Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

IMBG120R060M1H

Produktbeschreibung:МОП-транзисторы карбидкремниевые на 1200 В CoolSiC™ в корпусе TO-263-7

пакет:TO-263-7
10 шт.
1200
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW120R090M1H

Produktbeschreibung:Карбидокремниевые МОП-транзисторы на 1200 В CoolSiC™ траншейного типа в корпусе TO247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZ120R030M1H

Produktbeschreibung:Карбидокремниевые МОП-транзисторы 1200 В CoolSiC™ траншейного типа в корпусе TO247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW120R350M1H

Produktbeschreibung:Карбидокремниевые МОП-транзисторы на 1200 В CoolSiC™ траншейного типа в корпусе TO247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
1200
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZ120R220M1H

Produktbeschreibung:Карбидокремниевые МОП-транзисторы 1200 В CoolSiC™ траншейного типа в корпусе TO247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW120R220M1H

Produktbeschreibung:Карбидокремниевые МОП-транзисторы на 1200 В CoolSiC™ траншейного типа в корпусе TO247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IAUC60N04S6N031H

Produktbeschreibung:MOSFET-массив 40V 60A (Tj) 75W (Tc) с поверхностной наклейкой PG-TDSON-8-56

пакет:PG-TDSON-8-56
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IAUT240N08S5N019

Produktbeschreibung:Транзакция N типа 80 V 240A (Tc) 230W (Tc) PG-HSOF-8-1

пакет:PG-HSOF-8-1
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IAUA220N08S5N021

Produktbeschreibung:Поверхностная пластинка, 80 V 220A (Tj) 211W (Tc) PG-HSOF-5-4

пакет:PG-HSOF-5-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AIDK12S65C5ATMA1

Produktbeschreibung:Диод 650 V 12A с поверхностной наклейкой PG-TO263-2

пакет:TO263-2
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AIDK10S65C5ATMA1

Produktbeschreibung:Диод 650 V - 10A с поверхностной наклейкой PG-TO263-2

пакет:TO263-2
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AIDK08S65C5ATMA1

Produktbeschreibung:Диод 650 V 8A с обшивкой поверхности PG-TO263-2

пакет:TO263-2
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R030M1H

Produktbeschreibung:МОП-транзисторы карбидкремниевые на 1200 В CoolSiC™ в корпусе TO-263-7

пакет:TO-263-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW65R039M1H

Produktbeschreibung:650 В CoolSiC™ MOSFET - карбид кремния (SiC) MOSFET в 3-контактном корпусе TO247

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW65R027M1H

Produktbeschreibung:650 В CoolSiC™ MOSFET - карбид кремния (SiC) MOSFET в 3-контактном корпусе TO247

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG65R260M1H

Produktbeschreibung:Компактный SMD корпус SiC MOSFETs

пакет:TO-263-7
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler