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
A3T19H455W23SR6

A3T19H455W23SR6

A3T19H455W23SR6.pdf
NXP

Produktbeschreibung:N-канальные улучшенные боковые МОП-транзисторы

пакет:ACP-1230S-4L2S
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
A3T18H455W23SR6

A3T18H455W23SR6

A3T18H455W23SR6.pdf
NXP

Produktbeschreibung:N-канальные улучшенные боковые МОП-транзисторы

пакет:ACP-1230S-4L2S
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
A3T18H400W23SR6

A3T18H400W23SR6

A3T18H400W23SR6.pdf
NXP

Produktbeschreibung:1805-1880 МГц, средняя мощность 71 Вт, 28 В Airfast® LDMOS RF Power Transistor

пакет:ACP-1230S-4L2S
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
A2T08VD020NT1

A2T08VD020NT1

A2T08VD020NT1.pdf
NXP

Produktbeschreibung:728-960 МГц, средняя мощность 2 Вт, 48 В Airfast® LDMOS RF Power Transistor

пакет:24-PQFN-EP
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
A5G35H055NT4

A5G35H055NT4

A5G35H055NT4.pdf
NXP

Produktbeschreibung:3400-3600 МГц, средняя мощность 7,6 Вт, 48 В Airfast® RF Мощный GaN-транзистор

пакет:DFN-6
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
A3G26D055NT4

A3G26D055NT4

A3G26D055NT4.pdf
NXP

Produktbeschreibung:Радиочастотный мосфет 48 В 40 мА 100 МГц ~ 2,69 ГГц 13,9 дБ 8 Вт 6-PDFN (7x6,5)

пакет:6-LDFN
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
A2V09H525-04NR6

A2V09H525-04NR6

A2V09H525-04NR6.pdf
NXP

Produktbeschreibung:Радиочастотный мосфет 48 В 688 мА 720 МГц ~ 960 МГц 18,9 дБ 120 Вт OM-1230-4L

пакет:OM-1230-4L
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
A2V09H400-04NR3

A2V09H400-04NR3

A2V09H400-04NR3.pdf
NXP

Produktbeschreibung:Быстродействующий мощный ВЧ LDMOS-транзистор, 720-960 МГц, средняя мощность 107 Вт, 48 В

пакет:OM-780-4
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
A2V09H300-04NR3

A2V09H300-04NR3

A2V09H300-04NR3.pdf
NXP

Produktbeschreibung:Радиочастотный мосфет 48 В 400 мА 720 МГц ~ 960 МГц 19,7 дБ 53 дБм OM-780G-4L

пакет:OM-780G-4L
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
A2V07H525-04NR6

A2V07H525-04NR6

A2V07H525-04NR6.pdf
NXP

Produktbeschreibung:Радиочастотный мосфет 48 В 700 мА 595 МГц ~ 851 МГц 17,5 дБ 120 Вт OM-1230-4L

пакет:OM-1230-4L
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
всего 19 записи«Предыдущая страница12Следующая страница»
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler