Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

NOIP1FN0300A-QTI
ON

Produktbeschreibung:Датчик изображения CMOS 4,8 мкм х 4,8 мкм 48-LCC (14,22x14,22)

пакет:LCC-48
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NOIP1SN2000A-QTI
ON

Produktbeschreibung:CMOS-датчик изображения 4,8 мкм х 4,8 мкм 84-LCC (19x19)

пакет:LCC-84
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NOIP1SN1300A-QTI
ON

Produktbeschreibung:Датчик изображения CMOS 4,8 мкм х 4,8 мкм 48-LCC (14,22x14,22)

пакет:LCC-48
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NOIX1SN012KB-LTI1
ON

Produktbeschreibung:Кмоп изображен сенсор 4096H x 3072V 3,2 МКМ x 3,2 МКМ 163 - CLGA (20,88 x19.9)

пакет:CLGA-163
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NOIX1SE012KB-LTI1
ON

Produktbeschreibung:Кмоп изображен сенсор 4096H x 3072V 3,2 МКМ x 3,2 МКМ 163 - CLGA (20,88 x19.9)

пакет:CLGA-163
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NOIX2SN8000B-LTI1
ON

Produktbeschreibung:Датчик изображения CMOS 4096H x 2160V 3.2 мкм x 3.2 мкм 163-CLGA (20.88x19.9)

пакет:CLGA-163
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AR2020CSSM13SMTA0-DP2
ON

Produktbeschreibung:Кмоп изображен сенсор 5120H x 3840V 1,4 МКМ x 1,4 МКМ

пакет:PBGA-78
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AR0234CSSC00SUKA0-CP
ON

Produktbeschreibung:1/2,6-дюймовый 2,3 Мп CMOS цифровой датчик изображения с глобальным затвором

пакет:ODCSP-83
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVXK2VR80WDT2
ON

Produktbeschreibung:Карбид кремн (SiC) модул 1200V 80m Ω 20A трехфазн мостов питан модул

пакет:APM-32
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVXK2PR80WXT2
ON

Produktbeschreibung:Карбид кремн (SiC) модул 1200V 80m Ω 31A все модул блок питан наземн мост

пакет:APM-32
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH010P120M3F1PTG
ON

Produktbeschreibung:Модуль EliteSiC (SiC), 10 mohm SiC m3 MOSFET, 1200 V для установки 18-PIM

пакет:PIM-18
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTCTR028N170M1
ON

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) MOSFET EliteSiC, 28 mohm, 1700 V, M1, D2PAK-7L

пакет:D2PAK-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVBG095N065SC1
ON

Produktbeschreibung:Карбид кремн (SiC) усилител EliteSiC, 70 mohm 650 ви, M2, D2PAK − 7L

пакет:D2PAK−7
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVBG023N065M3S
ON

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) MOSFET EliteSiC, 23 mohm, 650 V, m3, D2PAK-7L

пакет:D2PAK-7
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVHL060N065SC1
ON

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) N канал EliteSiC, 60 MOSFET, 650 V, M2, TO247-3L

пакет:TO-247-3
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVHL023N065M3S
ON

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) MOSFET EliteSiC, 23 mohm, 650 V, M3S, TO-247-3L

пакет:TO-247-3
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler