sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:MOSFET Транзисторы
бренд:Wolfspeed
год выпуска:24+
пакет:TOLL-8
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 2000
C3M0025065L - 650 В, 25 мОм, 77 А Карбидкремниевые силовые MOSFET-транзисторы в корпусе TOLL
Описание продукта
C3M0025065L - 650-вольтовый карбидокремниевый силовой MOSFET-транзистор в корпусе TOLL. Компания Wolfspeed расширяет свое технологическое лидерство в области карбида кремния (SiC), представляя МОП-транзисторы третьего поколения на 650 В, что позволяет создавать более компактные, легкие и высокоэффективные устройства преобразования энергии в еще более широком диапазоне энергетических систем. Семейство 650-вольтовых MOSFET идеально подходит для таких применений, как высокопроизводительные промышленные источники питания, питание серверов/телекоммуникаций, системы зарядки электромобилей, системы хранения энергии, источники бесперебойного питания и системы управления аккумуляторами.
Атрибуты продукции
Тип N-канального транзистора
Технология SiCFET (карбид кремния)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss) 650 В
Ток непрерывного стока (Id) @ 25°C 77A (Tc)
Напряжение питания (макс. Rds On, мин. Rds On) 15 В
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 33.5A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.6V @ 9.22mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs 111 nC @ 15 В
Vgs (Max) -8V, +19V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2970 пФ @ 400 В
Рассеиваемая мощность (макс.) 326 Вт (Tc)
Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
INFINEON
PG-HSOG-8
3000
120 В OptiMOS™ 6 силовой N-канальный MOSFET Транзистор, PG-HSOG-8
Wolfspeed
TO-247-3
2000
650 В, 60 мОм, 37 А Кремниевые карбидные силовые MOSFET-транзисторы в корпусе TO-247-3
Wolfspeed
TO-247-4
2000
650 В, 60 мОм, 37 А Кремниевые карбидные силовые MOSFET-транзисторы в корпусе TO-247-4
Wolfspeed
TO-247-3
2000
650V, 45mΩ, 49A Кремниевые карбидные силовые MOSFET транзисторы в корпусе TO-247-3
Wolfspeed
TO-263-7
2000
650 В, 45 мОм, 47 А, Карбид кремния Силовые MOSFET транзисторы TO-263-7
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Компания Wolfspeed (NYSE: NYSE) является лидером на рынке в области глобального внедрения технологий карбида кремния и GaN. Портфель продукции комп…
CAB6R0A23GM4T
CAB6R0A23GM4T - 2300 В, 6 мОм, корпус GM, полумостовой SiC-модуль питания с предварительно нанесенным термоинтерфейсным материалом.Характеристика CAB6…CAB7R5A23GM4T
CAB7R5A23GM4T - 2300 В, 7,5 мОм, корпус GM, полумостовой SiC-модуль питания с предварительно нанесенным термоинтерфейсным материалом.Характеристика CA…CAB5R0A23GM4T
CAB5R0A23GM4T - 2300 В, 5 мОм, корпус GM, полумостовой SiC-модуль питания с предварительно нанесенным термоинтерфейсным материалом.Характеристика CAB5…C3M0280090J
C3m02800000j — мосфит мощностью 900 V карбида кремния с широким электрическим расстоянием и расстоянием между утечкой и источником (~8 мм). Устрой…C3M0160120D
C3M0160120D основа на трет поколен графическ усилител технолог 12 ви, 160 м Ωm, 17 A карбид кремн усилител мощност, высок заблокирова напряжен, низк-…C3M0350120J
C3M0350120J основан на технологии MOSFET третьего поколения, мощностью 7,2 A карбида кремния с высоким блокирующим напряжением, низким электрическ…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: