Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

FFSH1065B-F155
ON

Produktbeschreibung:Диод Шоттки из карбида кремния (SiC) - EliteSiC, 10A, 650V, D2, TO-247-2L

пакет:TO-247-2
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVXR22S90M2SPC
ON

Produktbeschreibung:Автомобиль express 900V, 2,2 mOhm непосредственно охлаждает 6-Pack карбид кремния

пакет:SSDC-39
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVXR17S90M2SPB
ON

Produktbeschreibung:Модуль карбида кремния (SiC) 900V, одностороннее прямое рассеивание тепла 1.7mOhm, 900V, 6-Pack

пакет:SSDC-39
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVXR22S90M2SPB
ON

Produktbeschreibung:Автомобиль express 900V, 2,2 mOhm непосредственно охлаждает 6-Pack карбид кремния

пакет:SSDC-39
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVXR17S90M2SPC
ON

Produktbeschreibung:Модуль карбида кремния (SiC) - одностороннее прямое рассеивание тепла, 1.7mOhm 900V 6-Pack

пакет:SSDC-39
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AFGHL40T120RWD-STD
ON

Produktbeschreibung:IGBT - силовые, Co-PAK N-канальные, Field Stop VII (FS7), SCR, TO247-3L

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AFGHL40T120RW-STD
ON

Produktbeschreibung:IGBT - силовой, одиночный, N-канальный, полевой стопор VII (FS7), SCR, TO247-3L

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AFGH4L40T120RW-STD
ON

Produktbeschreibung:IGBT - силовые, одиночные, N-канальные, полевой стопор VII (FS7), SCR, TO247-4L

пакет:TO-247-4
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AFGH4L40T120RWD-STD
ON

Produktbeschreibung:IGBT - автомобильный класс 1200 В 40 А, TO-247-4L

пакет:TO-247-4
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
PCFFS50120AF
ON

Produktbeschreibung:Диод Шоттки из карбида кремния (SiC) - EliteSiC, 50 A, 1200 В, D1

пакет:TO-247-2
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTH4L018N075SC1
ON

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) MOSFET, N-канальный - EliteSiC, 13,5 мОм, 750 В, M2, TO247-4L

пакет:TO-247-4
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTH4L023N065M3S
ON

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 23 мОм, 650 В, M3S, TO-247-4L

пакет:TO-247-4
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVH4L023N065M3S
ON

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 23 мОм, 650 В, M3S, TO-247-4L

пакет:TO-247-4
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVHL1000N170M1
ON

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 960 мОм, 1700 В, M1, TO-247-3L

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVHL015N065SC1
ON

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) MOSFET, N-канальный - EliteSiC, 12 мОм, 650 В, M2, TO247-3L

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTH4L013N120M3S
ON

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 13 мОм, 1200 В, M3S

пакет:TO-247-4
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler