Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

RGW60TS65HRC11

Produktbeschreibung:IGBT с рифленым полем отсечки 650 В 64 А 178 Вт Сквозное отверстие TO-247N

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGS60NL65DHRBTL

Produktbeschreibung:IGBT-транзисторы с полевой остановкой 650V 59A 228W поверхностного монтажа TO-263L

пакет:TO-263-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGS60NL65HRBTL

Produktbeschreibung:IGBT-транзисторы с полевой остановкой 650V 59A 228W поверхностного монтажа TO-263L

пакет:TO-263-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGS50NL65HRBTL

Produktbeschreibung:IGBT-транзисторы с полевой остановкой 650V 50A 206W поверхностный монтаж TO-263L

пакет:TO-263-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGS30NL65DHRBTL

Produktbeschreibung:IGBT-транзисторы с допуском короткого замыкания 8 с, 650 В 15 А

пакет:TO-263-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW80NL65DHRBTL

Produktbeschreibung:650V 40A Полевые траншейные IGBT транзисторы

пакет:TO-263-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW80NL65HRBTL

Produktbeschreibung:650V 40A Полевые траншейные IGBT транзисторы

пакет:TO-263-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW60NL65HRBTL

Produktbeschreibung:650V 30A Полевые траншейные IGBT транзисторы

пакет:TO-263-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW50NL65DHRBTL

Produktbeschreibung:650V 25A Полевые траншейные IGBT транзисторы

пакет:TO-263-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW40NL65DHRBTL

Produktbeschreibung:650V 20A Полевые траншейные IGBT транзисторы

пакет:TO-263-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW40TK65DGVC11

Produktbeschreibung:650V 20A Полевые траншейные IGBT транзисторы

пакет:TO-3PFM
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW00TS65CHRC11

Produktbeschreibung:Гибридные IGBT-транзисторы 650 В 50 А со встроенным SiC-SBD

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGWX5TS65EHRC11

Produktbeschreibung:650V 75A Полевые траншейные IGBT-транзисторы

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGS30TSX2GC11

Produktbeschreibung:IGBT с рифленым полем отсечки 1200 В 30 А 267 Вт со сквозным отверстием TO-247N

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGTH80TK65GC11

Produktbeschreibung:IGBT с рифленым полем отсечки 650 В 31 A 66 Вт со сквозным отверстием TO-3PFM

пакет:TO-3PFM
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGTH50TK65DGC11

Produktbeschreibung:IGBT траншейного типа с отсечкой по полю 650 В 26 А 59 Вт со сквозным отверстием TO-3PFM

пакет:TO-3PFM
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler