sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:Модуль IPM
бренд:ON
год выпуска:25+
пакет:DIP-32
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 1000
NFL25065L4BT - это модуль Motion SPM 2, который обеспечивает полнофункциональный, высокопроизводительный уровень входной мощности PFC (коррекция коэффициента мощности) для бытовой электроники, медицинских и промышленных приложений. Эти модули интегрируют оптимизированный привод ворот со встроенными IGBTs для минимизации EMI и потерь, а также обеспечивают различные функции защиты модулей, включая блокировку низкого напряжения, отключение избыточного тока, тепловой мониторинг и сообщение о неисправностях. Эти модули также имеют полноволновые выпрямители и высокопроизводительные выходные диоды, которые дополнительно экономят пространство и удобны в установке.
Базовый параметр
Коллекторные — эмиттерные полюса с максимальным напряжением v.s. 650 V
Напряжение коллекторного-лучевого насыщения: 650 V
Непрерывный коллекторный ток в 25 C: 50 A
Температур работ: - 40 ° C до 150 ° + C
Стиль установки: Through Hole
Упаковка/упаковка: DIP-32
тюбик
Дистанция: 125 вт
Тип продукции: Intelligent Power Modules-IPMs
Классическое применение
• двухфазный преобразователь PFC (уровень AC 200V)
♦ вентиляц (коммерческ кондиционер)
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
INFINEON
DIP-24
1000
CIPOS ™ Mini 600 В, 30 А трехфазный интеллектуальный блок питания IPM
INFINEON
DIP-24
1000
CIPOS ™ Mini 600 В, 20 А трехфазный интеллектуальный блок питания IPM
ON
DIP-34
1500
Интеллектуальный силовой модуль IGBT серии ASPM34 автомобильного класса 3 фазы 1200V 25A
INFINEON
Модуль
3000
Интеллектуальный силовой модуль (IPM) 1200В, 30А, 2500Вrms, трехфазный IGBT7
INFINEON
Модуль
3000
600 В, 15 А, CIPOS™ Mini трехфазный интеллектуальный силовой модуль (IPM)
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
ON Semiconductor (Nasdaq: ON) — ведущий поставщик высокопроизводительных кремниевых решений для энергоэффективной электроники.Ассортимент продукци…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET основан на уникальной каскодной конфигурации схемы, в которой нормально включенный SiC JFET совмещен с Si MOSFET для создания нормал…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET основан на уникальной каскодной конфигурации схемы, в которой нормально включенный SiC JFET совмещен с Si MOSFET для создания нормал…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET основан на уникальной каскодной конфигурации схемы, в которой нормально включенный SiC JFET совмещен с Si MOSFET для создания нормал…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S - это высокопроизводительный быстродействующий JFET F3 SiC с каскодным оптимизированным MOSFET для создания единственного на современн…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET основан на уникальной каскодной конфигурации схемы, в которой нормально включенный SiC JFET совмещен с Si MOSFET для создания нормал…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1: 1700 В, 45 А, 53 мОм, карбид кремния (SiC) N-канальный MOSFET транзистор, TO-247-4Модель: NVH4L050N170M1Корпус: TO-247-4Тип: Карбид кремния (SiC) MOSFET транзисто…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: