Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

PSMN4R2-80YSEX

Produktbeschreibung:Ffpak56, Power-SO8 (Power-SO8), LFPAK56, пролив 80 V 170A (Ta)

пакет:LFPAK56
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
PSMN1R2-55SLHAX

Produktbeschreibung:Транзакция N типа 55 V 330A (Ta) 375W (Ta) LFPAK88 (SOT1235)

пакет:LFPAK88
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN063-650WSAQ

Produktbeschreibung:Проходной путь 650 V 34,5 A (Ta) 143W (Ta) TO-247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN041-650WSBQ

Produktbeschreibung:Тоннель тоннель N 650 V 47.2A 187W TO-247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NEH2000BYJ

Produktbeschreibung:PMIC для сбора энергии 16-HWQFN (3х3)

пакет:HWQFN-16
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN140-650EBEZ

Produktbeschreibung:650 В, 140 мОм нитрид галлия (GaN) FET в корпусе DFN 8 мм x 8 мм

пакет:DFN8080-8
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN190-650FBEZ

Produktbeschreibung:650 В, 190 мОм нитрид галлия (GaN) FET в корпусе DFN 5 мм x 6 мм

пакет:DFN5060-5
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN140-650FBEZ

Produktbeschreibung:650 В, 140 мОм нитрид галлия (GaN) FET в корпусе DFN 5 мм x 6 мм

пакет:DFN5060-5
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN7R0-150LBEZ

Produktbeschreibung:150 В, 7 мОм нитрид галлия (GaN) FET в корпусе LGA размером 2,2 мм x 3,2 мм x 0,774 мм

пакет:FCLGA-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN190-650EBEZ

Produktbeschreibung:650 В, 190 мОм нитрид галлия (GaN) FET в корпусе DFN 8 мм x 8 мм

пакет:DFN8080-8
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN080-650EBEZ

Produktbeschreibung:650 В, 80 мОм нитрид галлия (GaN) FET в корпусе DFN 8 мм x 8 мм

пакет:DFN8080-8
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN3R2-100CBEAZ

Produktbeschreibung:100 В, 3,2 мОм GaN FET в корпусе WLCSP 3,5 мм x 2,13 мм

пакет:WLCSP-8
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NGW30T60M3DFQ

Produktbeschreibung:IGBT с рифленым полем отсечки 600 В 75 А 285 Вт Сквозное отверстие TO247-3L

пакет:TO-247-3L
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BUK6Y61-60PX

Produktbeschreibung:Внешний вид, P-канал, 60V 25A (Ta) 66W (Ta) LFPAK56, Power-SO8

пакет:LFPAK56
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BUK6D30-40EX

Produktbeschreibung:Транзакционный N канал 40V 6A (Ta), 18A (Tc) 2W (Ta), 19W (Tc) DFN2020MD-6

пакет:6-UDFN
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BUK6Y33-60PX

Produktbeschreibung:Внешний вид, P-канал, 60V 30A (Ta) 110W (Ta) LFPAK56, Power-SO8

пакет:LFPAK56
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler