sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:Карбид кремния (Sic) MOSFET
бренд:ON
год выпуска:24+
пакет:TOLL
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 3000
Ntbl0060n6555sc1 650V MOSFET использует новые технологии, которые могут обеспечить превосходную мощность переключателя и более высокую надежность по сравнению с кремнием. Более того, низкопроводящее сопротивление и компактный размер чипа обеспечивают низкий емкость и сеточный заряд. Таким образом, системные преимущества включают в себя максимальную эффективность, более быструю частоту работы, более высокую плотность мощности, более низкие EMI и меньшие системные размеры.
Спецификации ntbl0060n0665sc1:
Режим канала: Enhancement
сингла
Время падения: 11 нс
Ток непрерывного потока: 46 A
Максимальн рабоч температур: + 170 ° C
Минимальн рабоч температур: - 55 ° C
Стиль установки: SMD/SMT
Количество каналов: 1 чаннел
Упаковка/упаковка: SO-8
риэль
снято
Дисперсионная мощность: 170 вт
Тип продукции: SiC MOSFETS
Заряд сетки Qg- 74 nC
Сопротивление потока Rds On- утечка: 70 момс
Время подъёма: 14 нс
Серия: ntbl0060n0665sc1
Количество заводов: 2000
Подкатегория: Transistors
сик
Название торговой марки: EliteSiC
Полярность транзистора: N-Channel
Типичное время задержки: 24 нс
Типичное время задержки: 11 нс
Напряжение пробивающего источника Vds- утечки: 650 V
Vgs-сетка-источник напряжения: 8 V, + 22,6 V
Пороговое напряжение Vgs th- решёточного источника: 4.3 V
Классическое применение:
SMPS(переключающий режим питания)
Инвертор солнечной энергии
UPS(бесперебойное питание)
Хранение энергии
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
ON
TO-247-4
3000
Карбид кремния (Sic) MOSFET EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-4L
ST
HiP247-3
3000
1200 В Мощность карбида кремния автомобильного класса MOSFET, 27 мОм, 56 А, HiP247
ON
TO-247-3
3000
Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-3L
ON
TO-247-4
3000
Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-4L
ON
D2PAK-7
3000
Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, D2PAK-7L
ON
D2PAK-7
3000
Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, D2PAK-7L
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
ON Semiconductor (Nasdaq: ON) — ведущий поставщик высокопроизводительных кремниевых решений для энергоэффективной электроники.Ассортимент продукци…
NCP57302DSADJR4G
NCP57302DSADJR4G - это высокоточный регулятор прямого хода с очень низким уровнем разрядности (VLDO), низким минимальным входным напряжением и низк…NCP45770IMN24TWG
Устройство управления нагрузкой NCP45770IMN24TWG представляет собой оптимизированное по компонентам и площади решение для эффективной коммута…NVH4L032N065M3S
Nvh4l032n0665v MOSFET использует совершенно новые технологии, которые могут обеспечить превосходную мощность переключателя и более высокую надеж…NXH020P120MNF1PG
NXH020P120MNF1PG - это модуль SiC MOSFET, содержащий полумост SiC MOSFET с сопротивлением 20 мОм 1200 В и термистор NTC в модуле F1.Характеристика NXH020P120MNF1PGПолумо…FSBB10CH120DFL
FSBB10CH120DFL - это модуль Motion SPM 3, который обеспечивает полнофункциональную, высокопроизводительную выходную ступень инвертора для двигател…AP0101AT2L00XPGA0-DR2
AP0101AT2L00XPGA0-DR2 - это специализированный сопроцессор автомобильных изображений, способный реализовать гибкую платформу камеры с использова…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: