sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:Карбид кремния MOSFET однотрубный
бренд:ON
год выпуска:25+
пакет:H-PSOF-8
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 2000
Устройство NTBL023N065M3S представляет собой карбид кремния (SiC) MOSFET, предназначенный для применения с быстрым переключением и обеспечивающий надежную производительность. NTBL023N065M3S имеет типичный RDS (on) 23 мОм при VGS = 18 В, сверхнизкий заряд ворот (QG (tot) = 69 нС) и высокоскоростной переключатель с низкой емкостью (Coss = 152 pF). NTBL023N065M3S SiC MOSFET идеально подходит для таких приложений, как источники питания в режиме переключения (SMPS), солнечные инверторы, источники бесперебойного питания (UPS), системы накопления энергии и инфраструктура, обеспечивая мощную производительность для современных требований управления питанием.
Технический параметр
Упаковка/упаковка: H-PSOF-8
Полярность транзистора: N-Channel
Количество каналов: 1 чаннел
Напряжение пробивающего источника Vds- утечки: 650 V
Ток непрерывного потока: 77 A
Сопротивление потока Rds On- утечка: 32,6 mOhms
Vgs-сетка-источник напряжения: 8 V, плюс 22 V
Пороговое напряжение Vgs th- решёточного источника: 4 V
Заряд сетки Qg- 69 nC
Минимальная рабочая температура: минус 55 C
Максимальная рабочая температура + 175 C
Дисперсия мощности: 312 W
Режим канала: Enhancement
сингла
Время падения: 9.6 нс
риэль
снято
Продукт: SiC MOSFETS
Тип продукции: SiC MOSFETS
Время подъёма: 15 нс
Серия: ntbl023n0665m3
Тип транзистора: 1 N-Channel
Классическое время задержки: 35 нс
Типичное время задержки: 11 нс
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
INFINEON
TO-247-4
3000
1200V, 60mΩ, CoolSiC™ Карбидкремниевый MOSFET Транзистор, TO-247-4
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
ON Semiconductor (Nasdaq: ON) — ведущий поставщик высокопроизводительных кремниевых решений для энергоэффективной электроники.Ассортимент продукци…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET основан на уникальной каскодной конфигурации схемы, в которой нормально включенный SiC JFET совмещен с Si MOSFET для создания нормал…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET основан на уникальной каскодной конфигурации схемы, в которой нормально включенный SiC JFET совмещен с Si MOSFET для создания нормал…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET основан на уникальной каскодной конфигурации схемы, в которой нормально включенный SiC JFET совмещен с Si MOSFET для создания нормал…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S - это высокопроизводительный быстродействующий JFET F3 SiC с каскодным оптимизированным MOSFET для создания единственного на современн…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET основан на уникальной каскодной конфигурации схемы, в которой нормально включенный SiC JFET совмещен с Si MOSFET для создания нормал…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1: 1700 В, 45 А, 53 мОм, карбид кремния (SiC) N-канальный MOSFET транзистор, TO-247-4Модель: NVH4L050N170M1Корпус: TO-247-4Тип: Карбид кремния (SiC) MOSFET транзисто…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: