Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

Сеть резисторов

бренд:

без ограничения Apple ST Cypress TI INFINEON Xilinx BROADCOM Altera QUALCOMM Maxim Atmel Intel ADI Microchip Renesas ON NXP TOSHIBA SAMSUNG SILICON Micron Lattice ROHM Murata REALTEK MITSUBISHI LT VISHAY Skyworks Panasonic Quectel NANYA FUJITSU OSRAM ASPEED Diotec Semiconductor SONIX Astera WeEn LUXNET I-CHIPS Lontium NationalChip Azoteq Centec UltraSense ESMT Chrontel All Sensors MStar Quantenna NVIDIA POCO SK hynix Starpower Alliance Knowles SMARTsemi CEVA OMNIVISION ScioSense Lantronix SemiQ Kinetic Axelite GENESYS ICPlus UNISOC Littelfuse Lite-On APCE NIKO-SEM NICHTEK TXC WILLSEMI AMAZING PANJIT MACOM Hosonic Asmedia HUAWEI GaN Systems COSEL SkyHigh ATP Swissbit JL Bluetrum Motorcomm SEQUANS Wolfspeed Kingston Sensirion JAE KIOXIA SGMICRO United Chemi-Con I-PEX HIROSE Amphenol NOVOSENSE Mini-Circuits NICHICON MBI SOUTHCHIP WUQI Sinopower Rockchip ESPRESSIF MTK AOS VICOR MaxLinear NWATT SHINKO SHIMADEN Pushtechs Appotech Actions SiTime Richwave SanDisk NUVOTON VATICS AKM MAXIC AVX Entropic NS Excelitas Nexperia Wolfson Melexis Navitas EBYTE ISSI BES BYD AMS Hittite Bourns CUI Spansion CREE NORDIC Airoha AMD SMSC Semtech POWER OMRON Triquint RFMD IXYS Honeywell SANYO Explore Enpirion EPSON Ericsson ELAN IDT Allegro Cirrus NEC PHILIPS Microsemi Winbond FUJI Freescale FAIRCHILD IR Silvertel pSemi MST MXIC ANLOGIC BOSCH SIMCOM Qorvo FTDI InvenSense Molex Kionix GigaDevice AVAGO RICHTEK SILERGY ITE MPS SHARP Intersil Samtec Vitesse Marvell Diodes Lumissil MEMSIC PARADE TE LEM U-BLOX ALPS JRC PLX Micrel TDK

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

NTMTS001N06CLTXG
ON

Produktbeschreibung:Поверхностный монтаж N-канальный 60 В 398,2A (Tc) 5 Вт 8-DFNW (8,3x8,4)

пакет:8-DFNW
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTMFS5C645NT1G
ON

Produktbeschreibung:Одноканальный N-канальный силовой MOSFET 60 В, 94 А, 4,5 мОм

пакет:DFN-5
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTBG022N120M3S
ON

Produktbeschreibung:МОП-транзистор из карбида кремния (SiC) - EliteSiC, 22 мом, 1200 В, M3S, D2PAK-7L

пакет:D2PAK-7L
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTH4L020N120SC1
ON

Produktbeschreibung:N-канальный 1200 В 102 А (Тс) 510 Вт (Тс) со сквозным отверстием TO-247-4L

пакет:TO-247-4
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTHL025N065SC1
ON

Produktbeschreibung:MOSFET из карбида кремния (SiC) - EliteSiC, 19 мОм, 650 В, M2, TO-247-3L

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMFS021N10MCLT1G
ON

Produktbeschreibung:MOSFET Одиночный N-канальный силовой MOSFET 100 В, 31 А, 23 мОм

пакет:DFN-5
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTH4L045N065SC1
ON

Produktbeschreibung:N-канальный 650 В 55А (Тс) 187 Вт (Тс) сквозное отверстие TO-247-4L

пакет:TO-247-4
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVBG025N065SC1
ON

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 19 мОм, 650 В, M2, D2PAK-7L

пакет:D2PAK-7L
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTHL030N120M3S
ON

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 29 мОм, 1200 В, M3S, TO-247-3L

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVH4L060N065SC1
ON

Produktbeschreibung:МОП-транзистор из карбида кремния (SiC), N-канальный - EliteSiC, 44 мОм, 650 В, M2, TO247-4L

пакет:TO-247-4L
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTHL045N065SC1
ON

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 мОм, 650 В, M2, TO-247-3L

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTTFS012N10MDTAG
ON

Produktbeschreibung:N-канальный MOSFET с экранированным затвором PowerTrench® 100 В, 45 А, 14,4 мОм

пакет:WDFN-8
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTH4L070N120M3S
ON

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 65 мОм, 1200 В, M3S, TO-247-4L

пакет:TO-247-4L
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTHL070N120M3S
ON

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 65 мОм, 1200 В, M3S, TO-247-3L

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVH4L040N120M3S
ON

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) MOSFET- EliteSiC, 40 мОм, 1200 В, M3S, TO247-4L

пакет:TO-247-4L
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTH4L040N120M3S
ON

Produktbeschreibung:Карбидокремниевые (SiC) МОП-транзисторы - серия EliteSiC, 40 мОм, 1200 В, M3S, корпус TO-247-4L

пакет:TO-247-4L
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler