sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:Карбид Кремния (SiC) MOSFET
бренд:ON
год выпуска:25+
пакет:TO-220-3
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 3000
UJ4C075018K4S: 750 В, 18 мОм, карбид кремния (SiC) MOSFET транзистор, TO-247-4
Основная информация:
Модель: UJ4C075018K4S
Корпус: TO-247-4
Тип: Карбид кремния (SiC) MOSFET транзистор
Тип транзистора: N-канальный
Технология: SiCFET (SiCJFET с общим истоком и общим затвором)
Напряжение сток-исток (Vdss): 750 В
Ток при 25°C - непрерывный сток (Id): 81A (Tc)
Сопротивление включения (макс.) при различных Id, Vgs: 23 мОм @ 20A, 12V
Vgs(th) при различных Id (max): 6V @ 10mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при различных Vgs: 37.8 nC @ 15 В
Vgs (max): ±20 В
Входная емкость (Ciss) при изменяющемся Vds (макс.): 1422 пФ @ 100 В
Рассеиваемая мощность (макс.): 385 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа: сквозное отверстие
Комплект поставки: TO-247-4
Упаковка/корпус: TO-247-4
UJ4C075018K4S Особенности продукта:
Максимальная рабочая температура: 175 °C
Сопротивление включения (RDS(on)): 18 Ом (типовое)
Отличное обратное восстановление
Низкий заряд затвора
Применение UJ4C075018K4S:
Зарядка электромобилей
Фотоэлектрические инверторы
Коммутируемые источники питания
Модули коррекции коэффициента мощности
Драйверы двигателей
Индукционный нагрев
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
ON
TO-247-4
3000
1700V, 45A, 53mohm, карбид кремния (SiC) MOSFET транзистор, TO-247-4
ON
TO-247-4
3000
Карбид кремния (Sic) MOSFET EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-4L
ST
HiP247-3
3000
1200 В Мощность карбида кремния автомобильного класса MOSFET, 27 мОм, 56 А, HiP247
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
ON Semiconductor (Nasdaq: ON) — ведущий поставщик высокопроизводительных кремниевых решений для энергоэффективной электроники.Ассортимент продукци…
UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET основан на уникальной каскодной конфигурации схемы, в которой нормально включенный SiC JFET совмещен с Si MOSFET для создания нормал…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1: 1700 В, 45 А, 53 мОм, карбид кремния (SiC) N-канальный MOSFET транзистор, TO-247-4Модель: NVH4L050N170M1Корпус: TO-247-4Тип: Карбид кремния (SiC) MOSFET транзисто…NTBL032N065M3S
NTBL032N065M3S: Карбид кремния (SiC) MOSFET - 650 В, 55 А, N-канальный MOSFET транзистор, H-PSOF-8Модель: NTBL032N065M3SУпаковка: H-PSOF-8Тип: Карбид кремния (SiC) MOSFET транзист…UJ3C065030T3S
UJ3C065030T3S: Карбид кремния (SiC) MOSFET - 650 В, 85 А, N-канальный MOSFET транзистор, TO-220-3Основная информация:Номер модели: UJ3C065030T3SУпаковка: TO-220-3Тип: Карби…UJ3C120150K3S
UJ3C120150K3S - каскадный JFET-транзистор EliteSiC на 1200 В, 150 мОм, из карбида кремния (SiC) в корпусе TO-247-3.Основная информация:Номер модели: UJ3C120150K3SУпаков…UJ3C065030K3S
UJ3C065030K3S: 650 В, 27 мОм, каскадный МОП-транзистор из карбида кремния (SiC) - EliteSiC, TO-247-3Основная информация:Номер модели: UJ3C065030K3SУпаковка: TO-247-3Тип:…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: