sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:SCT3080KRC15
Руководство по данным:SCT3080KRC15.pdf
бренд:ROHM
год выпуска:23+
пакет:TO-247-4L
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 1200
SCT3080KRC15 - N-канальные SiC силовые MOSFET транзисторы
Атрибуты изделия
Тип транзистора: N-канальный
Технология: SiC (транзистор с переходом из карбида кремния)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 1200 V
Ток непрерывного стока (Id) при 25°C: 31A (Tj)
Напряжение питания (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104 мОм @ 10A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5,6 В @ 5 мА
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs: 60 нК @ 18 В
Vgs (Max): +22 В, -4 В
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: 785 пФ @ 800 В
Рассеиваемая мощность (макс.): 165W
Рабочая температура: 175°C (TJ)
Тип монтажа: Сквозное отверстие
Комплект поставки: TO-247-4L
Упаковка / корпус: TO-247-4
Особенности продукта
Низкое сопротивление включения
Высокая скорость переключения
Быстрое обратное восстановление
Простота параллельного подключения
Простой привод
Области применения
Солнечные инверторы
DC/DC-преобразователи
Источники питания с переключаемым режимом работы
Индукционный нагрев
Моторные приводы
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
ST
PowerFLAT-4
1000
N-канальный логический уровень 40 В, 2,2 мОм макс., 167 A STripFET F8 Силовой MOSFET в корпусе PowerFLAT 5x6
ST
PowerFLAT-4
1000
N-канальный логический уровень 40 В, 2,2 мОм макс., 167 A STripFET F8 Силовой MOSFET в корпусе PowerFLAT 5x6
ST
PowerFLAT-4
1000
Автомобильный N-канальный повышающий логический уровень 40 В, 0,75 мОм макс, 373 А Силовой MOSFET STripFET F8
ST
PowerFLAT-4
1000
N-канальный силовой МОП-транзистор STripFET™ F7 на 100 В, 5 мОм, 107 А, в корпусе PowerFLAT™ 5x6
ST
PowerFLAT-4
1000
N-канальный повышающий режим логического уровня 40 В, 0,8 мОм макс, 360 А, силовой МОП-транзистор STripFET F8
ST
PowerFLAT-4
1000
N-канальный 100 В, 3,2 мОм макс, 158 A STripFET F8 Силовой MOSFET в корпусе PowerFLAT 5x6
INFINEON
PG-TO247-4-11
1000
Канал N со сквозным отверстием 1200 В 69А (Тс) 326 Вт (Тс) PG-TO247-4-11
INFINEON
PG-TO247-4-14
1000
Канал N со сквозным отверстием 1200 В 17А (Тс) 109 Вт (Тс) PG-TO247-4-14
INFINEON
PG-TO247-4
1000
Канал N со сквозным отверстием 1200 В 31A (Tc) 169 Вт (Tc) PG-TO247-4-14
INFINEON
PG-TO247-4
1000
Канал N со сквозным отверстием 1200 В 202 А (Тс) 750 Вт (Тс) PG-TO247-4-11
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
ROHM Co., Ltd. является одним из ведущих мировых производителей полупроводников со штаб-квартирой в Киото, Япония. Компания ROHM разрабатывает и…
RGS50TSX2DGC11
Траншейные IGBT с полевой заделкой RGS50TSX2DGC11 - это биполярные транзисторы с изолированным затвором с гарантированным временем работы 10 мкс S…RGWX5TS65HRC11
650-вольтовые траншейные IGBT с полевой заделкой RGWX5TS65HRC11 отличаются низким напряжением насыщения коллектор-эмиттер в компактном корпусе. О…RGW00TS65DHRC11
Траншейные IGBT с полевой заделкой RGW00TS65DHRC11 650 В отличаются низким напряжением насыщения коллектор-эмиттер в компактном корпусе. Благодаря…RGS50TSX2GC11
Траншейные IGBT с полевой заделкой RGS50TSX2GC11 - это биполярные транзисторы с изолированным затвором с гарантированным временем работы 10 мкс SC…RGTV00TK65DGC11
RGTV00TK65DGC11 650 В IGBT с полевой заделкой траншейного типа отличаются низким напряжением насыщения коллектор-эмиттер в небольшом корпусе. К их …RGS30TSX2DGC11
Траншейные IGBT с полевой заделкой RGS30TSX2DGC11 - это биполярные транзисторы с изолированным затвором с гарантированным временем работы 10 мкс S…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: