sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:Модуль IPM
бренд:ON
год выпуска:25+
пакет:DIP-34
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 1500
Устройство NFVA22512NP2T является усовершенствованным автомобильным модулем IPM, который обеспечивает полнофункциональный, высокопроизводительный выходной уровень инвертора для гибридных и электромобилей. Модуль интегрирует оптимизированный встроенный привод ворот IGBT для минимизации EMI и потерь, а также обеспечивает различные функции защиты модуля, включая блокировку низкого напряжения, отключение избыточного тока, тепловой мониторинг привода IC и отчет о неисправностях.
Встроен высокоскоростн HVIC тольк нуж напряжен питан, и введ логическ уровн сеточн преобразован входн необходим для правильн привод модул внутрен IGBTs высок напряжен, велик ток привод сигна. Каждая фаза имеет отдельный отрицательный IGBT порт для поддержки наиболее широкого алгоритма управления.
Базовый параметр
Коллекторные — эмиттерные полюса с максимальным напряжением v.2 кв
Температур работ: - 40 ° C до + 125 ° C
Стиль установки: Through Hole
Упаковка/упаковка: DIP-34
тюбик
Тип продукции: Intelligent Power Modules-IPMs
прикладн
• вспомогательный электродвигатель высокого давления
• климатический компрессор
* масляный насос/насос
• супер/ турбокомпрессор
* поклонники варьете
Управление движением
• промышленный электродвигатель
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
INFINEON
DIP-24
1000
CIPOS ™ Mini 600 В, 30 А трехфазный интеллектуальный блок питания IPM
INFINEON
DIP-24
1000
CIPOS ™ Mini 600 В, 20 А трехфазный интеллектуальный блок питания IPM
ON
DIP-32
1000
PFC SPM ® 2 Series, 650 V, 50 A (IPM) Модуль для 2-фазного переплетения PFC
INFINEON
Модуль
3000
Интеллектуальный силовой модуль (IPM) 1200В, 30А, 2500Вrms, трехфазный IGBT7
INFINEON
Модуль
3000
600 В, 15 А, CIPOS™ Mini трехфазный интеллектуальный силовой модуль (IPM)
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
ON Semiconductor (Nasdaq: ON) — ведущий поставщик высокопроизводительных кремниевых решений для энергоэффективной электроники.Ассортимент продукци…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET основан на уникальной каскодной конфигурации схемы, в которой нормально включенный SiC JFET совмещен с Si MOSFET для создания нормал…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET основан на уникальной каскодной конфигурации схемы, в которой нормально включенный SiC JFET совмещен с Si MOSFET для создания нормал…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET основан на уникальной каскодной конфигурации схемы, в которой нормально включенный SiC JFET совмещен с Si MOSFET для создания нормал…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S - это высокопроизводительный быстродействующий JFET F3 SiC с каскодным оптимизированным MOSFET для создания единственного на современн…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET основан на уникальной каскодной конфигурации схемы, в которой нормально включенный SiC JFET совмещен с Si MOSFET для создания нормал…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1: 1700 В, 45 А, 53 мОм, карбид кремния (SiC) N-канальный MOSFET транзистор, TO-247-4Модель: NVH4L050N170M1Корпус: TO-247-4Тип: Карбид кремния (SiC) MOSFET транзисто…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: