Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

DF17MR12W1M1HFB68BPSA1

Produktbeschreibung:N-канальные 1200 В 45 А (Tj) 20 мВт модули карбидкремниевых МОП-транзисторов для монтажа в шасси

пакет:Module
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FS45MR12W1M1B11BOMA1

Produktbeschreibung:MOSFET - массив 1200 В (1,2 кВ) 25 А (Tj) 20 мВт (Tc) Монтаж на шасси AG-EASY1BM-2

пакет:MODULE
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF6MR12W2M1B11BOMA1

Produktbeschreibung:MOSFET - массив 1200 В (1,2 кВ) 200 А (Tj) 20 мВт (Tc) Монтаж на шасси AG-EASY2BM-2

пакет:MODULE
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF2MR12KM1HOSA1

Produktbeschreibung:MOSFET - массив 1200В (1,2кВ) 500А (Тс) монтаж на шасси AG-62MM

пакет:MODULE
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF3MR12KM1HOSA1

Produktbeschreibung:MOSFET - массив 1200В (1,2кВ) 375А (Тс) монтаж на шасси AG-62MM

пакет:MODULE
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF6MR12KM1PHOSA1

Produktbeschreibung:MOSFET - массив 1200В (1,2кВ) 250А (Тс) монтаж на шасси AG-62MM

пакет:MODULE
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF23MR12W1M1B11BOMA1

Produktbeschreibung:MOSFET - массив 1200В (1,2кВ) 50А 20мВт Модуль для установки на шасси

пакет:MODULE
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF6MR12W2M1PB11BPSA1

Produktbeschreibung:MOSFET - массив 1200 В (1,2 кВ) 200 А (Tj) 20 мВт (Tc) Монтаж на шасси

пакет:MODULE
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF8MR12W2M1B11BOMA1

Produktbeschreibung:MOSFET - массив 1200 В (1,2 кВ) 150 А (Tj) 20 мВт (Tc) Монтаж на шасси AG-EASY2BM-2

пакет:MODULE
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF11MR12W1M1PB11BPSA1

Produktbeschreibung:MOSFET - массив 1200В (1,2кВ) 100А (Tj) 20мВт монтаж на шасси AG-EASY1B-2

пакет:MODULE
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF8MR12W2M1PB11BPSA1

Produktbeschreibung:Модуль полумоста 1200 В CoolSiC™ MOSFET

пакет:MODULE
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF45MR12W1M1B11BOMA1

Produktbeschreibung:MOSFET - массив 1200 В (1,2 кВ) 25 А (Tj) 20 мВт (Tc) Монтаж на шасси AG-EASY1BM-2

пакет:MODULE
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF23MR12W1M1PB11BPSA1

Produktbeschreibung:IGBT-модули Trench 2 отдельно стоящие 1200 В 50 А 20 мВт Крепление на шасси AG-EASY1BM-2

пакет:MODULE
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF2MR12W3M1HB11BPSA1

Produktbeschreibung:MOSFET - массив 1200V 400A (Tj) 20mW для установки на шасси AG-EASY3B

пакет:MODULE
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
F423MR12W1M1PB11BPSA1

Produktbeschreibung:MOSFET - Array 1200V 50A для монтажа на шасси AG-EASY1B-2

пакет:MODULE
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
F411MR12W2M1B76BOMA1

Produktbeschreibung:MOSFET - массив 1200 В (1,2 кВ) 100 А (Tj) монтаж на шасси AG-EASY1B-2

пакет:MODULE
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler