Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

IMW65R010M2H

Produktbeschreibung:650 В, 10 мОм, карбид кремния CoolSiC™ MOSFET транзистор, TO-247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKWH70N67PR7

Produktbeschreibung:670 В, 70 А TRENCHSTOP™ IGBT7 PR7 с антипараллельным диодом

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKWH60N67PR7

Produktbeschreibung:670 В, 60 А TRENCHSTOP™ IGBT7 PR7 с антипараллельным диодом

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGLR65R140D2

Produktbeschreibung:650 В, CoolGaN™ G5 Series - GaN силовой транзистор, PG-TSON-8

пакет:PG-TSON-8
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKWH50N67PR7

Produktbeschreibung:670 В, 50 А TRENCHSTOP™ IGBT7 PR7 с антипараллельным диодом

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF4000UXTR33T2M1

Produktbeschreibung:3,3 кВ, 4,0 мОм, XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Модуль

пакет:Модуль
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKWH40N67PR7

Produktbeschreibung:670 В, 40 А TRENCHSTOP™ IGBT7 PR7 с антипараллельным диодом

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IQE220N15NM5SC

Produktbeschreibung:150 В, OptiMOS™ 5 низковольтный силовой MOSFET транзистор, PG-WHSON-8

пакет:PG-WHSON-8
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IQE220N15NM5CGSC

Produktbeschreibung:150 В, OptiMOS™ 5 низковольтный силовой MOSFET транзистор, PG-WHTFN-9

пакет:PG-WHTFN-9
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGLT65R110D2

Produktbeschreibung:Транзистор CoolGaN™ 650 В G5

пакет:PG‑HDSOP‑16
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPTG025N15NM6

Produktbeschreibung:150 В, OptiMOS™ 6 силовой MOSFET транзистор, PG-HSOG-8

пакет:PG-HSOG-8
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGLR65R270D2

Produktbeschreibung:Транзистор CoolGaN™ 650 В G5

пакет:PG‑TSON‑8
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPT023N10NM5LF2

Produktbeschreibung:100 В, 2,3 мОм, 243 А, OptiMOS™ 5 Одноканальный N-канальный MOSFET транзистор

пакет:PG-HSOF-8
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGLR65R200D2

Produktbeschreibung:Транзистор CoolGaN™ 650 В G5

пакет:PG‑TSON‑8
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPDQ60R015CFD7

Produktbeschreibung:600 В, CoolMOS™ CFD7 N-канальный силовой MOSFET транзистор, PG-HDSOP-22

пакет:PG-HDSOP-22
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPDD60R180CM8

Produktbeschreibung:600 В, CoolMOS™ 8 N-канальный силовой MOSFET транзистор, PG-HDSOP-10

пакет:PG-HDSOP-10
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler