Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

ID10FFX60U5SS

Produktbeschreibung:600 В, 10 А Компактный - IPM модуль, пакет U5

пакет:U5
10 шт.
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
ID05FFX60U5SS

Produktbeschreibung:600 В, 5 А Компактный IPM- Модуль, корпус U5

пакет:U5
10 шт.
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DG75H12T2

Produktbeschreibung:1200V 75A Однофазный полумостовой IGBT силовой транзистор

пакет:T2
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DG50H12T2

Produktbeschreibung:1200В 50А Однофазный полумостовой IGBT силовой транзистор

пакет:T2
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DG40H12T2

Produktbeschreibung:1200V 40A Однофазный полумостовой IGBT силовой транзистор

пакет:T2
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
ID50FFX60U3S

Produktbeschreibung:600 В, 50 А Компактный - IPM модуль, корпус U3

пакет:U3
10 шт.
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
ID40FFX60U3S

Produktbeschreibung:Шестиэлементный IPM-модуль 600 В, 40 А, корпус U3

пакет:U3
10 шт.
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
ID30FFX60U3S

Produktbeschreibung:Компактный IPM-модуль 600 В, 30 А, корпус U3

пакет:U3
10 шт.
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
ID20FFX60U3S

Produktbeschreibung:Компактный IPM-модуль 600 В, 20 А, корпус U3

пакет:U3
10 шт.
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DG140A12TCFS

Produktbeschreibung:1200V 140A Однофазный полумостовой IGBT силовой транзистор

пакет:T2
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DG40A12TCFS

Produktbeschreibung:1200V 40A Однофазный полумостовой IGBT силовой транзистор

пакет:T2
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
ID50FFX60U2S

Produktbeschreibung:600V/50A Compact - IPM модуль, корпус U2

пакет:U2
10 шт.
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DG40A12TALD

Produktbeschreibung:1200V 40A Однофазный полумостовой IGBT силовой транзистор

пакет:T2
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DG40A12TAFS

Produktbeschreibung:1200V 40A Однофазный полумостовой IGBT силовой транзистор

пакет:T2
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
ID35FFX60U1S

Produktbeschreibung:600V/35A Компактный IPM-модуль, упаковка U1

пакет:U1
10 шт.
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DG75X07T2L

Produktbeschreibung:650V 75A Однофазный полумостовой IGBT силовой транзистор

пакет:T2
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
всего 209 записи«Предыдущая страница1234...14Следующая страница»
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler