sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:Карбид кремния (Sic) MOSFET
бренд:Wolfspeed
год выпуска:24+
пакет:TO-263-7
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 3000
C3M0350120J основан на технологии MOSFET третьего поколения, мощностью 7,2 A карбида кремния с высоким блокирующим напряжением, низким электрическим сопротивлением и низким емкостным высокоскоростным переключателем. MOSFET использует мини-упаковки TO-263-7. Типичные применения включают возобновляемые источники энергии, переключатели высокого давления/переключатели, переключатели (SMPS) и беспрерывные источники питания (UPS).
Спецификация C3M0350120J:
Тип FET: канал N
Технология: SiCFET (карбид кремния)
Источник напряжения утечки (Vdss) : 1200 V
25 ° C ток-утечк подряд очен (Id) : 7,2 а (тис)
Приводное напряжение (максимальная Rds On, минимальная Rds On) : 15V
Различные Id, Vgs-часовое сопротивление (максимум) : 455 миллиoo@3.6 A, 15V
Различные идентификационные часы Vgs(th) (максимум) : 3.6V @1mA
Различные заряды сетки Vgs-часов (Qg) (максимум) : 13 nC @15 V
Vgs (максимум) : +15V, минус 4V
* ёмкость входного конденсатора (Ciss) (максимум) : 345 pF @1000 V
Функция FET
Максимальная потеря мощности: 40,8 W (Tc)
Температур работ: - 55 ° C - 150 ° C (ти дже)
Тип установки: тип поверхностной наклейки
Упаковка оборудования поставщика: TO-263-7
Инкапсуляция/оболочка: TO-263-8, D2PAK (7 проводов + выпуклость), TO-263CA
Основной продукт C3M0350120
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
ON
TO-247-3
3000
Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-3L
ON
TO-247-4
3000
Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-4L
ON
D2PAK-7
3000
Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, D2PAK-7L
ON
D2PAK-7
3000
Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, D2PAK-7L
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Компания Wolfspeed (NYSE: NYSE) является лидером на рынке в области глобального внедрения технологий карбида кремния и GaN. Портфель продукции комп…
HAS310M17BM3
HAS310M17BM3 - полумостовой модуль на 1700 В 310 А из карбида кремния.Особенности HAS310M17BM3Стандартный промышленный размер 62 ммКорпус CTI ≥ 600 (группа м…CAB6R0A23GM4T
CAB6R0A23GM4T - 2300 В, 6 мОм, корпус GM, полумостовой SiC-модуль питания с предварительно нанесенным термоинтерфейсным материалом.Характеристика CAB6…CAB7R5A23GM4T
CAB7R5A23GM4T - 2300 В, 7,5 мОм, корпус GM, полумостовой SiC-модуль питания с предварительно нанесенным термоинтерфейсным материалом.Характеристика CA…CAB5R0A23GM4T
CAB5R0A23GM4T - 2300 В, 5 мОм, корпус GM, полумостовой SiC-модуль питания с предварительно нанесенным термоинтерфейсным материалом.Характеристика CAB5…C3M0280090J
C3m02800000j — мосфит мощностью 900 V карбида кремния с широким электрическим расстоянием и расстоянием между утечкой и источником (~8 мм). Устрой…C3M0160120D
C3M0160120D основа на трет поколен графическ усилител технолог 12 ви, 160 м Ωm, 17 A карбид кремн усилител мощност, высок заблокирова напряжен, низк-…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: