sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:MICROFJ-60035-TSV-TR
Руководство по данным:MICROFJ-60035-TSV-TR.PDF
бренд:ON
год выпуска:23+
пакет:36-WBGA
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 1000
MICROFJ-60035-TSV-TR - это кремниевые фотоэлектронные умножители (SiPM), датчики с высоким PDE и временным разрешением в корпусе TSV. Датчики серии J отличаются высокой эффективностью детектирования фотонов (PDE), которая достигается при использовании крупносерийного кремниевого литейного процесса P-on-N.
Характеристики изделия
Длина волны: 420 нм
Спектральный диапазон: 200 нм ~ 900 нм
Тип диода: Лавинный
Время срабатывания: 250 с
Напряжение - постоянное обратное (Vr) (макс.): 24.7 V
Ток - темный (Typ): 7,5 мкА
Активная область: 36,85 мм²
Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
Тип монтажа: Поверхностный монтаж
Упаковка / корпус: 36-WBGA
Особенности продукта
Микроэлементы высокой плотности
Быстродействующий выходной терминал
Температурная стабильность 21,5 мВ/°C
Равномерность напряжения пробоя ±250 мВ
Поставляются в корпусе TSV, совместимом с пайкой паяльником
Сверхнизкая скорость темновых отсчетов - типичная 50 кГц/мм2
Оптимизированы для высокопроизводительных приложений синхронизации, таких как ToF-PET
Размеры датчиков 3 мм, 4 мм и 6 мм
Напряжение смещения <30 В
50% эффективность детектирования фотонов (PDE) при длине волны 420 нм
Улучшенное время нарастания сигнала и время восстановления микроэлемента
Отпадает необходимость в активном управлении напряжением
Высокая однородность
TSV-пакет практически не создает мертвого пространства, что позволяет создавать массивы с высоким коэффициентом заполнения и не содержит черных металлов
Области применения
Медицинская визуализация
Опасности и угрозы
Трехмерная дальнометрия и зондирование
Биофотоника и наука
Физика высоких энергий
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
ON Semiconductor (Nasdaq: ON) — ведущий поставщик высокопроизводительных кремниевых решений для энергоэффективной электроники.Ассортимент продукци…
NXH020P120MNF1PG
NXH020P120MNF1PG - это модуль SiC MOSFET, содержащий полумост SiC MOSFET с сопротивлением 20 мОм 1200 В и термистор NTC в модуле F1.Характеристика NXH020P120MNF1PGПолумо…FSBB10CH120DFL
FSBB10CH120DFL - это модуль Motion SPM 3, который обеспечивает полнофункциональную, высокопроизводительную выходную ступень инвертора для двигател…AP0101AT2L00XPGA0-DR2
AP0101AT2L00XPGA0-DR2 - это специализированный сопроцессор автомобильных изображений, способный реализовать гибкую платформу камеры с использова…NTHL032N065M3S
NTHL032N065M3S представляет собой 650V карбид кремния (SiC) MOSFET. Новая серия 650V M3S Planar SiC MOSFET оптимизирована для применения быстрого переключения. Пл…NTH4L032N065M3S
NTH4L032N065M3S представляет собой плоский SiC MOSFET EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S. Этот 650V карбид кремния (SiC) MOSFET обеспечивает отличные характеристики переключ…NTBG032N065M3S
NTBG032N065M3S представляет собой новое устройство серии 650V M3S Planar SiC MOSFET, оптимизированное для применения быстрого переключения. Плоская техно…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: