Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

FF600R12KE7PE

Produktbeschreibung:Модуль IGBT с общим эмиттером 1200В 600А

пакет:Модуль
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF450R12KE7PE

Produktbeschreibung:Модуль 1200В 450А с общим эмиттером IGBT

пакет:Модуль
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IRF7328TRPBF

Produktbeschreibung:30 В P-канальные силовые MOSFET-транзисторы

пакет:SO-8
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA65R026M2H

Produktbeschreibung:650 В, 26 мОм, карбид кремния CoolSiC™ MOSFET транзистор, TO-247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA65R010M2H

Produktbeschreibung:650 В, 10 мОм, карбид кремния CoolSiC™ MOSFET транзистор, TO-247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW65R060M2H

Produktbeschreibung:650 В, 60 мОм, карбид кремния CoolSiC™ MOSFET транзистор, TO-247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZC120R078M2H

Produktbeschreibung:CoolSiC™ MOSFET дискретный 1200 В G2 в корпусе TO-247 4pin с высокой ползучестью

пакет:TO-247-4
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW65R033M2H

Produktbeschreibung:650 В, 33 мОм, карбид кремния CoolSiC™ MOSFET транзистор, TO-247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZC120R053M2

Produktbeschreibung:CoolSiC™ MOSFET дискретный 1200 В G2 в корпусе TO-247 4pin с высокой ползучестью

пакет:TO-247-4
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW65R026M2H

Produktbeschreibung:650 В, 26 мОм, карбид кремния CoolSiC™ MOSFET транзистор, TO-247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW65R010M2H

Produktbeschreibung:650 В, 10 мОм, карбид кремния CoolSiC™ MOSFET транзистор, TO-247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKWH70N67PR7

Produktbeschreibung:670 В, 70 А TRENCHSTOP™ IGBT7 PR7 с антипараллельным диодом

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKWH60N67PR7

Produktbeschreibung:670 В, 60 А TRENCHSTOP™ IGBT7 PR7 с антипараллельным диодом

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGLR65R140D2

Produktbeschreibung:650 В, CoolGaN™ G5 Series - GaN силовой транзистор, PG-TSON-8

пакет:PG-TSON-8
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKWH50N67PR7

Produktbeschreibung:670 В, 50 А TRENCHSTOP™ IGBT7 PR7 с антипараллельным диодом

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF4000UXTR33T2M1

Produktbeschreibung:3,3 кВ, 4,0 мОм, XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Модуль

пакет:Модуль
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler