sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:MOSFET на основе карбида кремния
бренд:INFINEON
год выпуска:25+
пакет:PG-HDSOP-22
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 2000
IMCQ120R007M2H CoolSiC™ MOSFET дискретный 1200 В, 7 мОм G2 в корпусе Q-DPAK с верхним охлаждением, специально разработанном для широкого использования в промышленных приложениях. Корпус Q-DPAK обеспечивает превосходную тепловую эффективность, упрощает сборку и снижает стоимость системы. Однопереключательный Q-DPAK с верхним охлаждением открывает новую эру в области охлаждения, энергоэффективности, гибкости конструкции и производительности.
Характеристики IMCQ120R007M2H
VDSS = 1200 В при Tvj = 25 °C
IDDC = 181 А при TC = 100 °C
RDS(on) = 7,5 мОм при VGS = 18 В, Tvj = 25 °C
Очень низкие потери при переключении
Работа в режиме перегрузки до Tvj = 200 °C
Время выдержки короткого замыкания 2 мкс
Эталонное пороговое напряжение затвора
Устойчивость к паразитному включению
Надежный корпусной диод для жесткой коммутации
Технология межсоединений .XT
Преимущества IMCQ120R007M2H
Превосходные тепловые характеристики
Повышение энергоэффективности
Более высокая удельная мощность
Более компактные и простые конструкции
Снижение совокупной стоимости владения или стоимости комплектующих
Области применения IMCQ120R007M2H
Зарядка электромобилей
Твердотельные выключатели
Низковольтные приводы
Фотоэлектрические системы
Источники бесперебойного питания (UPS)
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
1200 В CoolSiC™ MOSFET-транзисторы на основе карбида кремния
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
1200 В CoolSiC™ MOSFET-транзисторы на основе карбида кремния
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
1200 В CoolSiC™ MOSFET-транзисторы на основе карбида кремния
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
1200 В CoolSiC™ MOSFET-транзисторы на основе карбида кремния
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
1200 В CoolSiC™ MOSFET-транзисторы на основе карбида кремния
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
1200 В CoolSiC™ MOSFET-транзисторы на основе карбида кремния
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
1200 В CoolSiC™ MOSFET-транзисторы на основе карбида кремния
INFINEON
PG-HDSOP-16
2000
1200 В CoolSiC™ MOSFET-транзисторы на основе карбида кремния
INFINEON
PG-HDSOP-16
2000
1200 В CoolSiC™ MOSFET-транзисторы на основе карбида кремния
INFINEON
PG-HDSOP-16
2000
1200 В CoolSiC™ MOSFET-транзисторы на основе карбида кремния
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Infineon Technologies была официально основана 1 апреля 1999 года в Мюнхене, Германия, и является одной из ведущих мировых компаний по производству по…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
TC1791 - это высокопроизводительный микроконтроллер с процессором TriCore, памятью программ и данных, шиной, шинным арбитражем, контроллером пр…IPB35N10S3L-26
[Infineon] IPB35N10S3L-26: Автомобильный MOSFET — 100 В, силовой транзистор OptiMOS™-T, PG-TO263-3Сведения о продукте:Модель: IPB35N10S3L-26Корпус: PG-TO263-3Тип: Автомобильны…IPB133N12NM6
【IPB133N12NM6】120 В, силовой MOSFET-транзистор OptiMOS™ 6, нормальный уровень, в 3-контактном корпусе DPAK.Описание:IPB133N12NM6 — это MOSFET стандартного уровня 120…IPB120N06S4-03
IPB120N06S4-03: 60 В, OptiMOS™ -T2 Автомобильный MOSFET-транзистор, PG-TO263-3Технические характеристики IPB120N06S4-03:Тип продукта: MOSFET Технология: Si Тип монтаж…IMCQ120R078M2H
IMCQ120R078M2H CoolSiC™ MOSFET дискретный 1200 В, 78 мОм G2 в корпусе Q-DPAK с верхним охлаждением, специально разработанном для широкого использования в пром…IMCQ120R017M2H
IMCQ120R017M2H CoolSiC™ MOSFET дискретный 1200 В, 17 мОм G2 в корпусе Q-DPAK с верхним охлаждением, специально разработанном для широкого использования в пром…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: