sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:GAN041-650WSBQ
Руководство по данным:GAN041-650WSBQ.pdf
бренд:Nexperia
год выпуска:23+
пакет:TO-247-3
срок поставки:Новый оригинал.
количество запасов: 1000
GAN041-650WSBQ нитрид галл (ид) фет утечк 650V источник напряжен, 47,2 а утечк очен номинальн ток и 41m Ω сам больш сопротивлен. GAN041 использует инкапсулятор TO-247, часто закрытый прибор, связывающий технологию HEMT H2 под высоким давлением и технологию MOSFET с низким давлением. Эти технические комбинации могут обеспечить превосходную надежность и производительность.
Свойство продукции
Тип FET: канал N
Технология: галлий.
Напряжение утечки (Vdss) : 650 V
25 ° C ток-утечк подряд очен (Id) : 47,2 а
Приводное напряжение (максимальная Rds On, минимальная Rds On) : 10V
Различные Id, Vgs-часовое сопротивление (максимум) : 41 миллиoo@32a, 10V
Различные Id-часы Vgs(th) (максимум) : 4.5V @1ma
Различные заряды сетки Vgs-часов (Qg) (максимум) : 22 nC @10 V
Vgs (максимум) : минус 20V
Во время различных Vds-часов входная ёмкость (Ciss) (максимум) : 1500 pF @400 V
Функция FET
Максимальная потеря мощности: 187W
Температур работ: - 55 ° C - 175 ° C (ти дже)
Тип установки: сквозное отверстие
Упаковка оборудования поставщика: TO-247-3
Инкапсуляция/оболочка: TO-247-3
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
Nexperia
CCPAK1212i
3000
Нитрид галлия (GaN) FET тип поверхностного монтажа N канал 650 V 58.5A (Tc) 250 W (Tc) CCPAK1212i
Nexperia
CCPAK1212
3000
Нитрид галлия (GaN) FET Поверхностно-монтажный N-канал 650 V 60A (Tc) 300 W (Tc) CCPAK1212
Nexperia
WLCSP-22
3000
Нитрид галлия (GaN) FET тип поверхностного монтажа N-канал 40 V 20A (Ta) 13W (Ta) 22-WLCSP (2.1x2.1)
Nexperia
VQFN-7
3000
Нитрид галлия (GaN) FET Поверхностно-монтажный N-канал 150 V 100 A (Ta) 65 W (Ta) VQFN
TI
54-VQFN
2000
600 В 30 мОм GaN FET со встроенным драйвером, защитой и обнаружением нулевого напряжения
TI
WQFN-16
2000
100 В 4,4 мОм полумостовой GaN FET со встроенным драйвером и защитой
NXP
OM−780−4S4S
1000
2496-2690 МГц, средняя мощность 85 Вт, 48 В Airfast® RF Power GaN Transistor
NXP
OM- 780- 4S4S
1000
2110-2200 МГц, средняя мощность 85 Вт, 48 В Airfast® RF Power GaN Transistor
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Ansys Semiconductor (China) Co. Nexperia - ведущий мировой производитель, специализирующийся на производстве дискретных приборов, логических устройств и М…
PSC2065JJ
SiC диоды Шоттки PSC2065JJ для сверхвысокой производительности, низких потерь и высокой эффективности преобразования энергии. SiC диод Шоттки, …PSC2065LQ
SiC диоды Шоттки PSC2065LQ для сверхвысокой производительности, низких потерь и высокой эффективности преобразования энергии. SiC диод Шоттки, …GAN039-650NTBZ
GAN039-650NTBZ — 650V, 33 m Ω нитрид галл (ид) фет, CCPAK1212i инкапсуляц сверточн, низк индуктивн, низк выключател потер и высок надёжност.Спецификация на…GAN039-650NBBHP
GAN039-650NBBHP — 650 V 33m Ω нитрид галл (ид) фет, CCPAK1212 инкапсуляц. Устройство использует соединение без проводов, оптимизируемое экзотермическое и…GANB4R8-040CBAZ
GANB4R8-040CBAZ двусторон ид фет — 40V, 4,8 m Ω двухсторон нитрид галл (ид) электрон подвижн транзистор (HEMT). GANB4R8-040CBA — обычный закрытый emode FET, имеющий …GANE3R9-150QBAZ
GANE3R9-150QBAZ нитрид галл (ид) фет — универсальн 150V, 3,9 m Ω нитрид галл (ид) фет. Ганее3r9 -150QBA — устройство, часто закрывающееся в электронных модел…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: