sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:N-канальный силовой MOSFET
бренд:INFINEON
год выпуска:25+
пакет:PG-TO263-3
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 5000
IPB60R080P7: 600 В, MOSFET-транзистор CoolMOS™ P7 Super Junction (SJ), PG-TO263-3
Обзор:
IPB60R080P7 — MOSFET CoolMOS™ P7 Super Junction (SJ) 600 В является преемником серии CoolMOS™ P6 600 В. Он обеспечивает баланс между высокой эффективностью и простотой использования во всей своей конструкции. Превосходные характеристики R onxA и низкий заряд затвора (Q G) платформы CoolMOS™ 7-го поколения обеспечивают высокую эффективность.
Технические характеристики IPB60R080P7:
Напряжение сток-исток (Vdss): 600 В
Непрерывный ток стока (Id) при 25 °C: 37 А (Tc)
Напряжение управления (максимальное Rds On, минимальное Rds On): 10 В
Сопротивление в открытом состоянии при различных значениях Id и Vgs (максимальное): 80 мОм при 11,8 А, 10 В
Vgs(th) при различных значениях Id (максимальное): 4 В при 590 мкА
Заряд затвора (Qg) при различных значениях Vgs (максимальный): 51 нКл при 10 В
Vgs (максимальное): ±20 В
Входная емкость (Ciss) при различных Vds (максимум): 2180 пФ при 400 В
Рассеиваемая мощность (максимум): 129 Вт (Tc)
Рабочая температура: от -55 °C до 150 °C (TJ)
Особенности продукта IPB60R080P7:
Серия CoolMOS™ 7
Низкий заряд затвора
Низкая энергия хранения в COSS
Встроенный резистор затвора
Применение IPB60R080P7:
Решения для источников питания на DIN-рейке
Решения для однофазных серийных инверторов
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
INFINEON
SO-8
5000
30 В, одноканальный N-канальный силовой MOSFET-транзистор HEXFET, SO-8
INFINEON
PG-TO220-3
5000
600 В, MOSFET-транзистор CoolMOS™ P7 Super Junction, PG-TO220-3
INFINEON
PG-TO263-3
5000
600 В, MOSFET-транзистор CoolMOS™ P7 Super Junction (SJ), PG-TO263-3
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Infineon Technologies была официально основана 1 апреля 1999 года в Мюнхене, Германия, и является одной из ведущих мировых компаний по производству по…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
TC1791 - это высокопроизводительный микроконтроллер с процессором TriCore, памятью программ и данных, шиной, шинным арбитражем, контроллером пр…IPB35N10S3L-26
[Infineon] IPB35N10S3L-26: Автомобильный MOSFET — 100 В, силовой транзистор OptiMOS™-T, PG-TO263-3Сведения о продукте:Модель: IPB35N10S3L-26Корпус: PG-TO263-3Тип: Автомобильны…IPB133N12NM6
【IPB133N12NM6】120 В, силовой MOSFET-транзистор OptiMOS™ 6, нормальный уровень, в 3-контактном корпусе DPAK.Описание:IPB133N12NM6 — это MOSFET стандартного уровня 120…IPB120N06S4-03
IPB120N06S4-03: 60 В, OptiMOS™ -T2 Автомобильный MOSFET-транзистор, PG-TO263-3Технические характеристики IPB120N06S4-03:Тип продукта: MOSFET Технология: Si Тип монтаж…IMCQ120R078M2H
IMCQ120R078M2H CoolSiC™ MOSFET дискретный 1200 В, 78 мОм G2 в корпусе Q-DPAK с верхним охлаждением, специально разработанном для широкого использования в пром…IMCQ120R007M2H
IMCQ120R007M2H CoolSiC™ MOSFET дискретный 1200 В, 7 мОм G2 в корпусе Q-DPAK с верхним охлаждением, специально разработанном для широкого использования в пром…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: