Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Русский

Русский
中文

中文

 English

English

 日本語

日本語

sales@hkmjd.com

онлайн - сервис

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.
модель

VSC7427XJG-02 VSC7425XJG-02 88E6190-A0-TLA2C000

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

Интегральная схема (ИС)

Ethernet Усилитель приборов Коммутаторы PCI Express Автомобильная система-на-кристалле Безопасность и сертификация IC Балансер/привод/ретранслятор ИС интерфейса PCI PCIe Коммутатор Интерфейс - многопротокольный приемопередатчик Приемопередатчик линии электропередачи Петля с фазовой автоподстройкой - PLL Приемопередатчик с радиочастотной выборкой Преобразователь уровня логики Интерфейсная ИС - многоскоростной ретаймер Расширитель SAS Часы/Тиминг, Осцилляторы Часы/таймер - Нано-таймер Цифровой перекрестный переключатель Ультразвуковой приемопередатчик Часы/Тиминг - Линия задержки Контроллер считывания карт Логика - шлюзы и инверторы Передатчик Изолированный компаратор

БТИЗ-модуль

Модуль 2G Модуль 4G Модуль 5G IoT-модуль модуль новой энергии Автомобильный модуль Умный модуль модуль памяти Модуль сотовой связи IoT Модуль спутниковой связи Модуль GNSS Модули LPWA IoT-чипы Модули беспроводной связи

фильтр

Полосно-задерживающие фильтры фильтр низких частот полосовой фильтр SAW Фильтр BAW Фильтр Wi-Fi Фильтр 2,4 ГГц Wi-Fi полос пропуска фильтр Активный фильтр RF-фильтр Фильтры высоких частот Полосовой фильтр Wi-Fi 5 ГГц Полосовой фильтр Wi-Fi 6 ГГц

беспроводное соединение

Wi-Fi 6 ИС Bluetooth Bluetooth 5.1 Bluetooth 5.0 Bluetooth 5.2 Wi-Fi Чип Сверхширокополосная ИС UWB GNSS-приемник Wi-Fi 4 Модули WiFi Bluetooth Низкая энергия Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 Микросхемы беспроводных сетевых карт Модули Bluetooth Беспроводной модуль Wi-Fi Bluetooth аудио SoC

ИИ процессорный чип

дискретный полупроводник

Транзистор - FET, MOSFET - Одиночный Кремниевые диоды силовой модуль Радиочастотный транзистор Модули силовых MOSFET Модули FET из карбида кремния (SIC) Карбид кремния (SIC) FETs P-канал MOSFET Транзисторы - ВЧ-транзисторы, МОП-транзисторы Модули MOSFET Тиристор Модуль массива диодов МОП-транзистор N-канальные МОП-транзисторы Транзистор IGBT Диоды и выпрямители Диоды Шоттки и выпрямители Одиночные диоды Зенера Массивы биполярных транзисторов Модули силовых драйверов Диоды - Выпрямители - Одиночные Транзистор - FET, MOSFET - Массив Транзистор - IGBT - модуль Транзистор - UGBT, MOSFET - Одиночный

Управление питанием

ИС из нитрида галлия (GaN) LDO линейного стабилизатора напряжения контроллер AC - DC и стабилизатор напряжения продукты питания DC - DC эталон напряжения управление батареями Контроллер питания Ethernet (PoE)

Разъемы

ExtremePort Swift Разъемы Multi-Trak™ Разъемы Разъемы VITA 67.3 Разъемы SpaceVPX VITA 78 Разъем ExtremePort Z-Link Разъемы Displayport Магнитные джековые разъемы Разъемы SAS/PCIe 5.0 Разъемы SAS/PCIe 4.0 Мини-разъем USB Разъемы SFP112G Разъемы MiniSAS HD Разъемы OSFP-XD Разъемы DSFP Разъемы CXP Разъемы QSFP Разъемы OSFP Разъем SFP Разъемы CFP2 Разъемы ввода-вывода Mini Cool Edge Разъемы SlimSAS™ Разъемы Mini-SAS высокой плотности Разъемы OCuLink Разъемы для соединения проводов с платой

Датчики

Индуктивный датчик Замки и переключатели с эффектом Холла Биосенсор Датчики времени пролета Кондиционеры сигналов датчиков оптический датчик Датчики расхода Датчик влажности на плате Биометрические датчики Датчик скорости Датчик влажности Датчик тока эффекта Холла Ультразвуковой датчик Оптические датчики, фотодиоды Датчик влажности, чувствительный к влажности Оптические детекторы и датчики - инфракрасные детекторы Датчик температуры на плате Газовые датчики Датчики положения Промышленные радиолокационные датчики миллиметровых волн Автомобильные миллиметроволновые радарные датчики Датчик изображения Радиолокационный датчик Датчик движения-гироскоп

Память

NOR флеш оперативная память память с произвольным доступом статический случайный доступ к памяти SRAM синхронный динамический случайный доступ к памяти SDRAM AI Память F-RAM LPDDR5 uMCP EEPROM Твердотельные накопители - SSD Стандартная последовательная память EEPROM Последовательная память EEPROM автомобильного класса eMMC Псевдостатическая случайная память (PSRAM) Стираемое программируемое ПЗУ Флэш-память NAND Универсальное флэш-хранилище - UFS Динамическая память с произвольным доступом DRAM Память - модуль

AI Ускоритель

Первая страница /саморазгружающаяся продукция

бренд:

без ограничения Apple ST Cypress TI INFINEON Xilinx BROADCOM Altera QUALCOMM Maxim Atmel Intel ADI Microchip Renesas ON NXP TOSHIBA SAMSUNG SILICON Micron Lattice ROHM Murata REALTEK MITSUBISHI LT VISHAY Skyworks Panasonic Quectel All Sensors MStar Quantenna NVIDIA POCO SK hynix Starpower Alliance Knowles SMARTsemi CEVA OMNIVISION ScioSense Lantronix SemiQ Kinetic Axelite GENESYS ICPlus UNISOC Littelfuse Lite-On APCE NIKO-SEM NICHTEK TXC WILLSEMI AMAZING PANJIT MACOM Hosonic Asmedia HUAWEI GaN Systems COSEL SkyHigh ATP Swissbit JL Bluetrum Motorcomm SEQUANS Wolfspeed Kingston Sensirion JAE KIOXIA SGMICRO United Chemi-Con I-PEX HIROSE Amphenol NOVOSENSE Mini-Circuits NICHICON MBI SOUTHCHIP WUQI Sinopower Rockchip ESPRESSIF MTK AOS VICOR MaxLinear NWATT SHINKO SHIMADEN Pushtechs Appotech Actions SiTime Richwave SanDisk NUVOTON VATICS AKM MAXIC AVX Entropic NS Excelitas Nexperia Wolfson Melexis Navitas EBYTE ISSI BES BYD AMS Hittite Bourns CUI Spansion CREE NORDIC Airoha AMD SMSC Semtech POWER OMRON Triquint RFMD IXYS Honeywell SANYO Explore Enpirion EPSON Ericsson ELAN IDT Allegro Cirrus NEC PHILIPS Microsemi Winbond FUJI Freescale FAIRCHILD IR Silvertel pSemi MST MXIC ANLOGIC BOSCH SIMCOM Qorvo FTDI InvenSense Molex Kionix GigaDevice AVAGO RICHTEK SILERGY ITE MPS SHARP Intersil Samtec Vitesse Marvell Diodes Lumissil MEMSIC PARADE TE LEM U-BLOX ALPS JRC PLX Micrel TDK

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

NVH4L095N065SC1

NVH4L095N065SC1

ON

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) MOSFET, N-канальный - EliteSiC, 70 мОм, 650 В, M2, TO247-4L

пакет:TO-247-4
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NTCR013N120M3S

NTCR013N120M3S

ON

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 13 мОм, 1200 В, M3S

пакет:Die
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NVH4L025N065SC1

NVH4L025N065SC1

ON

Produktbeschreibung:Карбид кремния MOSFET, N-канальный - EliteSiC, 21 мОм, 650 В, M2, TO247-4L

пакет:TO-247-4
10 шт.
5000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NVH4L018N075SC1

NVH4L018N075SC1

ON

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) MOSFET, N-канальный - EliteSiC, 13,5 мОм, 750 В, M2, TO247-4L

пакет:TO-247-4
10 шт.
5000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NTH4L095N065SC1

NTH4L095N065SC1

ON

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 70 мОм, 650 В, M2, TO-247-4L

пакет:TO-247-4
10 шт.
2990
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NXH011T120M3F2PTHG

NXH011T120M3F2PTHG

ON

Produktbeschreibung:Модуль из карбида кремния (SiC) - 11 мОм SiC M3S MOSFET, 1200 В, топология TNPC в корпусе F2

пакет:PIM-29
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NXV08H250DPT2

NXV08H250DPT2

ON

Produktbeschreibung:Автомобильный 80-вольтовый двухполупериодный мосфетный модуль с прижимными сигнальными контактами

пакет:APM17-MFA
10 шт.
1800
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NXH800H120L7QDSG

NXH800H120L7QDSG

ON

Produktbeschreibung:Модуль полумоста IGBT Qdual3 1200V 800A

пакет:PIM-11
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NXV08B800DT1

NXV08B800DT1

ON

Produktbeschreibung:Автомобильный 80-вольтовый 2-канальный модуль Mosfet, APM17

пакет:APM17-MDC
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NXH030P120M3F1PTG

NXH030P120M3F1PTG

ON

Produktbeschreibung:Модуль из карбида кремния (SiC) - EliteSiC, 30 мОм SiC M3S MOSFET, 1200 В

пакет:PIM-18
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NXH030F120M3F1PTG

NXH030F120M3F1PTG

ON

Produktbeschreibung:Модуль из карбида кремния (SiC) - EliteSiC, 30 мОм SiC M3S MOSFET, 1200 В

пакет:PIM-22
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NXH015P120M3F1PTG

NXH015P120M3F1PTG

ON

Produktbeschreibung:Модуль из карбида кремния (SiC) - EliteSiC, 15 мОм SiC M3S MOSFET, 1200 В, 2-PACK топология полумост

пакет:PIM-18
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NXH015F120M3F1PTG

NXH015F120M3F1PTG

ON

Produktbeschreibung:Модуль из карбида кремния (SiC) - EliteSiC, 15 мОм SiC M3S MOSFET, 1200 В

пакет:PIM-22
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NTHL099N60S5

NTHL099N60S5

ON

Produktbeschreibung:MOSFET - силовой, одиночный N-канальный, SUPERFET V, Easy Drive, TO247-3L 600 В, 99 м, 33 А

пакет:TO-247-3
10 шт.
2500
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NCD57090BDWR2G

NCD57090BDWR2G

ON

Produktbeschreibung:Драйвер затвора 6.5A с емкостной связью 5000Vrms 1 канал 8-SOIC

пакет:SOIC-8
10 шт.
10000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NTBGS1D5N06C

NTBGS1D5N06C

ON

Produktbeschreibung:MOSFET - силовой, одиночный N-канальный, D2PAK7 60 В, 1,55 м, 267 А

пакет:D2PAK-7
10 шт.
25000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
всего 1479 записи«Предыдущая страница12345678910...93Следующая страница»
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler