Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

BSM450D12P4G102

Produktbeschreibung:1200 В, 447 А, полумост, полный SiC-модуль питания с траншейным МОП-транзистором

пакет:MODULE
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BSM300D12P4G101

Produktbeschreibung:MOSFET - Массив 1200В (1,2кВ) 291А (Тс) 925Вт (Тс) Модуль для установки на шасси

пакет:MODULE
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BSM300D12P3E005

Produktbeschreibung:MOSFET - Array 1200V (1.2kV) 300A (Tc) 1260W (Tc) Модуль для монтажа на шасси

пакет:Module
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BSM600C12P3G201

Produktbeschreibung:Модуль N-канальный 1200 В 600 А (Тс) 2460 Вт (Тс) для установки на шасси

пакет:Module
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BSM120D12P2C005

Produktbeschreibung:MOSFET - массив 1200В (1,2кВ) 120А (Тс) 780Вт Модуль

пакет:Module
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BSM180D12P2C101

Produktbeschreibung:MOSFET - массив 1200В (1,2кВ) 204А (Тс) 1130Вт Модуль

пакет:Module
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BSM300C12P3E201

Produktbeschreibung:Модуль N-канальный 1200 В 300 А (Тс) 1360 Вт (Тс) для установки на шасси

пакет:Module
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BSM600D12P3G001

Produktbeschreibung:MOSFET - Array 1200V (1.2kV) 600A (Tc) 2450W (Tc) Модуль для установки на шасси

пакет:Module
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BSM400D12P3G002

Produktbeschreibung:MOSFET - Array 1200V (1.2kV) 400A (Tc) 1570W (Tc) Модуль для установки на шасси

пакет:Module
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGT80TS65DGC13

Produktbeschreibung:IGBT-канальный поле имеет предельный срок 650 V, 70 A, 234 W, точечное отверстие TO-247G

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGT00TS65DGC13

Produktbeschreibung:Пределом для IGBT-канального поля является 650 V, 85 A, 277 W-тоннель TO-247G

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGTV80TS65GC11

Produktbeschreibung:По состоянию на конец игры в IGBT power field пределом 650 V 78 A 234 W прохода TO-247N

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGTV60TK65GVC11

Produktbeschreibung:IGBT-power-point-поле имеет предел 650 V, 33 A, 76 W-тоннель TO-3PFM

пакет:TO-3PFM
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGTVX2TS65DGC11

Produktbeschreibung:По состоянию на конец IGBT-канального поля 650 V 111 A 319 W-проходной путь TO-247N

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGTH60TS65GC13

Produktbeschreibung:IGBT-locking field — крайний срок для 650 V, 58 A, 194 W-тонкой линии TO-247

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGS80TS65DHRC11

Produktbeschreibung:IGBT-канальный поле имеет предельный срок 650 V, 73 A, 272 W, TO-247N

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler