sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:GAN140-650EBEZ
Руководство по данным:GAN140-650EBEZ.pdf
бренд:Nexperia
год выпуска:23+
пакет:DFN8080-8
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 1000
GAN140-650EBEZ - это 650 В, 140 мОм галлий-нитридный (GaN) FET общего назначения в корпусе DFN 8 мм x 8 мм для поверхностного монтажа. Это нормально выключенный прибор с отличными характеристиками.
Характеристики изделия
Тип ФЭТ: N-канальный
Технология: GaNFET (нитрид галлия)
Напряжение сток-исток (Vdss): 650 В
Ток при 25°C - непрерывный ток стока (Id): 17 А (Ta)
Напряжение питания (макс. Rds On, мин. Rds On): 6 В
Сопротивление включения (макс.) при различных Id, Vgs: 140 мОм при 5А, 6В
Vgs(th) при различных Id (макс.): 2,5 В @ 17,2 мА
Заряд затвора (Qg) при Vgs (max): 3,5 нК @ 6 В
Vgs (max): +7 В, -1,4 В
Входная емкость (Ciss) при различных значениях Vds (макс.): 125 пФ @ 400 В
Рассеиваемая мощность (макс.): 113 Вт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа: поверхностный монтаж, смачиваемые стороны
Комплект поставки: DFN8080-8
Упаковка/корпус: 8-VDFN с открытой площадкой
Области применения
Высокая плотность мощности и высокая эффективность преобразования энергии
AC-DC преобразователи, КРМ с тотемным полюсом
DC-DC преобразователи
Быстрая зарядка аккумуляторов, мобильных телефонов, ноутбуков, планшетов и зарядных устройств USB Type-C
Преобразователи для ЦОД и телекоммуникаций (AC-DC и DC-DC)
Драйверы электродвигателей
Солнечные (фотоэлектрические) инверторы
Аудиоусилители класса D, блоки питания для телевизоров и драйверы светодиодов
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
Nexperia
CCPAK1212i
3000
Нитрид галлия (GaN) FET тип поверхностного монтажа N канал 650 V 58.5A (Tc) 250 W (Tc) CCPAK1212i
Nexperia
CCPAK1212
3000
Нитрид галлия (GaN) FET Поверхностно-монтажный N-канал 650 V 60A (Tc) 300 W (Tc) CCPAK1212
Nexperia
WLCSP-22
3000
Нитрид галлия (GaN) FET тип поверхностного монтажа N-канал 40 V 20A (Ta) 13W (Ta) 22-WLCSP (2.1x2.1)
Nexperia
VQFN-7
3000
Нитрид галлия (GaN) FET Поверхностно-монтажный N-канал 150 V 100 A (Ta) 65 W (Ta) VQFN
TI
54-VQFN
2000
600 В 30 мОм GaN FET со встроенным драйвером, защитой и обнаружением нулевого напряжения
TI
WQFN-16
2000
100 В 4,4 мОм полумостовой GaN FET со встроенным драйвером и защитой
NXP
OM−780−4S4S
1000
2496-2690 МГц, средняя мощность 85 Вт, 48 В Airfast® RF Power GaN Transistor
NXP
OM- 780- 4S4S
1000
2110-2200 МГц, средняя мощность 85 Вт, 48 В Airfast® RF Power GaN Transistor
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Ansys Semiconductor (China) Co. Nexperia - ведущий мировой производитель, специализирующийся на производстве дискретных приборов, логических устройств и М…
PSC2065JJ
SiC диоды Шоттки PSC2065JJ для сверхвысокой производительности, низких потерь и высокой эффективности преобразования энергии. SiC диод Шоттки, …PSC2065LQ
SiC диоды Шоттки PSC2065LQ для сверхвысокой производительности, низких потерь и высокой эффективности преобразования энергии. SiC диод Шоттки, …GAN039-650NTBZ
GAN039-650NTBZ — 650V, 33 m Ω нитрид галл (ид) фет, CCPAK1212i инкапсуляц сверточн, низк индуктивн, низк выключател потер и высок надёжност.Спецификация на…GAN039-650NBBHP
GAN039-650NBBHP — 650 V 33m Ω нитрид галл (ид) фет, CCPAK1212 инкапсуляц. Устройство использует соединение без проводов, оптимизируемое экзотермическое и…GANB4R8-040CBAZ
GANB4R8-040CBAZ двусторон ид фет — 40V, 4,8 m Ω двухсторон нитрид галл (ид) электрон подвижн транзистор (HEMT). GANB4R8-040CBA — обычный закрытый emode FET, имеющий …GANE3R9-150QBAZ
GANE3R9-150QBAZ нитрид галл (ид) фет — универсальн 150V, 3,9 m Ω нитрид галл (ид) фет. Ганее3r9 -150QBA — устройство, часто закрывающееся в электронных модел…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: