sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
бренд:
рисунок продукции
тип
марка
описание параметров
количество заказа
запасы
количество покупки
единичная цена
операция
Produktbeschreibung:650 В CoolSiC™ MOSFET - карбид кремния (SiC) MOSFET в 3-контактном корпусе TO247
пакет:TO-247-3Produktbeschreibung:650 В Силовой прибор CoolSiC™ M1 SiC Trench Power Device
пакет:TO-263-7Produktbeschreibung:650 В Силовой прибор CoolSiC™ M1 SiC Trench Power Device
пакет:TO-263-7Produktbeschreibung:Компактный SMD корпус SiC MOSFETs
пакет:TO-263-7Produktbeschreibung:Компактный SMD корпус SiC MOSFETs
пакет:TO-263-7Produktbeschreibung:Карбидокремниевые МОП-транзисторы траншейного типа CoolSiC™ на 1700 В в корпусе TO-263-7
пакет:TO-263-7Produktbeschreibung:Диод 1200 ви 110A говор отверст PG-TO247-2
пакет:TO-247-2Produktbeschreibung:Диод 1200 V 87A открытое отверстие PG- to447 -2
пакет:TO-247-2Produktbeschreibung:Диод 1200 V 62A проходной PG- to47 -2
пакет:TO-247-2Produktbeschreibung:Диод 1200 V 49A сквозное отверстие PG- to447 -2
пакет:TO-247-2Produktbeschreibung:Диод 1200 V 34A прохода PG- 247-2
пакет:TO-247-2Produktbeschreibung:Диод 1200 V 56A (PG-TO263-2-1) с обшивкой поверхности
пакет:TO-263-3Produktbeschreibung:Диод 1200 V - 40A с обшивкой поверхности PG- 263-2-1
пакет:TO-263-3Produktbeschreibung:Диод 1200 V 31,9 A с обшивкой поверхности PG- 263-2-1
пакет:TO-263-3Produktbeschreibung:Диод 1200 V 22,8 A с поверхностной наклейкой PG-TO263-2-1
пакет:TO-263-3Produktbeschreibung:Диод 1,200 V, 19,1 A, оснащён трубкой PG-TO263-2-1
пакет:TO-263-3контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: