Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

TLE4263-2ES

Produktbeschreibung:Одноканальный стабилизатор перепада низкого напряжения 5 В DSO-8

пакет:DSO-8
10 шт.
6000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BTS50005-1LUA

Produktbeschreibung:Силовой переключатель/драйвер 1:1 N-канальный 65A PG-HSOF-8-5

пакет:PG-HSOF-8
10 шт.
4000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CY62167G30-45ZXI

Produktbeschreibung:16 Мб MoBL статическая память с произвольным доступом With ECC

пакет:TFSOP-48
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CY8C24223A-24PVXIT

Produktbeschreibung:8-битный микроконтроллер - MCU 4Kb Flsh 256B RAM IND

пакет:SSOP-20
10 шт.
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZC120R034M2H

Produktbeschreibung:Дискретный транзистор 1200V, 34mΩ, CoolSiC ™ MOSFET, TO-247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZC120R053M2H

Produktbeschreibung:Дискретный транзистор 1200V, 53mΩ, CoolSiC ™ MOSFET, TO-247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BSC026N08NS5

Produktbeschreibung:Силовой МОП-транзистор OptiMOS™ 5 на 80 В для телекоммуникационных приложений

пакет:TDSON-8
10 шт.
20000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKW50N65WR5

Produktbeschreibung:650 В, 50 А IGBT с антипараллельным диодом в корпусе TO-247

пакет:TO-247-3
10 шт.
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGLD65R080D2

Produktbeschreibung:650 В G5 GaN HEMT – транзистор нитрида галлия

пакет:PG-LSON-8
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGC033S10S1

Produktbeschreibung:GaN HEMT – транзистор из нитрида галлия 100 В G3, 2,4 м

пакет:PG-TSON-6
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGC033S101

Produktbeschreibung:GaN HEMT – транзистор из нитрида галлия 100 V G3, 2,4 м

пакет:PG-VSON-6
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGC025S08S1

Produktbeschreibung:GaN HEMT – транзистор нитрида галлия 86 A 80 V G3, 1.8 м

пакет:PG-TSON-6
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGC019S06S1

Produktbeschreibung:GaN HEMT – транзистор из нитрида галлия 99 A 60 V G3, 1.3 м

пакет:PG-TSON-6
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGC090S20S1

Produktbeschreibung:GaN HEMT – транзистор из нитрида галлия 43 A 200 V G3, 6,7 м

пакет:PG-TSON-6
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGC037S12S1

Produktbeschreibung:GaN HEMT – транзистор из нитрида галлия 71 A 120 V G3, 2.7m

пакет:PG-TSON-6
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGB110S10S1

Produktbeschreibung:GaN HEMT – транзистор из нитрида галлия 100 В G3, PQFN 3x3, 8 мОм

пакет:PG-TSON-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler