Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

бренд:

без ограничения Apple ST Cypress TI INFINEON Xilinx BROADCOM Altera QUALCOMM Maxim Atmel Intel ADI Microchip Renesas ON NXP TOSHIBA SAMSUNG SILICON Micron Lattice ROHM Murata REALTEK MITSUBISHI LT VISHAY Skyworks Panasonic Quectel Diotec Semiconductor SONIX Astera WeEn LUXNET I-CHIPS Lontium NationalChip Azoteq Centec UltraSense ESMT Chrontel All Sensors MStar Quantenna NVIDIA POCO SK hynix Starpower Alliance Knowles SMARTsemi CEVA OMNIVISION ScioSense Lantronix SemiQ Kinetic Axelite GENESYS ICPlus UNISOC Littelfuse Lite-On APCE NIKO-SEM NICHTEK TXC WILLSEMI AMAZING PANJIT MACOM Hosonic Asmedia HUAWEI GaN Systems COSEL SkyHigh ATP Swissbit JL Bluetrum Motorcomm SEQUANS Wolfspeed Kingston Sensirion JAE KIOXIA SGMICRO United Chemi-Con I-PEX HIROSE Amphenol NOVOSENSE Mini-Circuits NICHICON MBI SOUTHCHIP WUQI Sinopower Rockchip ESPRESSIF MTK AOS VICOR MaxLinear NWATT SHINKO SHIMADEN Pushtechs Appotech Actions SiTime Richwave SanDisk NUVOTON VATICS AKM MAXIC AVX Entropic NS Excelitas Nexperia Wolfson Melexis Navitas EBYTE ISSI BES BYD AMS Hittite Bourns CUI Spansion CREE NORDIC Airoha AMD SMSC Semtech POWER OMRON Triquint RFMD IXYS Honeywell SANYO Explore Enpirion EPSON Ericsson ELAN IDT Allegro Cirrus NEC PHILIPS Microsemi Winbond FUJI Freescale FAIRCHILD IR Silvertel pSemi MST MXIC ANLOGIC BOSCH SIMCOM Qorvo FTDI InvenSense Molex Kionix GigaDevice AVAGO RICHTEK SILERGY ITE MPS SHARP Intersil Samtec Vitesse Marvell Diodes Lumissil MEMSIC PARADE TE LEM U-BLOX ALPS JRC PLX Micrel TDK

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

NVH4L025N065SC1
ON

Produktbeschreibung:Карбид кремния MOSFET, N-канальный - EliteSiC, 21 мОм, 650 В, M2, TO247-4L

пакет:TO-247-4
10 шт.
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVH4L018N075SC1
ON

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) MOSFET, N-канальный - EliteSiC, 13,5 мОм, 750 В, M2, TO247-4L

пакет:TO-247-4
10 шт.
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTH4L095N065SC1
ON

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 70 мОм, 650 В, M2, TO-247-4L

пакет:TO-247-4
10 шт.
2990
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH011T120M3F2PTHG
ON

Produktbeschreibung:Модуль из карбида кремния (SiC) - 11 мОм SiC M3S MOSFET, 1200 В, топология TNPC в корпусе F2

пакет:PIM-29
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXV08H250DPT2
ON

Produktbeschreibung:Автомобильный 80-вольтовый двухполупериодный мосфетный модуль с прижимными сигнальными контактами

пакет:APM17-MFA
10 шт.
1800
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH800H120L7QDSG
ON

Produktbeschreibung:Модуль полумоста IGBT Qdual3 1200V 800A

пакет:PIM-11
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXV08B800DT1
ON

Produktbeschreibung:Автомобильный 80-вольтовый 2-канальный модуль Mosfet, APM17

пакет:APM17-MDC
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH030P120M3F1PTG
ON

Produktbeschreibung:Модуль из карбида кремния (SiC) - EliteSiC, 30 мОм SiC M3S MOSFET, 1200 В

пакет:PIM-18
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH030F120M3F1PTG
ON

Produktbeschreibung:Модуль из карбида кремния (SiC) - EliteSiC, 30 мОм SiC M3S MOSFET, 1200 В

пакет:PIM-22
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH015P120M3F1PTG
ON

Produktbeschreibung:Модуль из карбида кремния (SiC) - EliteSiC, 15 мОм SiC M3S MOSFET, 1200 В, 2-PACK топология полумост

пакет:PIM-18
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH015F120M3F1PTG
ON

Produktbeschreibung:Модуль из карбида кремния (SiC) - EliteSiC, 15 мОм SiC M3S MOSFET, 1200 В

пакет:PIM-22
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTHL099N60S5
ON

Produktbeschreibung:MOSFET - силовой, одиночный N-канальный, SUPERFET V, Easy Drive, TO247-3L 600 В, 99 м, 33 А

пакет:TO-247-3
10 шт.
2500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NCD57090BDWR2G
ON

Produktbeschreibung:Драйвер затвора 6.5A с емкостной связью 5000Vrms 1 канал 8-SOIC

пакет:SOIC-8
10 шт.
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTBGS1D5N06C
ON

Produktbeschreibung:MOSFET - силовой, одиночный N-канальный, D2PAK7 60 В, 1,55 м, 267 А

пакет:D2PAK-7
10 шт.
25000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NDSH50120C
ON

Produktbeschreibung:Диоды Шоттки из карбида кремния (SiC) - корпус EliteSiC 50A 1200V D3 TO-247-2L

пакет:TO-247-2L
10 шт.
15000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMFS5C410NWFAFT1G
ON

Produktbeschreibung:MOSFET - силовой, одиночный N-канальный 40 В, 0,92 м, 300 А

пакет:5-DFN
10 шт.
15000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler