Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

S26HS512TGABHI003

Produktbeschreibung:Высокоплотная флэш-память SEMPER™ NOR

пакет:BGA-24
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
S70FL01GSAGBHEC13

Produktbeschreibung:1 Гбит SPI 133 МГц NOR Flash Memory IC

пакет:BGA-24
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IM12B20EC1

Produktbeschreibung:Интеллектуальный силовой модуль (IPM) 1200В, 30А, 2500Вrms, трехфазный IGBT7

пакет:Модуль
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
S70FL01GSAGBHEC10

Produktbeschreibung:1 Гбит SPI 133 МГц NOR Flash Memory IC

пакет:BGA-24
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
S25FS256TDPBHI113

Produktbeschreibung:Нано-флэш память SEMPER™ Quad SPI 1.8V 256Mb

пакет:BGA-24
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKWH30N67PR7

Produktbeschreibung:Транзистор 670V, 30A, TRENCHSTOP™ IGBT7 PR7, TO-247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
S25FS256TDPBHI110

Produktbeschreibung:Нано-флэш память SEMPER™ Quad SPI 1.8V 256Mb

пакет:BGA-24
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGZ50N65H5

Produktbeschreibung:650 В, 85 А, 273 Вт, TrenchStop™ 5 IGBT-транзистор, TO-247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZC120R040M2H

Produktbeschreibung:1200 В, 40 мОм, CoolSiC™ MOSFET Дискретный транзистор, TO-247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZC120R026M2H

Produktbeschreibung:Дискретный транзистор CoolSiC™ MOSFET 1200 В, 26 мОм, TO-247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZC120R022M2H

Produktbeschreibung:Дискретный МОП-транзистор CoolSiC™ на 1200 В, 22 мОм, в корпусе TO-247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
S25FL128SDPBHVC10

Produktbeschreibung:ИС FLASH - NOR памяти 128 Мбит SPI - Quad I/O 133 МГц

пакет:24-BGA
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZC120R017M2H

Produktbeschreibung:1200 В, 17 мОм, CoolSiC™ MOSFET Дискретный транзистор, TO-247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZC120R012M2H

Produktbeschreibung:1200 В, 12 мОм, CoolSiC™ MOSFET Дискретный транзистор, TO-247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
S25FL256SAGMFM003

Produktbeschreibung:256Мбит SPI 133 МГц NOR Flash Memory IC

пакет:SOIC-16
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA65R060M2H

Produktbeschreibung:650 В, 60 мОм, Карбид Кремния CoolSiC™ MOSFET Транзистор, TO-247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler