sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
бренд:
рисунок продукции
тип
марка
описание параметров
количество заказа
запасы
количество покупки
единичная цена
операция
Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) MOSFET- EliteSiC, 70 мОм, 1200 В, M3S, TO247-4L
пакет:TO-247-4Produktbeschreibung:Фотодиод 420 нм 250ps 36-WBGA
пакет:36-WBGAProduktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 мОм, 1200 В, M3S, TO-247-3L
пакет:TO-247-3Produktbeschreibung:Фотодиод 420 нм 160ps 8-WBGA
пакет:8-WBGAProduktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 30 мОм, 1200 В, M3S, D2PAK-7L
пакет:D2PAK-7LProduktbeschreibung:Фотодиод 420 нм 110ps 8-WBGA
пакет:8-WBGAProduktbeschreibung:MOSFET из карбида кремния (SiC) - EliteSiC, 33 мОм, 650 В, M2 Power88
пакет:TDFN-4Produktbeschreibung:Фотодиод 420nm 600ps 4-SMD, без вывода
пакет:4-SMDProduktbeschreibung:Фотодиод 420nm 300ps 4-SMD, без вывода
пакет:4-SMDProduktbeschreibung:Фотодиод 420nm 600ps 4-SMD, без вывода
пакет:4-SMDProduktbeschreibung:Фотодиод 420nm 1ns 4-SMD, без вывода
пакет:4-SMDProduktbeschreibung:Фотодиод 420nm 600ps 4-SMD, без вывода
пакет:4-SMDProduktbeschreibung:КМОП-датчик изображения 4,8 мкм x 4,8 мкм 48-LCC
пакет:48-LCCProduktbeschreibung:I²C, SPI Цифровой изолятор 5000Vrms 3-канальный 15Mbps 100kV/µs CMTI 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
пакет:SOIC-16Produktbeschreibung:КМОП-датчик изображения 808H x 608V 4.8µm x 4.8µm 67-ODCSP
пакет:67-WFBGAProduktbeschreibung:Модуль IGBT 3 фазы 1,2 kV 10A 27-PowerDIP (1,205, 30,60 мм)
пакет:27-DIPконтактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: