sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
бренд:
рисунок продукции
тип
марка
описание параметров
количество заказа
запасы
количество покупки
единичная цена
операция
Produktbeschreibung:650 В, 33 мОм, Карбид Кремния CoolSiC™ MOSFET Транзистор, TO-247-4
пакет:TO-247-4Produktbeschreibung:Модуль IGBT 600V 20A PIM
пакет:МодульProduktbeschreibung:256 Мб флэш-памяти SEMPER ™ NOR
пакет:PG-BGA-24Produktbeschreibung:256 Мб флэш-памяти SEMPER ™ NOR
пакет:PG-BGA-24Produktbeschreibung:256 Мб флэш-памяти SEMPER ™ NOR
пакет:PG-BGA-24Produktbeschreibung:256 Мб флэш-памяти SEMPER ™ NOR
пакет:PG-BGA-24Produktbeschreibung:Модуль IGBT с общим эмиттером 1200В 600А
пакет:МодульProduktbeschreibung:Модуль 1200В 450А с общим эмиттером IGBT
пакет:МодульProduktbeschreibung:30 В P-канальные силовые MOSFET-транзисторы
пакет:SO-8Produktbeschreibung:650 В, 26 мОм, карбид кремния CoolSiC™ MOSFET транзистор, TO-247-4
пакет:TO-247-4Produktbeschreibung:650 В, 10 мОм, карбид кремния CoolSiC™ MOSFET транзистор, TO-247-4
пакет:TO-247-4Produktbeschreibung:650 В, 60 мОм, карбид кремния CoolSiC™ MOSFET транзистор, TO-247-3
пакет:TO-247-3Produktbeschreibung:CoolSiC™ MOSFET дискретный 1200 В G2 в корпусе TO-247 4pin с высокой ползучестью
пакет:TO-247-4Produktbeschreibung:650 В, 33 мОм, карбид кремния CoolSiC™ MOSFET транзистор, TO-247-3
пакет:TO-247-3Produktbeschreibung:CoolSiC™ MOSFET дискретный 1200 В G2 в корпусе TO-247 4pin с высокой ползучестью
пакет:TO-247-4Produktbeschreibung:650 В, 26 мОм, карбид кремния CoolSiC™ MOSFET транзистор, TO-247-3
пакет:TO-247-3контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: